多层陶瓷电容器制造技术

技术编号:16921161 阅读:54 留言:0更新日期:2017-12-31 15:58
本发明专利技术涉及一种多层陶瓷电容器,其包括:一对外部电极;第一内部电极,其包含贱金属并且连接到上述外部电极中的一个;电介质层,其层叠在第一内部电极上并且包含陶瓷材料和上述贱金属;以及第二内部电极,其层叠在电介质层上,包含上述贱金属,并且连接到上述外部电极中的另一个,其中五个区域中每一个的贱金属浓度在该五个区域的贱金属浓度均值的±20%内,上述五个区域是在第一内部电极和第二内部电极之间在层叠方向上距离第一内部电极和第二内部电极50nm的两位置之间的区域的等分区域,并且上述电介质层的厚度为0.6μm或更小。

【技术实现步骤摘要】
多层陶瓷电容器
本专利技术的某方面涉及一种多层陶瓷电容器。
技术介绍
为了实现小型大容量的多层陶瓷电容器,已经减薄了电介质层并且增加了层叠层数。决定着多层陶瓷电容器的特性的电介质层的设计是重要的。例如,公开了将Ni扩散到内部电极之间距离的3%至30%以改善电容的温度特性的技术(例如,参见日本专利申请公开第10-4027号,下文称为专利文献1)。但是,在专利文献1的技术中,由于在层叠方向上贱金属未在电介质层的中央部扩散,因此,贱金属的浓度可能在层叠方向上局部较高。具有高浓度贱金属的部分使电介质层的介电常数降低。
技术实现思路
根据本专利技术的一方面,提供一种多层陶瓷电容器,其包括:一对外部电极;第一内部电极,其包含贱金属并且连接到所述一对外部电极中的一个;电介质层,其层叠在所述第一内部电极上并且包含陶瓷材料和所述贱金属;以及第二内部电极,其层叠在所述电介质层上,包含所述贱金属,并且连接到所述一对外部电极中的另一个,其中五个区域的每一个中的贱金属浓度在所述五个区域中的贱金属浓度的均值的±20%内,所述五个区域通过在层叠方向将所述电介质层的区域等分为五个而得到,所述电介质层的所述区域位于所述第本文档来自技高网...
多层陶瓷电容器

【技术保护点】
一种多层陶瓷电容器,包括:一对外部电极;第一内部电极,其包含贱金属并且连接到所述一对外部电极中的一个;电介质层,其层叠在所述第一内部电极上并且包含陶瓷材料和所述贱金属;以及第二内部电极,其层叠在所述电介质层上,包含所述贱金属,并且连接到所述一对外部电极中的另一个,其中五个区域的每一个中的所述贱金属的浓度在所述五个区域中的所述贱金属的浓度均值的±20%内,所述五个区域通过在层叠方向将所述电介质层的区域等分为五个而得到,所述电介质层的所述区域位于所述第一内部电极和所述第二内部电极之间在所述层叠方向上从与所述第一内部电极相距50nm的位置到与所述第二内部电极相距50nm的位置,且所述电介质层的厚度为...

【技术特征摘要】
2016.06.20 JP 2016-1220011.一种多层陶瓷电容器,包括:一对外部电极;第一内部电极,其包含贱金属并且连接到所述一对外部电极中的一个;电介质层,其层叠在所述第一内部电极上并且包含陶瓷材料和所述贱金属;以及第二内部电极,其层叠在所述电介质层上,包含所述贱金属,并且连接到所述一对外部电极中的另一个,其中五个区域的每一个中的所述贱金属的浓度在所述五个区域中的所述贱金属的浓度均值的±20%内,所述五个区域通过在层叠方向将所述电介质层的区域等分为五个而得到,所述电介质层的所述区域位于所述第一内部电极和所述第二内部电极之间在所述层叠方向上从与所述第一内部电极相距50nm的位置到与所述第二内部电极相距50nm的位置,且所述电介质层的厚度为0.6μm或更小。...

【专利技术属性】
技术研发人员:谷口克哉森田浩一郎龙穣岩崎誉志纪
申请(专利权)人:太阳诱电株式会社
类型:发明
国别省市:日本,JP

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