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在衬底两侧上的集成电路结构及形成方法技术

技术编号:17410544 阅读:37 留言:0更新日期:2018-03-07 07:13
本发明专利技术涉及在衬底两侧上的集成电路结构及形成方法,其中,一种集成电路(IC)结构使用具有第一侧和相对的第二侧的单个半导体衬底。第一多个主动器件位于单个半导体衬底的第一侧上,而第二多个主动器件位于单个半导体衬底的相对的第二侧上。TSV可以电耦合在任一侧上的主动器件。使用两侧具有主动器件的单个半导体衬底降低了使用半导体层的数量,并且在制造期间允许退火而不损坏BEOL互连。

Integrated circuit structure and formation method on both sides of the substrate

【技术实现步骤摘要】
在衬底两侧上的集成电路结构及形成方法
本专利技术有关于集成电路(IC)结构,更具体地,有关于在单个半导体衬底两侧上具有主动器件的IC结构及其形成方法。
技术介绍
集成电路结构持续扩展到更小的尺寸,其每个芯片内的电路密度提高。一种用来持续降低芯片封装大小,例如从22纳米到14纳米及以下的手段是采用单片三维(3D)结构。单片3D结构使用堆叠芯片和/或增加连续的半导体层的数量。在单片3D结构中各种半导体层上晶体管和其它主动器件的形成中,执行退火以启动器件,以例如在半导体层扩散掺杂剂。随着IC结构的形成,后段制程(back-end-of-line,BEOL)和远端BEOL(farback-end-of-line,FBEOL)铜互连形成在主动器件上方以缩放布线。持续使用单片3D结构的一个限制为,在各种半导体层中启动主动器件的必要退火理想上使用400℃以上的温度,这也可能损坏先前形成的BEOL和FBEOL互连结构。解决这个挑战的手段是采用雷射退火来启动半导体层中的主动器件,并屏蔽层以保护其它互连层。屏蔽层的使用增加了成本和处理时间。
技术实现思路
本专利技术的第一态样是针对一种集成电路(IC)结构,本文档来自技高网...
在衬底两侧上的集成电路结构及形成方法

【技术保护点】
一种集成电路(IC)结构,包含:具有第一侧和相对的第二侧的单个半导体衬底;在该单个半导体衬底的该第一侧上的第一多个主动器件;以及在该单个半导体衬底的该相对的第二侧上的第二多个主动器件。

【技术特征摘要】
2016.08.18 US 15/239,9761.一种集成电路(IC)结构,包含:具有第一侧和相对的第二侧的单个半导体衬底;在该单个半导体衬底的该第一侧上的第一多个主动器件;以及在该单个半导体衬底的该相对的第二侧上的第二多个主动器件。2.如权利要求1所述的IC结构,还包含第一后段制程(BEOL)互连结构电耦合到在该单个半导体衬底的该第二侧上的该第二多个主动器件的至少一个,以及第二BEOL互连结构电耦合到在该单个半导体衬底的该第一侧上的该第一多个主动器件的至少一个。3.如权利要求2所述的IC结构,还包含至少一个硅穿孔(TSV)电耦合该第一多个主动器件的至少一个以及该第一BEOL互连结构到该第二多个主动器件的至少一个以及该第二BEOL互连结构。4.如权利要求2所述的IC结构,还包含至少一个外部互连电耦合该第一BEOL互连结构以及该第二BEOL互连结构中的其中一个到外部电路板。5.如权利要求1所述的IC结构,还包含至少一个硅穿孔(TSV)电耦合该第一多个主动器件的至少一个到该第二多个主动器件的至少一个。6.如权利要求1所述的IC结构,其中,在该单个半导体衬底中的该第一多个主动器件比该第二多个主动器件少100微米(μm)。7.如权利要求1所述的IC结构,其中,该第一多个主动器件具有与该第二多个主动器件不同的尺寸和不同的类型中的至少一个。8.一种方法,包含:在单个半导体衬底的第一侧上形成第一多个主动器件;以及在该单个半导体衬底的相对的第二侧上形成第二多个主动器件。9.如权利要求8所述的方法,还包含:形成第一后段制程(BEOL)互连结构电耦合到在该单个半导体衬底的该第二侧上的该第二多个主动器件的至少一个;以及形成第二BEOL互连结构电耦合到在该单个半导体衬底的该第一侧上的该第一多个主动器件的至少一个。10.如权利要求9所述的方法,还包含形成至少一个硅穿孔(TSV)电耦合该第一多个主动器件的至少一个以及该第一BEOL互连结构到该第二多个主动器件的至少一个以及该第二BE...

【专利技术属性】
技术研发人员:I·D·W·梅尔维尔马克塔·G·法罗
申请(专利权)人:格芯公司
类型:发明
国别省市:开曼群岛,KY

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