半导体激光器的封装结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种半导体激光器的封装结构，其包括热沉、设置于所述热沉顶部的导电层及设置于所述导电层上的半导体激光器和过渡电极，所述半导体激光器、所述过渡电极均与所述导电层电性连接，所述热沉包括第一导热层、第二导热层及位于所述第一导热层与所述第二导热层之间的至少一层第三导热层。本实用新型专利技术提供的半导体激光器的封装结构包括热沉，所述热沉包括第一导热层、第二导热层及位于所述第一导热层与所述第二导热层之间的至少一层第三导热层，通过所述热层可以有效的对半导体激光器进行散热，提升半导体激光器的性能。

Encapsulation structure of semiconductor laser

The utility model provides a packaging structure of semiconductor laser, the semiconductor laser is arranged in the heat sink top sink, heat conductive layer and is arranged on the conductive layer and the transition electrode, the semiconductor laser, the transition electrode are connected with the conductive layer is electrically connected with the heat. Sink includes a first heat conduction between the heat conducting layer and the second layer, the first conductive layer and the second conductive layer and at least one layer of heat conduction layer third. The package includes heat sink structure semiconductor laser provided by the utility model, the heat sink includes a first conductive layer, between second and the heat conduction layer disposed on the first conductive layer and the second conductive layer and at least one layer of third conductivity layer through the heat conductor layer can effectively on laser cooling, performance improvement semiconductor laser.

【技术实现步骤摘要】
半导体激光器的封装结构
本技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体激光器的封装结构。
技术介绍
半导体激光器以其体积小、重量轻、电压低、功率大等特点被广泛应用在光纤通信、光电集成、光盘存储、泵浦光源、大气环境检测、痕量有毒气体分析及分子光谱学等与人类生活息息相关的诸多领域。其中，部分领域对于半导体激光器的输出功率有着更高的要求。通常情况下，增大半导体激光器的脊宽和增大工作电流是提高输出功率的最直接的方式，但是，与此同时也会导致半导体激光器有源区在工作时温度的升高。半导体激光器在工作时的温度对其阈值电流密度、斜率效率和光谱稳定性等有显著影响，发光区过热会导致发光区腔面损伤甚至是器件退化，最终造成器件失效，因此，需要有效地进行散热。
技术实现思路
为了解决上述问题，本技术提出一种半导体激光器的封装结构，能够有效地对半导体激光器进行散热。本技术提出的具体技术方案为：提供一种半导体激光器的封装结构，所述封装结构包括热沉、设置于所述热沉顶部的导电层及设置于所述导电层上的半导体激光器和过渡电极，所述半导体激光器、所述过渡电极均与所述导电层电性连接，所述热沉包括第一导热层、第二导热层及位于所述第一导热层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体激光器的封装结构，其特征在于，包括热沉、设置于所述热沉顶部的导电层及设置于所述导电层上的半导体激光器和过渡电极，所述半导体激光器、所述过渡电极均与所述导电层电性连接，所述热沉包括第一导热层、第二导热层及位于所述第一导热层与所述第二导热层之间的至少一层第三导热层。

【技术特征摘要】
1.一种半导体激光器的封装结构，其特征在于，包括热沉、设置于所述热沉顶部的导电层及设置于所述导电层上的半导体激光器和过渡电极，所述半导体激光器、所述过渡电极均与所述导电层电性连接，所述热沉包括第一导热层、第二导热层及位于所述第一导热层与所述第二导热层之间的至少一层第三导热层。2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一导热层和所述第二导热层的材质均为钨铜合金，和/或所述第三导热层的材质为铝碳化硅、铝碳、碳化硅或铝硅。3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括设置于所述热沉内的水冷通道，所述水冷通道包括分别用于与循环水冷源连接的进口和出口。4.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述水冷通道...

【专利技术属性】
技术研发人员：李丰，黄伟，张巍巍，杨立梅，
申请(专利权)人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，
类型：新型
国别省市：江苏,32