多驱动引脚集成电路结构及其形成方法技术

本发明专利技术的实施例公开了一种集成电路IC结构，包括在驱动引脚层处且定向在驱动引脚方向上的多个驱动引脚。多金属段层阵列中的每层包括定向在层方向上的两个平行的金属段。最低层的层方向与驱动引脚方向垂直，并且每个附加层的层方向与直接位于该附加层下方的层的层方向垂直。IC结构还包括多个通孔阵列，每个通孔阵列包括两个通孔，这两个通孔设置在相应覆盖层的一个或多个金属段与以下一个或多个重叠的位置处：直接位于通孔阵列下方的层中的两个金属段和多个驱动引脚中。本发明专利技术的实施例还提供了一种形成集成电路结构的方法。

The structure of multi drive pin integrated circuit and its formation method

An embodiment of the present invention discloses an integrated circuit IC structure, which includes a plurality of driving pins at the driving pin layer and directed in the direction of the driving pin. Each layer in a polymetallic layer array consists of two parallel metal segments directed in the direction of the layer. The layer direction of the lowest layer is perpendicular to the direction of the driving pin, and the layer direction of each additional layer is perpendicular to the layer direction directly below the additional layer. The IC structure also comprises a plurality of through holes array, each hole array consists of two holes, the two hole in one or more sections of the respective metal cover layer and one or more of the following overlapping position: two metal section is located directly below the hole array in the layer and a plurality of drive pin. The embodiment of the invention also provides a method for forming an integrated circuit structure.

【技术实现步骤摘要】
多驱动引脚集成电路结构及其形成方法
本专利技术的实施例总体涉及半导体领域，更具体地，涉及多驱动引脚集成电路结构及其形成方法。
技术介绍
在许多集成电路(IC)中，网格提供了驱动引脚与远离驱动引脚的接收引脚之间的电连接。通常使用在驱动引脚和接收引脚之上的金属层来对网格进行布线以避免在驱动引脚和接收引脚之间的其他电路元件。因为信号延迟和对电迁移的敏感性都受网格电阻的影响，所以有时使用比通过一组默认规则限定的那些宽度更宽的金属宽度来对网格进行布线，从而减少网格电阻。与根据那套默认规则布线的网格相比，这种网格元件的非默认规则(NDR)布线导致要求面积增大，特别是如果NDR布线应用于整个网格的情况下。
技术实现思路
根据本专利技术的一个方面，提供了一种集成电路IC结构，包括：多个驱动引脚，所述多个驱动引脚中的每个驱动引脚均设置在驱动引脚层处并且定向在共同的驱动引脚方向上；多金属段层阵列，所述多金属段层阵列中的每层均包括定向在层方向上的两个平行的金属段，其中，所述多金属层段阵列中的最底层的层方向与所述驱动引脚方向垂直，和所述多金属段层阵列中的每个附加层的层方向均与直接位于所述多金属段层阵列的所述附加层下方的所述多金属段层阵列中的一层的层方向垂直；以及多个通孔阵列，所述多个通孔阵列中的每个通孔阵列均包括两个通孔，所述两个通孔设置在所述多金属段层阵列中的相应覆盖层的一个或多个金属段与以下的一个或多个重叠的位置处：所述多金属段层阵列中直接位于所述通孔阵列下方的一层中的两个金属段，和所述多个驱动引脚。根据本专利技术的另一方面，提供了一种集成电路IC结构，包括：第一多个驱动引脚和第二多个驱动引脚，所述第一多个驱动引脚中的每个驱动引脚和所述第二多个驱动引脚中的每个驱动引脚均设置在驱动引脚层处并且定向在共同的驱动引脚方向上；多金属段层阵列，所述多金属段层阵列中的每一层均包括第一金属段阵列和第二金属段阵列，所述金属段阵列中的每个金属段阵列均包括定向在层方向上的两个平行的金属段；其中，所述多金属段层阵列中的最底层的层方向与所述驱动引脚方向垂直，和所述多金属段层阵列中的每个附加层的层方向与直接位于所述多金属段层阵列的所述附加层下方的所述多金属段层阵列中的一层的层方向垂直；第一多个通孔阵列，所述第一多个通孔阵列中的每个通孔阵列均包括两个通孔，所述两个通孔设置在与所述多金属段层阵列中的相应的覆盖层的所述第一金属段阵列中的一个或多个金属段与以下的一个或多个重叠的位置处：所述多金属段层阵列中的直接位于所述第一多个通孔阵列中的通孔阵列下方的层中的所述第一多个金属段阵列中的两个金属段，和所述第一多个驱动引脚；以及第二多个通孔阵列，所述第二多个通孔阵列中的每个通孔阵列均包括两个通孔，所述两个通孔设置在所述多金属段层阵列中的所述相应的覆盖层的所述第二金属段阵列中的一个或多个金属段与以下的一个或多个重叠的位置处：所述多金属段层阵列中直接位于所述第二多个通孔阵列中的所述通孔阵列下方的层中的所述第二金属段阵列中的两个金属段，和所述第二多个驱动引脚。根据本专利技术的又一方面，提供了一种形成集成电路结构的方法，所述方法包括：在第一驱动引脚和第二驱动引脚上方形成第一通孔阵列，所述第一驱动引脚和所述第二驱动引脚平行地设置在驱动引脚层处，其中，所述第一通孔阵列包括与所述第一驱动引脚接触的第一多个通孔，以及与所述第二驱动引脚接触的第二多个通孔；在所述第一通孔阵列上方形成第一多个金属段，其中，所述第一多个金属段中的每个金属段定向为与所述第一驱动引脚和所述第二驱动引脚垂直并且接触所述第一多个通孔中的通孔和所述第二多个通孔中的通孔；在所述第一多个金属段上方形成第二通孔阵列，其中，所述第二通孔阵列中的每个通孔均接触所述第一多个金属段中的金属段；在所述第二通孔阵列上方形成第二多个金属段，其中，所述第二多个金属段中的每个金属段均定向为与所述第一多个金属段中的金属段垂直并且接触所述第二通孔阵列中的多个通孔；在比所述第二多个金属段的层更高的顶层处形成第一对顶层通孔；以及在所述第一对顶层通孔之上形成第一布线线路，所述第一布线线路与所述第一对顶层通孔接触，从而建立从所述第一布线线路至所述第一驱动引脚和所述第二驱动引脚的电连接，其中，形成所述第一多个金属段中的每一金属段和所述第二多个金属段中的每一金属段包括根据一组默认规则形成金属段，以及形成所述第一布线线路包括形成具有大于由所述一组默认规则限定的宽度的宽度的所述第一布线线路。附图说明本专利技术的一个或多个实施例的细节在以下附图和描述中进行陈述。根据说明书、附图和权利要求书，其他特征和优点是明显的图1A和1B是根据一些实施例的单元的图。图2A和2B是根据一些实施例的单元的图。图3是根据一些实施例的IC结构的图。图4A和4B是根据一些实施例的IC结构的图。图5是根据一些实施例的网格结构的图。图6是根据一些实施例的IC结构的图。图7是根据一些实施例的IC结构的图。图8是根据一些实施例的形成IC结构的方法的流程图。图9是计算机或基于处理器的系统的功能框图，至少一个实施例基于或通过该系统来实施。不同附图中的相同的参考标号指代相同的元件。具体实施方式下文详细公开了附图中示出的实施例或实例。当然，这些仅是实例并不旨在限制。在所公开的实施例中的任何更好或修改以及在本文件中公开的原理的任何进一步应用被认为对本领域普通技术人员来说通常会发生。在各种实施例中，至少一个多个驱动引脚通过金属段和通孔的网孔阵列在相邻层的金属段重叠的地方电连接IC网格结构。网格阵列配置允许使用相对较低阻抗的网格结构将多个驱动引脚与接收引脚电连接，网格结构包括具有基于一组默认规则的宽度的金属段。图1A和1B是根据一些实施例的单元100的示意图。图1A是基于单元100的顶视或者平面视图的示意图。图1B是基于单元100沿线A-A’的截面视图的示意图。单元100包括驱动引脚(pin)110、驱动引脚120、接收引脚130、电介质140、一个或多个功能电路元件160以及功能电路连接件170。驱动引脚方向150和与驱动引脚方向150垂直的对准方向155在图1A中示出。如图1B所示，驱动引脚110和120、接收引脚130和电介质140设置在驱动引脚层(level)180，以及一个或多个功能电路元件160和功能电路元件170设置在驱动引脚层180下方的功能电路层190。驱动引脚层180是IC设置在衬底(未示出)之上以及一个或多个互连层之下的部分。驱动引脚层180包括被配置为提供衬底与上覆的金属互连件之间的电连接的一个或多个金属层以及一个或多个介电层。在一些实施例中，驱动引脚层180包括一个或多个通孔层。在一些实施例中，驱动引脚层180包括IC工艺中的金属1层。在一些实施例中，驱动引脚层180包括IC工艺中的金属2层。功能电路层190是IC中包括衬底以及形成在衬底上和/或内的部分并且被配置为形成功能器件。功能电路层190包括一个或多个导电层和一个或多个介电层。一个或多个导电层包括金属层和多晶硅层中的一个或多个。在一些实施例中，单元100是IC(未示出)的模块化部件。在一些实施例中，单元100表示IC在驱动引脚层180具有驱动引脚110和120的另一部分。驱动引脚110和驱动引脚120是平行设置在驱动引脚层18本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路IC结构，包括：多个驱动引脚，所述多个驱动引脚中的每个驱动引脚均设置在驱动引脚层处并且定向在共同的驱动引脚方向上；多金属段层阵列，所述多金属段层阵列中的每层均包括定向在层方向上的两个平行的金属段，其中，所述多金属层段阵列中的最底层的层方向与所述驱动引脚方向垂直，和所述多金属段层阵列中的每个附加层的层方向均与直接位于所述多金属段层阵列的所述附加层下方的所述多金属段层阵列中的一层的层方向垂直；以及多个通孔阵列，所述多个通孔阵列中的每个通孔阵列均包括两个通孔，所述两个通孔设置在所述多金属段层阵列中的相应覆盖层的一个或多个金属段与以下的一个或多个重叠的位置处：所述多金属段层阵列中直接位于所述通孔阵列下方的一层中的两个金属段，和所述多个驱动引脚。

【技术特征摘要】
2016.08.05 US 15/229,2641.一种集成电路IC结构，包括：多个驱动引脚，所述多个驱动引脚中的每个驱动引脚均设置在驱动引脚层处并且定向在共同的驱动引脚方向上；多金属段层阵列，所述多金属段层阵列中的每层均包括定向在层方向上的两个平行的金属段，其中，所述多金属层段阵列中的最底层的层方向与所述驱动引脚方向垂直，和所...

【专利技术属性】
技术研发人员：余基业，陈文豪，侯元德，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71