一种单层芯片电容器的制备方法及单层芯片电容器技术

本发明专利技术提供一种单层芯片电容器的制备方法及单层芯片电容器，属于电子科技技术领域。该单层芯片电容器的制备方法包括以下步骤：检查基片外观和吸水率检查；清洗陶瓷基片；对基片烧成；溅射基片，同时实时在线监测；冷却；热处理；切割金属化后的陶瓷基片；分选；对产品进行100％温度冲击和电压处理筛选；将产品装盒、包装。通过上述制备方法制作而成的单层芯片电容器，极大地提高了电容器产品的合格率和可靠性，满足宇航级产品使用。

A single chip capacitor preparation method and single chip capacitor

The invention provides a preparation method of a single-layer chip capacitor and a single-layer chip capacitor, which belongs to the field of electronic technology and technology. Preparation method of the single chip capacitor comprises the following steps: check the appearance of substrate and water absorption test; cleaning ceramic substrate; the substrate sintering; sputtering substrate, at the same time, real-time online monitoring; cooling; heat treatment; cutting ceramic substrate after metallization; separation; 100% temperature shock and voltage screening of processing products; product packaging, packaging. The single chip capacitor made by the above preparation method greatly improves the qualification rate and reliability of capacitor products, and meets the needs of aerospace grade products.

【技术实现步骤摘要】
一种单层芯片电容器的制备方法及单层芯片电容器
本专利技术涉及电子科技
，尤其涉及一种单层芯片电容器的制备方法及单层芯片电容器。
技术介绍
微波单层芯片电容器广泛应用在在电子对抗、雷达、导航、制导和卫星通讯等方面，具有量大面广的特点。随着技术的进步，宇航设备对微波单层芯片电容器的质量可靠性提出了更高的要求。目前普通方法制备的微波单层芯片电容器普遍存在失效率高、合格率低、可靠性低的缺陷，特别是制备过程中陶瓷制备气孔缺陷、陶瓷金属化过程附着力小和切割过程带来基体机械损伤等缺陷，严重影响了产品的可靠性，已不能满足宇航器的试用要求。因此，基于上述生产缺陷，设计一种能够提高电容器产品的合格率和可靠性的制备方法对于广大的单层芯片电容器的制造商们来说具有极为重大的现实意义。
技术实现思路
本专利技术的目的之一在于提供一种单层芯片电容器，此单层芯片电容器旨在解决现有技术中单层芯片电容器的制备过程中存在的上述问题；本专利技术的另一目的在于提供一种单层芯片电容器的制备方法，此单层芯片电容器的制备方法旨在解决现有技术中单层芯片电容器的制备过程中存在的上述问题。为实现上述目的，本专利技术的技术方案是：一种单本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单层芯片电容器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，基片外观检查和吸水率检测；步骤二，对陶瓷基片进行清洗；步骤三，对基片烧成；将放有基片的载片放入高温炉中烧成，烧成温度为(600±100)℃，保温时间为(60±30)min；步骤四，将清洗好的基片放置在溅射机内；设置溅射参数，对溅射机进行腔体加热；基片采用自转和公转方式，采用直流溅射的方式进行溅射，同时采用在线监测系统，实时监测溅射膜厚；先溅射过渡层钛钨合金靶材，再溅射Ni靶材，然后溅射Au靶材；步骤五，关掉加热装置，随炉冷却至少8h后，将基片取出；步骤六，热处理，将溅射好的基片进行真空热处理；步骤七，切割金属化后的陶瓷基片；步骤八...

【技术特征摘要】
1.一种单层芯片电容器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，基片外观检查和吸水率检测；步骤二，对陶瓷基片进行清洗；步骤三，对基片烧成；将放有基片的载片放入高温炉中烧成，烧成温度为(600±100)℃，保温时间为(60±30)min；步骤四，将清洗好的基片放置在溅射机内；设置溅射参数，对溅射机进行腔体加热；基片采用自转和公转方式，采用直流溅射的方式进行溅射，同时采用在线监测系统，实时监测溅射膜厚；先溅射过渡层钛钨合金靶材，再溅射Ni靶材，然后溅射Au靶材；步骤五，关掉加热装置，随炉冷却至少8h后，将基片取出；步骤六，热处理，将溅射好的基片进行真空热处理；步骤七，切割金属化后的陶瓷基片；步骤八，分选；步骤九，对产品进行100％温度冲击和电压处理筛选；步骤十，将产品装盒、包装。2.根据权利要求1所述的单层芯片电容器的制备方法，其特征在于：所述步骤一中的介质陶瓷基片的吸水率为0.08％～0.35％。3.根据权利要求1所述的单层芯片电容器的制备方法，其特征在于：所述步骤二中的超声波清洗机中进行清洗的清洗剂的浓度为5％。4.根据权利要求1所述的单层芯片电容器的制备方法，其特征在于：所述步骤四中对溅射机进行腔体加热的温度为150℃～400℃。5.根据权利要求1所述的单层芯片电容器的制备方法，其特征在于：所述步骤四中的溅射过渡层钛钨合金靶材的真空度为9.0×10-3～1.0×10-5pa，溅射功率为200W～600W，溅射时间为100s～6...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘剑林，李胜，王利凯，韩玉成，严勇，潘甲东，尚超红，温占福，魏栩曼，
申请(专利权)人：中国振华集团云科电子有限公司，
类型：发明
国别省市：贵州,52