制造一半导体元件的方法技术

制造一半导体元件的方法。一光致抗蚀剂层涂布在一晶片上，该光致抗蚀剂层包含一含金属材料。对该光致抗蚀剂层进行极紫外线(extreme ultraviolet，EUV)光刻工艺，以形成一图案化光致抗蚀剂。以一洗净液洗净该晶片，以移除该含金属材料。该洗净液包含一溶剂，该溶剂的汉森溶解度参数(Hansen solubility parameters)delta D在13至25之间、delta P在3至25之间、及delta H在4至30之间。该溶剂含有一酸解离常数小于4的酸，或是含有一酸解离常数大于9的碱。

A method of making half conductor components

A method of making half a conductor element. A photoinduced anticorrosive layer is coated on a wafer. The photoinduced corrosion inhibitor layer contains a metal containing material. The photoresist layer for extreme ultraviolet (extreme ultraviolet, EUV) lithography process to form a patterned photoresist. Wash the chip with a cleaning solution to remove the metallic material. The cleaning liquid contains a solvent, the solubility parameter of the solvent Hansen (Hansen solubility parameters delta) D between 13 and 25 Delta P between 3 and 25 and delta H in 4 to 30 between. The solvent contains an acid with an acid dissociation constant less than 4, or a alkali containing an acid dissociation constant greater than 9.

【技术实现步骤摘要】
制造一半导体元件的方法
本公开实施例涉及半导体制造的
，尤其涉及一种光刻工艺。
技术介绍
半导体集成电路产业经历快速成长，而集成电路材料与设计的技术进步，促使许多集成电路世代的诞生，每一世代均较前一世代更小、更复杂。然而，这些进步亦增加集成电路工艺的复杂度，而为实现此等进步，亦需要在集成电路工艺上进行类似的开发。在集成电路发展过程中，功能密度(亦即，每一芯片面积的互连元件的数量)已广泛提升，而几何尺寸大小(亦即，能使用工艺制作的最小组件(或线路))则减小。因此，对于能够解决上述缺点的光刻工艺仍有其需求。由于半导体元件尺寸持续缩减，例如小于20纳米(nanometer,nm)节点，传统光刻技术有其光学上限制，其所生分辨率上的问题，可能致使无法达成所欲的光刻效果。相对地，极紫外线(extremeultraviolet，EUV)光刻则能达成非常小的元件尺寸。然而，传统EUV光刻仍存有缺点。例如，关于EUV光吸收及/或含金属材料所导致的污染等缺点，因而可能累及或减损半导体制造的绩效。所以，现有EUV光刻的系统与操作方法虽然能一般性地符合其目的，但在各方面仍尚未完全满足。
技术实现思路
本公本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造一半导体元件的方法，包括：使用一溶剂以冲洗一晶片，其中，该晶片因该溶剂冲洗致增加疏水性；在以该溶剂冲洗该晶片后，形成一含金属材料在该晶片之上；进行一次或多次光刻工艺，且至少部分使用此含金属材料；以及在进行该一次或多次光刻工艺过程中或之后，移除该含金属材料，其中，该晶片疏水性的增加，会促进含金属材料的移除。

【技术特征摘要】
2016.08.05 US 62/371,324;2016.11.15 US 15/351,529;1.一种制造一半导体元件的方法，包括：使用一溶剂以冲洗一晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：訾安仁，郑雅如，张庆裕，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71