存储装置和用于非易失性存储器装置的访问方法制造方法及图纸
Storage devices and access methods for nonvolatile memory devices
【技术实现步骤摘要】
存储装置和用于非易失性存储器装置的访问方法相关申请的交叉引用本申请要求于2016年9月6日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2016-0114495的优先权，该申请的全部内容以引用方式全文并入本文中。
本专利技术构思的实施例涉及半导体装置，并且更具体地说，涉及包括非易失性存储器装置的存储装置和用于非易失性存储器装置的访问方法。
技术介绍
存储装置可包括非易失性存储器。包括非易失性存储器的存储装置即使断电也可保持存储在其中的数据，因此包括非易失性存储器的存储装置可有利于长期存储数据。存储装置可在诸如计算机、智能手机和智能平板的各种电子装置中用作主要存储装置。在存储装置上执行读和写数据的模式可根据用户的数据使用模式和使用数据的环境而变化。如果在存储装置上执行读和写数据的模式变化，则存储装置的操作性能可变化。存储装置的制造商可基于平均使用模式和使用环境针对其内部操作(例如，写和读操作)设置算法。如果将平均使用模式和使用环境应用于存储装置，则存储装置可能不能针对不同于平均使用模式和使用环境的特定用户提供最佳操作性能。
技术实现思路
本专利技术构思的实施例可提供用于...
【技术保护点】
一种存储装置，包括：非易失性存储器装置；缓冲器存储器；和控制器，其被构造为执行以下操作，包括：利用缓冲器存储器对非易失性存储器装置执行第一访问；在缓冲器存储器中收集第一访问的访问结果信息和访问环境信息；以及基于在缓冲器存储器中收集的访问结果信息和访问环境信息，通过执行机器学习来产生访问分类器，访问分类器指示对非易失性存储器装置执行第二访问的结果的预测。
【技术特征摘要】
2016.09.06 KR 10-2016-01144951.一种存储装置，包括：非易失性存储器装置；缓冲器存储器；和控制器，其被构造为执行以下操作，包括：利用缓冲器存储器对非易失性存储器装置执行第一访问；在缓冲器存储器中收集第一访问的访问结果信息和访问环境信息；以及基于在缓冲器存储器中收集的访问结果信息和访问环境信息，通过执行机器学习来产生访问分类器，访问分类器指示对非易失性存储器装置执行第二访问的结果的预测。2.根据权利要求1所述的存储装置，其中，当产生访问分类器时，控制器被配置为基于访问结果信息和访问环境信息来更新前一访问分类器。3.根据权利要求1所述的存储装置，其中，控制器被构造为响应于以下情况执行机器学习：出现预定时间段；确定收集到的访问结果信息和收集到的访问环境信息的大小达到预定大小；出现空闲时间；检测到断电；和/或确定缓冲器存储器的存储容量不足。4.根据权利要求1所述的存储装置，其中，控制器被构造为在执行机器学习之后从缓冲器存储器释放应用于机器学习的收集到的访问结果信息和访问环境信息。5.根据权利要求1所述的存储装置，其中，第一访问和第二访问是确定存储在非易失性存储器装置的存储器单元中的数据的可靠性的可靠性验证读操作，并且其中，可靠性验证读操作包括：将阈电压比从作为可靠性验证读操作之一的目标的非易失性存储器装置的存储器单元中选择的存储器单元的第一读电压更低的第一存储器单元的量和/或阈电压比所选择的存储器单元的第二读电压更高的第二存储器单元的量与阈值进行比较。6.根据权利要求5所述的存储装置，其中，在执行第二访问之前，基于与第二访问关联的进一步的访问环境信息，访问分类器指示第一存储器单元的量和/或第二存储器单元的量是否大于阈值的预测。7.根据权利要求6所述的存储装置，其中，控制器被构造为基于访问分类器指示第一存储器单元的量和/或第二存储器单元的量大于阈值的预测来安排所选择的存储器单元的读恢复操作，而不执行第二访问。8.根据权利要求6所述的存储装置，其中，控制器被构造为基于访问分类器指示第一存储器单元的量和/或第二存储器单元的量小于阈值的预测来对所选择的存储器单元执行第二访问。9.根据权利要求8所述的存储装置，其中，控制器被构造为在缓冲器存储器中收集基于第二访问的进一步的访问结果信息和基于第二访问的进一步的访问环境信息。10.根据权利要求1所述的存储装置，其中，控制器被构造为基于结果的预测来调整与第二访问关联的一个或多个访问参数和基于调整后的访问参数来控制非易失性存储器装置执行第二访问。11.根据权利要求10所述的存...
【专利技术属性】
技术研发人员：李东焕，孔骏镇，权成南，卢承京，薛昶圭，孙弘乐，尹弼相，李东起，李熙元，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR
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