三维存储器阵列架构制造技术

本发明专利技术提供三维存储器阵列架构及其形成方法。实例三维存储器阵列可包含：堆叠，其包括通过至少绝缘材料而彼此分离的多个第一导电线；及至少一个导电延伸部，其经布置以实质上垂直于所述多个第一导电线延伸，使得所述至少一个导电延伸部与所述多个第一导电线中的至少一者的一部分相交。围绕所述至少一个导电延伸部形成存储元件材料。围绕所述至少一个导电部延伸形成单元选择材料。

Three dimensional memory array architecture

The invention provides a three-dimensional memory array architecture and a method for forming the same. An example of 3D memory array can include: stack, which comprises an insulating material separated from each other by at least a plurality of first conductive wires; and at least one conductive extension, which is arranged to substantially extend perpendicular to the plurality of first conductive wires, the intersection part of the at least one conductive extension and the plurality of first conductive wires in at least one of the. A storage element material is formed around at least one conductive extension. The at least one of the at least one conductive part is extended to form a unit selection material.

【技术实现步骤摘要】
三维存储器阵列架构分案申请的相关信息本案是分案申请。该分案的母案是申请日为2013年08月30日、申请号为201380049045.1、专利技术名称为“三维存储器阵列架构”的专利技术专利申请案。相关申请案本专利技术涉及与此一起申请的标题为“三维存储器阵列架构(THREEDIMENSIONALMEMORYARRAYARCHITECTURE)”的具有代理人档案号码1001.0690001的美国专利申请案13/600,777，且所述申请案的全文以引用的方式并入本文中。
本专利技术大体上涉及半导体装置，且更特定来说涉及三维存储器阵列架构及其形成方法。
技术介绍
通常将存储器装置提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器，包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)、电阻可变存储器及快闪存储器等。电阻可变存储器的类型包含相变材料(PCM)存储器、可编程导体存储器及电阻性随机存取存储器(RRAM)等。对于需要高存储器密度、高可靠性及无电力的数据保留的广泛范围的电子应用来说，存储器装置用作非本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器阵列，其包括：堆叠，其包括在多个层级处的多个第一导电线，其中所述多个第一导电线通过绝缘材料和存储元件材料而彼此分离；以及形成于贯穿所述堆叠的通孔中的导电延伸部；其中在所述多个层级的每一层级处：对应于所述层级的所述存储元件材料延伸至所述通孔的侧壁；且对应于所述层级的导电线的导电材料相对于所述通孔的所述侧壁凹入，由此所述存储元件材料相对于对应于所述层级的所述导电线形成突出部。

【技术特征摘要】
2012.08.31 US 13/600,6991.一种存储器阵列，其包括：堆叠，其包括在多个层级处的多个第一导电线，其中所述多个第一导电线通过绝缘材料和存储元件材料而彼此分离；以及形成于贯穿所述堆叠的通孔中的导电延伸部；其中在所述多个层级的每一层级处：对应于所述层级的所述存储元件材料延伸至所述通孔的侧壁；且对应于所述层级的导电线的导电材料相对于所述通孔的所述侧壁凹入，由此所述存储元件材料相对于对应于所述层级的所述导电线形成突出部。2.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述存储元件材料包括以下材料的至少一者：硫属化物材料；及相变材料。3.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述导电延伸部垂直于所述多个第一导电线而延伸至与所述多个第一导电线垂直的多个第二导电线。4.根据权利要求3所述的存储器阵列，其中所述导电延伸部作为所述多个第二导电线的延伸部电连接至所述多个第二导电线。5.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中在所述多个层级的每一层级处，所述存储元件材料与对应于所述层级的所述多个第一导电线的一导电线直接接触。6.根据权利要求1所述的存储器阵列，其进一步包括形成于所述通孔内所述导电延伸部与所述存储材料之间的单元选择材料。7.根据权利要求6所述的存储器阵列，其中所述存储元件材料包括第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：费代里科·皮奥，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国,US