一种晶片研磨装置制造方法及图纸

一种晶片研磨装置，包括：抛光盘，通过第一转轴与第一电机连接，由第一电机驱动抛光盘转动；一个或多个抛光头，其中每个抛光头具有以下结构：抛光头为连接在第二转轴末端的可上下移动的圆盘，所述抛光头的端面与抛光盘的端面相对，在抛光头的端面上安装有一个或多个晶片；抛光垫，具有弹性的抛光垫平铺粘贴在抛光盘的端面上，其中，抛光盘与抛光头挤压研磨的区域沿径向向内侧逐渐凸起；其中，所述抛光头挤压抛光盘上的抛光垫，配合抛光药液对晶片进行化学机械抛光。本发明专利技术的晶片研磨装置，能够保证晶片承受压力均匀，可以有效避免晶片边缘的塌边现象，提高晶片表面平整度，提高了晶片的优良率。

A chip lapping device

A wafer polishing apparatus, including: polishing, through a first rotating shaft is connected with the first motor, motor driven by the first polishing wheel; one or more polishing head, wherein each polishing head has the following structure: the polishing head for connecting the second ends of the rotating shaft can be moved up and down on the disc, the end surface of the polishing head the end surface of the polishing surface relative, in the polishing head is installed on one or more of the wafer; polishing pad, polishing pad tile paste with elastic in the face of the polishing disk, wherein, polishing and polishing head grinding area along the radial direction towards the inside gradually raised; among them, the polishing head thrown on the disc extrusion polishing pad, polishing liquid with chemical mechanical polishing of the wafer. The wafer grinding device of the invention can ensure that the wafer bears uniform pressure, effectively avoids the edge collapse phenomenon of the wafer, improves the flatness of the wafer surface, and improves the excellent and good rate of the wafer.

【技术实现步骤摘要】
一种晶片研磨装置
本专利技术属于一种半导体晶片加工技术，具体地说，涉及一种晶片研磨装置。
技术介绍
半导体晶片由于其在电子、通讯及能源等多种领域中的应用，其发展受到越来越多的关注。磷化铟(InP)晶体是重要的化合物半导体材料，与砷化镓(GaAs)相比，其优越性主要在于高的饱和电子漂移速度、导热性好及较强的抗辐射性能等，因此磷化铟晶片通常用于制造高频、高速和大功率微波器件和电路。InP作为衬底材料已在多个领域得到广泛应用，如长波长(1.3～1.55μm)发光二极管、激光器和探测器、毫米波异质结双极晶体管(HBT)、高电子迁移率晶体管(HEMT)和单片电路等。这些器件将是下一代宽带网络、区域电子对抗、预警系统、高性能雷达、卫星系统和精确制导武器等的关键部件。由于外延工艺、光刻工艺等对晶片平整度和粗糙度是非常敏感的，其直接影响着外延材料结构和材料质量从而影响器件的成品率。晶片在抛光加工过程中，使用有弹性的抛光垫，在一定的压力下配合抛光药液进行化学机械抛光，由于抛光头由抛光盘带动转动，抛光头的转速难以控制，且转速不均匀，且抛光垫具有一定的弹性，使得晶片从边缘到中心受压逐渐减小，晶片所受摩擦力本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片研磨装置，其特征在于，包括：抛光盘，通过第一转轴与第一电机连接，由第一电机驱动抛光盘转动；一个或多个抛光头，其中每个抛光头具有以下结构：抛光头为连接在第二转轴末端的可上下移动的圆盘，所述抛光头的端面与抛光盘的端面相对，在抛光头的端面上安装有一个或多个晶片；抛光垫，具有弹性的抛光垫平铺粘贴在抛光盘的端面上，其中，抛光盘与抛光头挤压研磨的区域沿径向向内侧逐渐凸起；其中，所述抛光头挤压抛光盘上的抛光垫，配合抛光药液对晶片进行化学机械抛光。

【技术特征摘要】
1.一种晶片研磨装置，其特征在于，包括：抛光盘，通过第一转轴与第一电机连接，由第一电机驱动抛光盘转动；一个或多个抛光头，其中每个抛光头具有以下结构：抛光头为连接在第二转轴末端的可上下移动的圆盘，所述抛光头的端面与抛光盘的端面相对，在抛光头的端面上安装有一个或多个晶片；抛光垫，具有弹性的抛光垫平铺粘贴在抛光盘的端面上，其中，抛光盘与抛光头挤压研磨的区域沿径向向内侧逐渐凸起；其中，所述抛光头挤压抛光盘上的抛光垫，配合抛光药液对晶片进行化学机械抛光。2.根据权利要求1所述的晶片研磨装置，其特征在于，每个抛光头通过第二转轴与第二电机连接，通过第二电机驱动抛光头旋转。3.根据权利要求1所述的晶片研磨装置，其特征在于，在每个抛光头的端面上设置有晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵有文，刘京明，段满龙，董志远，刘刚，
申请(专利权)人：北京鼎泰芯源科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11