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本发明公开了一种瓷介电容器绝缘边的处理方法,包括以下步骤:步骤1,计算陶瓷基板的实际介电常数,再通过实际的介电常数计算电极尺寸,实现电容量的调节;步骤2,用第一刀片进行绝缘边的切割,切割深度要在金属层下;步骤3,用第二刀片沿绝缘边中心切割成...该专利属于中国振华集团云科电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中国振华集团云科电子有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种瓷介电容器绝缘边的处理方法,包括以下步骤:步骤1,计算陶瓷基板的实际介电常数,再通过实际的介电常数计算电极尺寸,实现电容量的调节;步骤2,用第一刀片进行绝缘边的切割,切割深度要在金属层下;步骤3,用第二刀片沿绝缘边中心切割成...