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本发明提供一种单层芯片电容器的制备方法及单层芯片电容器，属于电子科技技术领域。该单层芯片电容器的制备方法包括以下步骤：检查基片外观和吸水率检查；清洗陶瓷基片；对基片烧成；溅射基片，同时实时在线监测；冷却；热处理；切割金属化后的陶瓷基片；分选...
该专利属于中国振华集团云科电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中国振华集团云科电子有限公司授权不得商用。

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