In this paper, a semiconductor device with a modified current distribution and its formation method are described. For example, the bare pieces of memory contact with the logical bare pieces can be configured to draw the total electric flow from the current source. The memory chip can include multiple TSV across the substrate path, which is formed in the memory chip and configured to supply the total current quantity from the current source to the memory die. The memory sheet may contain at least two interconnected contacts associated with the first TSV closer to the current source. The memory chip can contain electrical connections between at least two interconnected contacts, which are associated with distance from the first TSV to second TSV farther from the current source.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有经修改后电流分布的半导体装置
本专利技术大体上涉及具有经修改后电流分布的半导体装置及其形成方法。
技术介绍
半导体装置可用于各种电子应用中,例如个人计算机、移动电话、数码相机及其它电子装置。各种半导体装置(例如,存储器裸片)使用贯穿衬底通路(TSV),所述TSV是可提供穿过半导体装置(例如,举例来说硅晶片或裸片)的电连续性的导电通路。TSV可使得两个或两个以上集成电路(IC)装置能够垂直堆叠成一个三维(3D)芯片堆叠。例如,堆叠的顶部处的IC装置的TSV可连接到所述堆叠下部的IC装置的TSV。通过电连接堆叠中的IC装置,所述TSV可能够使得所述堆叠中的所述IC装置充当单个装置。TSV技术可使得3D芯片堆叠能够具有增加的连接性、带宽及/或功能性而除其它优势外还占据小占据面积。此外,连接3D芯片堆叠以提供足够功率且磨损寿命是具有挑战性的。附图说明图1是根据本专利技术的数个实施例的半导体裸片组合件的实例。图2是通过TSV将电流提供到半导体装置的实例。图3是根据本专利技术的数个实施例的半导体装置的实例。图4是根据本专利技术的数个实施例的具有经修改后电流分布的半导体装置的实例。具体实施方式本文描述具有经修改后电流分布的半导体装置及其形成方法。例如,存储器裸片可位于逻辑裸片的顶部上且与所述逻辑裸片接触。所述存储器裸片可经配置以从电流源汲取电流量。所述存储器裸片可包含形成于所述存储器裸片中且经配置以将电流量从电流源提供到所述存储器裸片的多个贯穿衬底通路(TSV)(例如,穿硅通路)。所述存储器裸片可包含与更靠近电流源的第一TSV相关联的未连接的至少两个互连接触件。所述 ...
【技术保护点】
一种半导体装置,其包括:逻辑裸片;存储器裸片,其与所述逻辑裸片接触且经配置以从电流源汲取总电流量,其中所述存储器裸片包含:多个贯穿衬底通路TSV,其形成于所述存储器裸片中且经配置以将所述总电流量的部分从所述电流源提供到所述存储器裸片;至少两个互连接触件,其与更靠近所述电流源的第一TSV相关联,未经连接;及至少两个互连接触件之间的电连接,所述至少两个互连接触件与在距离上比所述第一TSV离所述电流源更远的第二TSV相关联。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.05.29 US 14/726,0051.一种半导体装置,其包括:逻辑裸片;存储器裸片,其与所述逻辑裸片接触且经配置以从电流源汲取总电流量,其中所述存储器裸片包含:多个贯穿衬底通路TSV,其形成于所述存储器裸片中且经配置以将所述总电流量的部分从所述电流源提供到所述存储器裸片;至少两个互连接触件,其与更靠近所述电流源的第一TSV相关联,未经连接;及至少两个互连接触件之间的电连接,所述至少两个互连接触件与在距离上比所述第一TSV离所述电流源更远的第二TSV相关联。2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中与所述第一TSV相关联的所述至少两个互连接触件之间的电阻大于所述电连接的电阻。3.根据权利要求1所述的半导体装置,其中通过电力总线将所述电流量提供到裸片上电路。4.根据权利要求1所述的半导体装置,其中:由所述存储器裸片汲取的所述电流量在所述多个TSV中被分配;且根据半导体工艺形成的导线,所述导线经设定尺寸且经连接以将通过所述多个TSV中的每一者的电流维持在特定阈值电流之下。5.根据权利要求4所述的半导体装置,其中所述特定阈值电流低于13mA的电流。6.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的半导体装置,其中所述第一TSV经由所述互连接触件耦合到裸片上电路。7.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的半导体装置,其中所述存储器裸片堆叠于额外存储器裸片上,其中额外多个TSV延伸通过所述额外存储器裸片且对准到延伸通过所述存储器裸片的所述多个TSV中的每一者。8.根据权利要求7所述的半导体装置,其中:与关联于所述多个TSV中的第一组TSV的第一组互连接触件及关联于所述额外多个TSV中离所述电流源有更靠近的物理距离的第二组TSV的第二组互连接触件相关联的至少两个互连接触件未经连接;且与所述多个TSV中的第三组TSV相关联的第三组互连接触件及与所述额外多个TSV中比所述第一组离所述电流源有更远的距离的第四组TSV相关联的第四组互连接触件经连接。9.根据权利要求8所述的半导体装置,其中所述额外多个TSV的TSV之间的电连接的宽度比离所述电流源更远的TSV窄。10.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的半导体装置,其进一步包括:第一导线,其位于以下两者之间:第一TSV,其具有离所述电流源的第一距离且与所述多个TSV相关联;及所述存储器裸片的电路;且其中所述第一导线具有比第二导线更窄的宽度,所述第二导线连接到离所述电流源有更远物理距离的第二TSV。11.根据权利要求10所述的半导体装置,其中所述第一导线的长度及宽度经制作使得所述第一导线的电阻等同于所述第二导线的电阻。12.一种形成半导体装置的方法,其包括:形成与更靠近电流源的第一贯穿衬底通路TSV相关联的未经连接的至少两个...
【专利技术属性】
技术研发人员:梅时中,维克托·王,杰弗里·P·莱特,
申请(专利权)人:美光科技公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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