提高类异戊二烯化合物的产生的方法技术

技术编号:1740742 阅读:214 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供了在遗传修饰的宿主细胞中产生类异戊二烯或类异戊二烯前体的方法。该方法通常包括:调节细胞中羟甲基戊二酸单酰辅酶A(HMG-CoA)的水平,以使HMG-CoA水平对细胞没有毒性和/或不显著抑制细胞生长,但却维持在可高水平产生甲羟戊酸、IPP和类异戊二烯或类异戊二烯途径的其它下游产物(如多异戊烯二磷酸酯和类异戊二烯化合物)的水平。本发明专利技术还提供了适用于本发明专利技术方法的遗传修饰的宿主细胞。本发明专利技术还提供了用于产生本发明专利技术遗传修饰的宿主细胞的重组核酸构建物,包括含有编码一个或多个甲羟戊酸途径酶的核苷酸序列的重组核酸构建物,以及含有上述重组核酸构建物的重组载体(例如,重组表达载体)。本发明专利技术还提供了鉴定编码可缓解HMG-CoA累积诱导的毒性的HMG-CoA还原酶(HMGR)变体的核酸的方法。本发明专利技术还提供了用于鉴定减少HMG-CoA细胞内累积的试剂的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种在宿主细胞中降低HMG-CoA毒性并提高通过甲羟戊酸途径产生的类异戊二烯或类异戊二烯前体的方法,其中,所述宿主细胞通过甲羟戊酸途径产生类异戊二烯或类异戊二烯前体,所述方法包括:    (a)遗传修饰所述宿主细胞以包含一种或多种编码一种或多种酶的异源核酸,与没有用所述异源核酸遗传修饰的对照亲代宿主细胞相比,当所述酶在细胞中产生时降低HMG-CoA累积诱导的生长抑制;和    (b)在使遗传修饰的宿主细胞中产生的类异戊二烯或类异戊二烯前体水平高于对照亲代宿主细胞中产生的类异戊二烯或类异戊二烯前体水平的条件下,培养所述遗传修饰的宿主细胞。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:JD基斯林JD纽曼DJ皮特拉
申请(专利权)人:加利福尼亚大学董事会
类型:发明
国别省市:US[美国]

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