半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体装置，使半导体装置所具备的电感器的特性提高。具备由半导体基板(SB)、半导体基板(SB)上的BOX层(BX)以及BOX层(BX)上的半导体层(SL)构成的SOI基板、形成于SOI基板的主面的上方的多层布线以及由多层布线构成的电感器(IN)。并且，在位于电感器(IN)的下方的区域中，BOX层(BX)以及半导体层(SL)通过元件分离部(STI)隔成多个区域，在多个区域各自的半导体层(SL)上，隔着虚设栅极绝缘膜(DI)设置有虚设栅极电极(DG)。

Semiconductor device

The invention relates to a semiconductor device to improve the characteristics of an inductor in the semiconductor device. A SOI substrate consisting of a semiconductor substrate (SB), a semiconductor layer (SB) on the semiconductor substrate (BX) and a semiconductor layer (BX) on the BOX substrate (SL), a multilayer wiring formed above the main surface of the SOI substrate, and an inductor (IN) consisting of multilayer wiring are also provided. Moreover, in the area below the inductor (IN), the BOX layer (BX) and the semiconductor layer (SL) are divided into several regions by the element separation part (STI). On the respective semiconductor layers (SL) of several regions, there is a dummy gate electrode (DG) across the dummy gate insulating film (DI).

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本专利技术涉及半导体装置，例如能够适当地用于形成于SOI(SilicononInsulator，绝缘体上硅结构)基板并且具备电感器的半导体装置。
技术介绍
在日本特开2013－110351号公报(专利文献1)中记载了在位于电感器的下方的元件分离膜设置开口并在该开口内残留半导体基板、同时抑制在位于电感器的下方的半导体基板产生涡电流的技术。现有技术文献专利文献1：日本特开2013－110351号公报
技术实现思路
在半导体装置所具备的电感器中，要求Q(QualityFactor，品质因数)高。为了使电感器的Q变高，需要减小在位于电感器的下方的半导体基板产生的涡电流。例如，在上述专利文献1中，记载了通过在位于电感器的下方的区域中将阱分割成多个来抑制涡电流的产生的技术。但是由于虚设栅极电极与形成于半导体基板的虚设扩散层连接，所以当在阱中产生涡电流时，由于虚设栅极电极以及虚设扩散层的阻抗，反电动势变大，电感器的特性有可能劣化。其他课题和新颖的特征将根据本说明书的叙述以及附图而变得明确。一个实施方式的半导体装置具备由半导体基板、半导体基板上的BOX层和BOX层上的半导体层构成的SOI基板本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，具备：SOI基板，由半导体基板、所述半导体基板上的埋入绝缘膜以及所述埋入绝缘膜上的半导体层构成；多层布线层，形成于所述SOI基板的主面的上方；以及电感器，由所述多层布线层构成，在位于所述电感器的下方的所述SOI基板的第1区域中，所述埋入绝缘膜以及所述半导体层通过元件分离部被隔成多个区域，在所述多个区域各自的所述半导体层上，隔着虚设栅极绝缘膜设置有虚设栅极电极。

【技术特征摘要】
2016.08.10 JP 2016-1579661.一种半导体装置，具备：SOI基板，由半导体基板、所述半导体基板上的埋入绝缘膜以及所述埋入绝缘膜上的半导体层构成；多层布线层，形成于所述SOI基板的主面的上方；以及电感器，由所述多层布线层构成，在位于所述电感器的下方的所述SOI基板的第1区域中，所述埋入绝缘膜以及所述半导体层通过元件分离部被隔成多个区域，在所述多个区域各自的所述半导体层上，隔着虚设栅极绝缘膜设置有虚设栅极电极。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第1区域的所述元件分离部的平面形状是格子状。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，在通过格子状的所述元件分离部划分而成的各区域，配置有所述虚设栅极电极。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述虚设栅极电极是孤立的图案。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，将由与所述虚设栅极电极同一层的材料形成且固定于接地电位的第1外周部分设置于所述第1区域的周围，所述虚设栅极电极与所述第1外周部分相连。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，所述虚设栅...

【专利技术属性】
技术研发人员：内田慎一，中柴康隆，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP