存储装置和用于非易失性存储器装置的访问方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种存储装置，其可包括非易失性存储器装置、缓冲器存储器和控制器。控制器可利用缓冲器存储器对非易失性存储器装置执行第一访问；在缓冲器存储器中收集第一访问的访问结果信息和访问环境信息；以及基于在缓冲器存储器中收集的访问结果信息和访问环境信息，通过执行机器学习来产生访问分类器，访问分类器预测对非易失性存储器装置的第二访问的结果。

Storage devices and access methods for nonvolatile memory devices

【技术实现步骤摘要】
存储装置和用于非易失性存储器装置的访问方法相关申请的交叉引用本申请要求于2016年9月6日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2016-0114495的优先权，该申请的全部内容以引用方式全文并入本文中。
本专利技术构思的实施例涉及半导体装置，并且更具体地说，涉及包括非易失性存储器装置的存储装置和用于非易失性存储器装置的访问方法。
技术介绍
存储装置可包括非易失性存储器。包括非易失性存储器的存储装置即使断电也可保持存储在其中的数据，因此包括非易失性存储器的存储装置可有利于长期存储数据。存储装置可在诸如计算机、智能手机和智能平板的各种电子装置中用作主要存储装置。在存储装置上执行读和写数据的模式可根据用户的数据使用模式和使用数据的环境而变化。如果在存储装置上执行读和写数据的模式变化，则存储装置的操作性能可变化。存储装置的制造商可基于平均使用模式和使用环境针对其内部操作(例如，写和读操作)设置算法。如果将平均使用模式和使用环境应用于存储装置，则存储装置可能不能针对不同于平均使用模式和使用环境的特定用户提供最佳操作性能。
技术实现思路
本专利技术构思的实施例可提供用于为一个或多个用户提供最佳或改进的操作性能的非易失性存储器装置的存储装置和访问方法。根据本专利技术构思的一些实施例，提供了存储装置。存储装置可包括非易失性存储器装置、缓冲器存储器和控制器。控制器可执行以下操作，包括：利用缓冲器存储器对非易失性存储器装置执行第一访问；在缓冲器存储器中收集第一访问的访问结果信息和访问环境信息；以及基于在缓冲器存储器中收集的访问结果信息和访问环境信息，通过执行机器学习来产生访问分类器，访问分类器预测对非易失性存储器装置的第二访问的结果。根据本专利技术构思的一些实施例，一种存储装置可包括非易失性存储器装置、缓冲器存储器、控制器和处理单元。控制器可被构造为利用缓冲器存储器对非易失性存储器装置执行第一访问。处理单元可被构造为在缓冲器存储器中收集第一访问的访问结果信息和访问环境信息，和基于在缓冲器存储器中收集的访问结果信息和访问环境信息，通过执行机器学习来产生访问分类器，访问分类器预测对非易失性存储器装置执行第二访问的结果。控制器可被构造为基于访问分类器对非易失性存储器装置选择性地执行第二访问。根据本专利技术构思的一些实施例，存储装置可包括非易失性存储器装置和控制器。控制器可被构造为基于对非易失性存储器装置的未来访问的预测结果来对非易失性存储器装置选择性地执行读恢复操作或再编程操作。所述预测结果可基于通过控制器从对非易失性存储器装置的先前访问中收集的访问信息。根据本专利技术构思的一些实施例，可提供非易失性存储器装置的访问方法。非易失性存储器装置的访问方法可包括：对非易失性存储器装置执行第一访问和收集第一访问的访问结果信息和访问环境信息；基于收集到的访问结果信息和访问环境信息通过执行机器学习来产生访问分类器；以及在对非易失性存储器装置执行第二访问之前，利用第二访问的访问环境信息和访问分类器来预测第二访问的结果。附图说明参照具体实施方式和附图，本专利技术构思将被理解得更加清楚，其中，除非另有说明，否则相同的附图标记可在多个附图中始终指代相同的部件。图1是示出根据本专利技术构思的一些实施例的存储装置的框图。图2是示出根据本专利技术构思的一些实施例的通过图1的用于机器学习的核实施的模块的框图。图3是示出根据本专利技术构思的一些实施例的存储装置的操作方法的操作的流程图。图4是示出根据本专利技术构思的一些实施例的其中存储装置利用访问分类器来对新访问请求的访问结果进行预测(或分类)的操作方法的操作的流程图。图5是示意性地示出根据本专利技术构思的一些实施例的存储器块的透视图。图6是示出根据本专利技术构思的一些实施例的其中控制器访问非易失性存储器装置的方法的曲线图的流程图。图7是示出根据本专利技术构思的一些实施例的当将机器学习应用于可靠性验证读操作时的访问结果信息和访问环境信息的表。图8是示出根据本专利技术构思的一些实施例的在获得分类结果之后处理与分类结果关联的可靠性验证读操作的方法的操作的流程图。图9是示出根据本专利技术构思的一些实施例的当将机器学习应用于读操作、写操作或擦除操作时的访问结果信息和访问环境信息的表。图10是示出根据本专利技术构思的一些实施例的其中控制器访问非易失性存储器装置的方法的曲线图的流程图。图11是示出根据本专利技术构思的一些实施例的当将机器学习应用于检查操作时的访问结果信息和访问环境信息的表。图12是示出根据本专利技术构思的一些实施例的在获得分类结果之后处理与分类结果关联的检查操作的方法的操作的流程图。图13是示出根据本专利技术构思的一些实施例的通过利用子访问操作的结果作为访问环境信息来分类的访问操作的结果的表。图14是示出根据本专利技术构思的一些实施例的利用图13的访问环境信息和访问结果信息的方法的操作的流程图。图15是根据本专利技术构思的一些实施例的通过机器学习产生的访问分类器的图。图16是根据本专利技术构思的一些实施例的通过机器学习产生的访问分类器的图。图17是根据本专利技术构思的一些实施例的通过机器学习产生的访问分类器的图。图18是示出根据本专利技术构思的一些实施例的图1的存储装置的应用的框图。具体实施方式现在，将参照其中示出了本专利技术构思的示例性实施例的附图在下文中更加完全地描述本专利技术构思。本专利技术构思以及实现它们的方法将从以下将参照附图更详细地描述的示例性实施例中变得清楚。然而，本专利技术构思的实施例可按照不同形式实施，并且不应理解为限于本文阐述的实施例。相反，提供这些实施例以使得本公开将是彻底和完整的，并且将把本专利技术构思的范围完全传递给本领域技术人员。如本文所用，除非上下文清楚地指定不是这样，否则单数形式“一个”、“一”和“该”也旨在包括复数形式。应该理解，当元件被称作“连接至”或“耦接至”另一元件时，其可直接连接至或耦接至所述另一元件，或者可存在中间元件。如本文所用，术语“和/或”包括相关所列项之一或多个的任何和所有组合。还应该理解，术语“包括”、“包括……的”、“包含”和“包含……的”当用于本说明书中时，指定存在所列特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。相似地，应该理解，当诸如层、区或衬底的元件被称作“连接至”另一元件或“位于”另一元件“上”时，其可直接连接至所述另一元件或直接位于所述另一元件上，或者可存在中间元件。相反，术语“直接”意指不存在中间元件。另外，可参照作为本专利技术构思的理想示意图的剖视图来描述在具体实施方式中描述的实施例。因此，根据制造技术和/或可允许的误差，可修改示例性示图的形状。因此，本专利技术构思的实施例不限于示意图中所示的具体形状，而是可包括可根据制造工艺生成的其它形状。本文解释和示出的本专利技术构思的实施例可包括它们的互补对应部分。相同的附图标记或相同的参考指示符在整个说明书中指示相同的元件。图1是示出根据本专利技术构思的一些实施例的存储装置的框图。参照图1，存储装置100可包括非易失性存储器装置110、控制器120和缓冲器存储器130。非易失性存储器装置110可在控制器120的控制下执行写操作、读操作和擦除操作。非易失性存储器装置110可从控制器120接收写命令、地址和数据，并且可将数据写在对应于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储装置，包括：非易失性存储器装置；缓冲器存储器；和控制器，其被构造为执行以下操作，包括：利用缓冲器存储器对非易失性存储器装置执行第一访问；在缓冲器存储器中收集第一访问的访问结果信息和访问环境信息；以及基于在缓冲器存储器中收集的访问结果信息和访问环境信息，通过执行机器学习来产生访问分类器，访问分类器指示对非易失性存储器装置执行第二访问的结果的预测。

【技术特征摘要】
2016.09.06 KR 10-2016-01144951.一种存储装置，包括：非易失性存储器装置；缓冲器存储器；和控制器，其被构造为执行以下操作，包括：利用缓冲器存储器对非易失性存储器装置执行第一访问；在缓冲器存储器中收集第一访问的访问结果信息和访问环境信息；以及基于在缓冲器存储器中收集的访问结果信息和访问环境信息，通过执行机器学习来产生访问分类器，访问分类器指示对非易失性存储器装置执行第二访问的结果的预测。2.根据权利要求1所述的存储装置，其中，当产生访问分类器时，控制器被配置为基于访问结果信息和访问环境信息来更新前一访问分类器。3.根据权利要求1所述的存储装置，其中，控制器被构造为响应于以下情况执行机器学习：出现预定时间段；确定收集到的访问结果信息和收集到的访问环境信息的大小达到预定大小；出现空闲时间；检测到断电；和/或确定缓冲器存储器的存储容量不足。4.根据权利要求1所述的存储装置，其中，控制器被构造为在执行机器学习之后从缓冲器存储器释放应用于机器学习的收集到的访问结果信息和访问环境信息。5.根据权利要求1所述的存储装置，其中，第一访问和第二访问是确定存储在非易失性存储器装置的存储器单元中的数据的可靠性的可靠性验证读操作，并且其中，可靠性验证读操作包括：将阈电压比从作为可靠性验证读操作之一的目标的非易失性存储器装置的存储器单元中选择的存储器单元的第一读电压更低的第一存储器单元的量和/或阈电压比所选择的存储器单元的第二读电压更高的第二存储器单元的量与阈值进行比较。6.根据权利要求5所述的存储装置，其中，在执行第二访问之前，基于与第二访问关联的进一步的访问环境信息，访问分类器指示第一存储器单元的量和/或第二存储器单元的量是否大于阈值的预测。7.根据权利要求6所述的存储装置，其中，控制器被构造为基于访问分类器指示第一存储器单元的量和/或第二存储器单元的量大于阈值的预测来安排所选择的存储器单元的读恢复操作，而不执行第二访问。8.根据权利要求6所述的存储装置，其中，控制器被构造为基于访问分类器指示第一存储器单元的量和/或第二存储器单元的量小于阈值的预测来对所选择的存储器单元执行第二访问。9.根据权利要求8所述的存储装置，其中，控制器被构造为在缓冲器存储器中收集基于第二访问的进一步的访问结果信息和基于第二访问的进一步的访问环境信息。10.根据权利要求1所述的存储装置，其中，控制器被构造为基于结果的预测来调整与第二访问关联的一个或多个访问参数和基于调整后的访问参数来控制非易失性存储器装置执行第二访问。11.根据权利要求10所述的存...

【专利技术属性】
技术研发人员：李东焕，孔骏镇，权成南，卢承京，薛昶圭，孙弘乐，尹弼相，李东起，李熙元，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR