一种高导电性的三维存储器及其形成方法技术

本发明专利技术公开了一种高导电性的三维存储器及其形成方法，属于半导体技术领域。所述方法包括：提供含有待填充区域的主体结构；在待填充区域中旋涂聚丙烯腈溶液，并在主体结构的上表面形成聚丙烯腈薄膜；对含有聚丙烯腈薄膜的主体结构进行热退火处理后，进行碳化处理形成碳填充的沟道通孔和共源极阵列、及覆盖主体结构上表面的碳膜；去除碳膜。本发明专利技术中的方法，不仅工艺流程简单、缩短了工艺周期，而且降低了三维存储器的制作成本；在工艺过程中，也大大降低了由于应力造成的晶片翘曲程度，进而减少了由于晶片翘曲引起的工艺问题；同时由于碳具有高导电性，使得含有碳填充的沟道通孔和共源极阵列的三维存储器具有更好的设备电器性能。

A high conductivity three-dimensional memory and its formation method

The invention discloses a high conductivity three-dimensional memory and a forming method, which belongs to the field of semiconductor technology. The method includes: providing the main structure of the area to be filled with; in the area to be filled in and spin coated polyacrylonitrile solution, the main structure is formed on the upper surface of polyacrylonitrile film; on the main structure containing polyacrylonitrile films were annealed after carbonization and formation of carbon filled trench hole and a common source array, and covering the main structure on the surface of carbon membrane; the removal of carbon membrane. The method of the invention, not only has the advantages of simple process, shorten the production cycle, and reduce the cost of production of three-dimensional memory; in the process, but also greatly reduces the stress caused by wafer warpage degree, and reduce the wafer warpage caused by the process problem; at the same time as the carbon with high conductivity, the the performance of electrical equipment containing three-dimensional memory carbon filled channel through hole and the common source of the array has better.

【技术实现步骤摘要】
一种高导电性的三维存储器及其形成方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种高导电性的三维存储器及其形成方法。
技术介绍
随着人们对电子产品的要求向小型化、多功能化、环保化等多方向的发展，各企业努力将电子系统做的越来越小，集成越来越高，功能越来越多。由此也产生了许多新技术、新材料和新设计，三维闪存存储器就是其中的典型代表。目前，三维闪存存储器的一个常用的架构就是NAND闪存架构。在NAND闪存架构中，其主要的组成部分可以概括为存储单元和外围电路，通过外围电路的控制实现对各存储单元中数据的存取操作；因此，在三维NAND存储器的制程中，各部分的电导率是一个不容忽视的重要环节。其中，共源极阵列(ArrayCommonSource，简称ACS)是一个重要的高导电性要求的结构；目前，ACS通常使用钨(W)填充形成，虽然钨具有良好的导电性，但是在其形成过程中，由于受到严重的应力，会造成各种工艺问题，例如晶片翘曲滑动、光刻变形、叠层错位等等，进而导致器件的性能下降。为此，一些方法中采用多晶硅来替换钨，但是在沉积多晶硅的过程中，在共源极阵列(ACS)上会形成一些浅槽，并且多晶硅的导电性要比钨低的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高导电性的三维存储器形成方法，其特征在于，包括：提供含有待填充区域的主体结构；在所述待填充区域中旋涂聚丙烯腈溶液，并在所述主体结构的上表面形成聚丙烯腈薄膜；对含有聚丙烯腈薄膜的主体结构进行热退火处理后，进行碳化处理形成碳填充的沟道通孔和共源极阵列、及覆盖所述主体结构上表面的碳膜；去除所述碳膜。

【技术特征摘要】
1.一种高导电性的三维存储器形成方法，其特征在于，包括：提供含有待填充区域的主体结构；在所述待填充区域中旋涂聚丙烯腈溶液，并在所述主体结构的上表面形成聚丙烯腈薄膜；对含有聚丙烯腈薄膜的主体结构进行热退火处理后，进行碳化处理形成碳填充的沟道通孔和共源极阵列、及覆盖所述主体结构上表面的碳膜；去除所述碳膜。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述待填充区域中旋涂聚丙烯腈溶液，并在所述主体结构的上表面形成聚丙烯腈薄膜之前，还包括：将前体聚丙烯腈在小于200度的温度下连续搅拌形成有机聚丙烯腈溶液。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过旋涂机旋涂聚丙烯腈溶液时，旋涂机的最低转速为100～500转/分钟，最高转速为500～1500转/分钟。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖莉红，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42