多层陶瓷电容器制造技术

技术编号:16921163 阅读:58 留言:0更新日期:2017-12-31 15:58
本发明专利技术涉及一种多层陶瓷电容器,其包括:一对外部电极;第一内部电极,其包含贱金属并且连接到上述外部电极中的一个;电介质层,其层叠在第一内部电极上并且包含陶瓷材料和上述贱金属;以及第二内部电极,其层叠在上述电介质层上,包含上述贱金属,并且连接到上述一对外部电极中的另一个,其中五个区域中每一个的贱金属浓度在该五个区域的贱金属浓度均值的±20%内,上述五个区域通过将如下区域等分成五个而获得,所述区域是在第一内部电极和第二内部电极之间在层叠方向上从与上述电介质层的第一内部电极相距50nm的位置到与上述电介质层的第二内部电极距离50nm的位置。

【技术实现步骤摘要】
多层陶瓷电容器
本专利技术的某方面涉及一种多层陶瓷电容器。
技术介绍
为了实现小型大容量的多层陶瓷电容器,已经减薄了电介质层并且增加了层叠电介质层的数量。决定着多层陶瓷电容器的特性的电介质层的设计是重要的。例如,公开了将Ni扩散到内部电极之间距离的3%至30%以改善电容的温度特性的技术(例如,参见日本专利申请公开第10-4027号)。然而,在上述技术中,由于在层叠方向上贱金属未在电介质层的中央部扩散,因此,贱金属的浓度可能在层叠方向上局部较高。具有高浓度贱金属的部分使电介质层的介电常数降低。
技术实现思路
根据本专利技术的一方面,提供一种多层陶瓷电容器,其包括:一对外部电极;第一内部电极,其包含贱金属并且连接到所述一对外部电极中的一个;电介质层,其层叠在所述第一内部电极上并且包含陶瓷材料和所述贱金属;以及第二内部电极,其层叠在所述电介质层上,包含所述贱金属,并且连接到所述一对外部电极中的另一个,其中五个区域的每一个中的贱金属浓度在所述五个区域中的贱金属浓度的均值的±20%内,所述五个区域通过在层叠方向将所述电介质层的区域等分为五个而得到,所述电介质层的所述区域位于所述第一内部电极和所述第本文档来自技高网...
多层陶瓷电容器

【技术保护点】
一种多层陶瓷电容器,包括:一对外部电极;第一内部电极,其包含贱金属并且连接到所述一对外部电极中的一个;电介质层,其层叠在所述第一内部电极上并且包含陶瓷材料和所述贱金属;以及第二内部电极,其层叠在所述电介质层上,包含所述贱金属,并且连接到所述一对外部电极中的另一个,其中五个区域的每一个中的所述贱金属的浓度在所述五个区域中的所述贱金属的浓度均值的±20%内,所述五个区域通过在层叠方向将所述电介质层的区域等分为五个而得到,所述电介质层的所述区域位于所述第一内部电极和所述第二内部电极之间在所述层叠方向上从与所述第一内部电极相距50nm的位置到与所述第二内部电极相距50nm的位置。

【技术特征摘要】
2016.06.20 JP 2016-1220031.一种多层陶瓷电容器,包括:一对外部电极;第一内部电极,其包含贱金属并且连接到所述一对外部电极中的一个;电介质层,其层叠在所述第一内部电极上并且包含陶瓷材料和所述贱金属;以及第二内部电极,其层叠在所述电介质层上,包含所述贱金属,并且连接到所述一对外部电极中的另一个,其中五个区域的每一个中的所述贱金属的浓度在所述五个区域中的所述贱金属的浓度均值的±20%内,所述五个区域通过在层叠方向将所述电介质层的区域等分为五个而得到,所述电介质层的所述区域位于所述第一内部电极和所述第二内部电极之间在所述层叠方向上从与所述第一内部电极相距50nm的位置到与所述第二内部电极相距50nm的位置。2.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员:森田浩一郎龙穣谷口克哉岩崎誉志纪
申请(专利权)人:太阳诱电株式会社
类型:发明
国别省市:日本,JP

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