一种半导体器件及其形成方法技术

一种半导体器件及其形成方法，所述形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一掺杂层和堆叠于所述第一掺杂层的第二掺杂层，所述第一掺杂层与所述第二掺杂层的掺杂类型相反；对所述半导体衬底进行刻蚀以形成沟槽，所述沟槽的底部暴露出所述第二掺杂层；对所述沟槽底部的第二掺杂层进行离子注入，以使其掺杂类型与所述第一掺杂层的掺杂类型相同；其中，相邻沟槽之间的第一掺杂层和第二掺杂层形成光电二极管。通过本发明专利技术的方案能够有效延长隔离深度，同时提高光电二极管的长度，从而在提高满井容量的同时有效避免电子串扰。

A semiconductor device and its formation method

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其形成方法
本专利技术涉及半导体
，具体地涉及一种半导体器件及其形成方法。
技术介绍
作为半导体器件的一个重要分支，图像传感器是将光学图像信号转换为电信号的半导体器件。在种类繁多的图像传感器中，互补金属氧化物半导体(ComplementaryMetalOxideSemiconductor，简称CMOS)图像传感器因其体积小、功耗低、价格低廉的优点而得到广泛应用。现有的CMOS图像传感器中包括用于将光信号转换为电信号的光电传感器，所述光电传感器通常为形成于硅衬底中的光电二极管。为了提高CMOS图像传感器的光电转换性能，通常需要在CMOS中以阵列的形式排布多个光电二极管，其中，每一个光电二极管称为一个像素，由多个光电二极管阵列排布形成的区域称为像素区。为了避免电子串扰等串扰问题，需要进行像素隔离，亦即需要在相邻的两个光电二极管之间进行隔离，以防止电子从一个像素跑到相邻像素影响器件性能。现有技术主要采用深沟槽隔离(DeepTrenchIsolation，简称DTI)的方式实现像素隔离。但是，随着器件尺寸的减小，像素的满井容量也越来越小，极大的影响器件的图像传感性能。为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一掺杂层和堆叠于所述第一掺杂层的第二掺杂层，所述第一掺杂层与所述第二掺杂层的掺杂类型相反；对所述半导体衬底进行刻蚀以形成沟槽，所述沟槽的底部暴露出所述第二掺杂层；对所述沟槽底部的第二掺杂层进行离子注入，以使其掺杂类型与所述第一掺杂层的掺杂类型相同；其中，相邻沟槽之间的第一掺杂层和第二掺杂层形成光电二极管。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一掺杂层和堆叠于所述第一掺杂层的第二掺杂层，所述第一掺杂层与所述第二掺杂层的掺杂类型相反；对所述半导体衬底进行刻蚀以形成沟槽，所述沟槽的底部暴露出所述第二掺杂层；对所述沟槽底部的第二掺杂层进行离子注入，以使其掺杂类型与所述第一掺杂层的掺杂类型相同；其中，相邻沟槽之间的第一掺杂层和第二掺杂层形成光电二极管。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沟槽形成于所述半导体衬底的正面或背面，所述正面和背面相对设置。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：在所述沟槽中填充介质材料，以形成介质层；对所述半导体衬底进行退火处理。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述沟槽形成于所述半导体衬底的背面，进行所述退火处理时，退火温度在1000-1200℃之间。5.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：王连红，夏绍曾，黄晓橹，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32