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一种半导体器件及其形成方法，所述形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一掺杂层和堆叠于所述第一掺杂层的第二掺杂层，所述第一掺杂层与所述第二掺杂层的掺杂类型相反；对所述半导体衬底进行刻蚀以形成沟槽，所述沟槽的底部暴露出所述第二掺杂...
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