一种瓷介电容器绝缘边的处理方法技术

本发明专利技术公开了一种瓷介电容器绝缘边的处理方法，包括以下步骤：步骤1，计算陶瓷基板的实际介电常数，再通过实际的介电常数计算电极尺寸，实现电容量的调节；步骤2，用第一刀片进行绝缘边的切割，切割深度要在金属层下；步骤3，用第二刀片沿绝缘边中心切割成单粒电容器，该处理方法得到的瓷介电容器绝缘边线条清晰、明显、直线度好；并且绝缘边无残留金属，可以达到绝缘的作用；提高生产效率、降低成本、减少对环境的污染。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电子元器件制作领域，具体涉及一种瓷介电容器绝缘边的处理方法。
技术介绍
现有技术多采用光刻制作绝缘边型产品，如图1所示，光刻法制备含绝缘边产品时，在电极尺寸固定和陶瓷基片介电常数不变的情况下，根据平板电容器计算公式C＝εS/d，产品的电容量是固定的，无法实现调节；并且光刻法制备的产品绝缘边不平整，因为刻蚀时间无法精准把控直接会影响到产品边缘的平整度；而且绝缘边有残留的金颗粒，因为陶瓷基片表面凹凸不平，刻蚀时反应速率不同，陶瓷基片凹下去的部位会有金属残留；所以现有技术光刻制作绝缘边型产品的缺点在于陶瓷基片在不同的刻蚀液中浸泡，对瓷体有一定的腐蚀性，电极层在刻蚀液中浸泡对附着力会有影响，键合力在5g±1g；电极尺寸固定和陶瓷基片介电常数有变化时，电容值合格率不稳定，在5％～55％之间，外观合格率较低，在40％左右，并且光刻所用的材料如光刻胶、显影液、刻蚀液、掩模板等成本过高，该材料产生的废弃溶液排放对环境造成一定的污染。
技术实现思路
专利技术目的：针对现有技术存在的问题，本专利技术提供一种瓷介电容器绝缘边的处理方法，该方法切割线条清晰、明显、直线度好并且绝缘边无残留金属。技术方案：一种瓷介电容器绝缘边的处理方法，包括以下步骤：步骤1，计算陶瓷基板的实际介电常数，再通过实际的介电常数计算电极尺寸，实现电容量的调节；步骤2，用第一刀片进行绝缘边的切割，切割深度要在金属层下；步骤3，用第二刀片沿绝缘边中心切割成单粒电容器。具体地，所述步骤1中陶瓷基板的实际介电常数以及介电常数计算电极尺寸根据电容公式C＝ε·S·K/d计算，式中C为电容，ε为未设绝缘层的电容器极板间介质的介电常数，K为静电力常量，S为电容极板间的正对面积，d为电极间的尺寸。具体地，所述步骤1中实现电容量的调节根据实际介电常数来调节制作尺寸，达到目标容值。具体地，所述步骤2中第一刀片的厚度为0.15μm。具体地，所述步骤3中第二刀片的厚度为0.03μm。具体地，所述步骤1中根据通用型单层片式瓷介电容器制作方式计算陶瓷基板的实际介电常数。有益效果：与现有技术相比，本专利技术的优点在于：1、该方法切割线条清晰、明显、直线度好，操作步骤简单、成本低；2、该方法实现电容量可调节；3、切割绝缘边无残留金属，完全达到绝缘的作用；4、可根据不同要求制作不同的电极图形，如：长方形、田字形、阵列型等；5、缩短了制作周期，提高生产效率；6、减少刻蚀液等废液的排放，降低环境污染；附图说明图1是现有技术光刻制作绝缘边型产品示意图；图2是本专利技术切割制作绝缘边产品示意图。具体实施方式下面结合附图和具体实施方式，进一步阐明本专利技术。一种瓷介电容器绝缘边的处理方法，包括以下步骤，步骤1，根据通用型单层片式瓷介电容器制作方式计算陶瓷基板的实际介电常数，再通过实际的介电常数计算电极尺寸，根据电容公式C＝ε·S·K/d计算出电容器电极间的尺寸，式中C为电容，ε为未设绝缘层的电容器极板间介质的介电常数，K为静电力常量，S为电容极板间的正对面积，d为电极间的尺寸；根据实际介电常数来调节制作尺寸，达到目标容值，实现电容量的调节；上述通用型单层片式瓷介电容器的制作，根据要求尺寸、目标容值，切割不含绝缘边的通用电容器；步骤2，用厚度为0.15μm的第一刀片进行绝缘边的切割，切割深度要在金属层下，该金属层是瓷介陶瓷面上的电极层，对瓷体的伤害达到最小(≤10μm)；步骤3，用厚度为0.03μm的第二刀片沿绝缘边中心切割成单粒电容器，单粒电容器指把大块的瓷介电容根据要求尺寸、目标容值制作成单颗电容。采用本专利技术的处理方法可以节约光刻所用材料成本，如光刻胶、显影液、刻蚀液、掩模板等，同时也就减少了废弃溶液排放对环境的污染；光刻制作含绝缘边型产品步骤繁琐，刻蚀后还需要切割，而切割制作含绝缘边产品，仅需切割即可达到目标要求；相比光刻方法制备的含绝缘边的产品，陶瓷基片不经过刻蚀液浸泡，金层的附着力没有受到影响，产品键合力不受影响，效果好。实验前，存在以下问题：第一，光刻单层片式瓷介电容器尺寸固定，在基片介电常数不稳定或精度偏差大时，合格率低。第二，光刻单层片式瓷介电容器线条精度，基片表面平整度和表面有凹凸空洞时，刻蚀的线条会有锯齿状。第三，光刻单层片式瓷介电容器刻蚀部分会有残留的金颗粒，导致产品表面外观不清晰。经实验表明光刻法制备的电容器绝缘边时，瓷介陶瓷在刻蚀液中浸泡刻蚀，对瓷体有一定的腐蚀性，电极层附着力会有影响，键合力在5g±1g；切割绝缘边方法制备的电容器，瓷介陶瓷不经过刻蚀液浸泡，金属层的附着力没有受到化学溶液浸泡，键合力在10g以上；如图2所示，电容值合格率从5％～55％之间提高到65％以上，外观合格率从40％左右提高到60％以上，节约了陶瓷基板的成本。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种瓷介电容器绝缘边的处理方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，计算陶瓷基板的实际介电常数，再通过实际的介电常数计算电极尺寸，实现电容量的调节；步骤2，用第一刀片进行绝缘边的切割，切割深度要在金属层下；步骤3，用第二刀片沿绝缘边中心切割成单粒电容器。

【技术特征摘要】
1.一种瓷介电容器绝缘边的处理方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，计算陶瓷基板的实际介电常数，再通过实际的介电常数计算电极尺寸，实现电容量的调节；步骤2，用第一刀片进行绝缘边的切割，切割深度要在金属层下；步骤3，用第二刀片沿绝缘边中心切割成单粒电容器。2.根据权利要求1所述的一种瓷介电容器绝缘边的处理方法，其特征在于：所述步骤1中陶瓷基板的实际介电常数以及介电常数计算电极尺寸根据电容公式C＝ε·S·K/d计算，式中C为电容，ε为未设绝缘层的电容器极板间介质的介电常数，K为静电力常量，S为电容极板间的正对面积，d...

【专利技术属性】
技术研发人员：王利凯，韩玉成，潘甲东，尚超红，刘剑林，严勇，张铎，
申请(专利权)人：中国振华集团云科电子有限公司，
类型：发明
国别省市：贵州;52