The invention discloses a pattern transfer method, including: the lithography process part of dissolved metal deposition in oxide film layer, to mask the target pattern transferred to a soluble metal oxide film layer; coated PMMA, with not being dissolved metal layer covering the area and part of area coverage the oxidation film layer can dissolve metal layer are formed in the PMMA layer of oxide film layer; by reactive ion etching, which can dissolve PMMA layer on the metal layer is completely etched to expose the dissolved metal layer, oxide film layer is not soluble metal layer covering the area on the left PMMA layer; corrosion go to the oxide film layer on the metal layer can be dissolved, to dissolve metal layer on the target pattern is not transferred to the PMMA layer can be dissolved metal layer covering the region; with target graphics PMMA layer from oxidation The film is stripped on the film layer. The invention solves the technical problems in the existing technology, which are difficult to process in the small processing surface of semiconductors or in the non flat processing area.
【技术实现步骤摘要】
一种图形转移方法
本专利技术涉及半导体制造领域,尤其涉及一种图形转移方法。
技术介绍
近些年来,随着高精尖技术的不断发展,半导体工艺的加工平台也越来越多,在半导体工艺中要实现图形转移有很多方法,例如:紫外曝光、激光直写、电子束光刻以及聚焦离子束加工等等。随着某些特殊平台的出现,加工难度越来越大。例如要在光纤端面上实现图形转移,由于光纤端面的加工区域很小且光纤自身又极其容易断裂,再加上光纤如何固定的问题,导致传统工艺很难甚至无法对其进行加工,又如一些非平整的加工平台(如凹凸不平的曲面)进行加工就更难了。
技术实现思路
本专利技术实施例通过提供一种图形转移方法,解决了现有技术中在半导体小加工面或者非平整加工区域加工难度大的技术问题。本专利技术实施例通过提供的一种图形转移方法,包括:在晶圆衬底表面形成氧化薄膜层;通过光刻工艺沉积可溶解金属于所述氧化薄膜层上的部分区域,以将掩模版上的目标图形转移至所述氧化薄膜层上的可溶解金属层;涂覆PMMA聚甲基丙烯酸甲酯,以在所述氧化薄膜层上未被所述可溶解金属层覆盖的区域和覆盖所述氧化薄膜层上部分区域的可溶解金属层上均形成PMMA层;通过反应离子刻蚀,以使所述可溶解金属层上的PMMA层被完全刻蚀以露出所述可溶解金属层,以及所述氧化薄膜层上未被所述可溶解金属层覆盖的区域上留有PMMA层;腐蚀去所述氧化薄膜层上的可溶解金属层,以将所述可溶解金属层上的目标图形转移至未被所述可溶解金属层覆盖的区域上的PMMA层;将带有目标图形的PMMA层从所述氧化薄膜层上剥离。可选的,在所述将带有目标图形的PMMA层从所述氧化薄膜层上剥离之后,所述方法还包 ...
【技术保护点】
一种图形转移方法,其特征在于,包括:在晶圆衬底表面形成氧化薄膜层;通过光刻工艺形成可溶解金属层于所述氧化薄膜层上的部分区域,以将掩模版上的目标图形转移至所述氧化薄膜层上的可溶解金属层;涂覆PMMA聚甲基丙烯酸甲酯,以在所述氧化薄膜层上未被所述可溶解金属层覆盖的区域和覆盖所述氧化薄膜层上部分区域的可溶解金属层上均形成PMMA层;通过反应离子刻蚀,以使所述可溶解金属层上的PMMA被完全刻蚀以露出所述可溶解金属层,以及所述氧化薄膜层上未被所述可溶解金属层覆盖的区域上留有PMMA层;腐蚀去所述氧化薄膜层上的可溶解金属层,以将所述可溶解金属层上的目标图形转移至未被所述可溶解金属层覆盖的区域上的PMMA层;将带有目标图形的PMMA层从所述氧化薄膜层上剥离。
【技术特征摘要】
1.一种图形转移方法,其特征在于,包括:在晶圆衬底表面形成氧化薄膜层;通过光刻工艺形成可溶解金属层于所述氧化薄膜层上的部分区域,以将掩模版上的目标图形转移至所述氧化薄膜层上的可溶解金属层;涂覆PMMA聚甲基丙烯酸甲酯,以在所述氧化薄膜层上未被所述可溶解金属层覆盖的区域和覆盖所述氧化薄膜层上部分区域的可溶解金属层上均形成PMMA层;通过反应离子刻蚀,以使所述可溶解金属层上的PMMA被完全刻蚀以露出所述可溶解金属层,以及所述氧化薄膜层上未被所述可溶解金属层覆盖的区域上留有PMMA层;腐蚀去所述氧化薄膜层上的可溶解金属层,以将所述可溶解金属层上的目标图形转移至未被所述可溶解金属层覆盖的区域上的PMMA层;将带有目标图形的PMMA层从所述氧化薄膜层上剥离。2.如权利要求1所述的图形转移方法,其特征在于,在所述将带有目标图形的PMMA层从所述氧化薄膜层上剥离之后,所述方法还包括:将所述带有目标图形的PMMA层对准贴合在待加工的光纤端面或非平整待加工面上;隔着所述带有目标图形的PMMA层在所述光纤端面或非平整待加工面上沉积导电金属,以将所述目标图转移至所述光纤端面上或非平整待加工面上;从所述光纤端面上或非平整待加工面上去除所述带有目标图形的PMMA层。3.如权利要求2所述的图形转移方法,其特征在于,所述晶圆衬底为硅片衬底,所述氧化薄膜层为二氧...
【专利技术属性】
技术研发人员:符庭钊,王欢,崔绍晖,李超波,夏洋,
申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所,
类型:发明
国别省市:北京,11
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