一种小尺寸倒装LED芯片版图布局结构制造技术

本实用新型专利技术涉及芯片结构，尤其是一种小尺寸倒装LED芯片版图布局结构。一种小尺寸倒装LED芯片电极版图布局结构，包括P电极焊点、N电极焊点、N电极电流扩展电极、P电极电流扩展电极、LED芯片发光区；芯片为长方形，所述N电极电流扩展电极横向设置在芯片上边缘，所述P电极电流扩展电极横向设置在芯片靠近中部的位置处，P电极电流扩展电极的长度小于N电极电流扩展电极的长度，所述P电极焊点设置在芯片左侧，所述N电极焊点设置在芯片右侧。本实用新型专利技术解决了背景技术中存在的缺陷，本实用新型专利技术的版图布局结构做出的LED芯片电流扩展好，分布均匀，电性较好，发光均匀，亮度高，可靠性好，寿命长。

A small size inverted LED chip layout structure

The utility model relates to a chip structure, in particular a layout structure of a small size inverted LED chip layout. A small size LED flip chip electrode layout structure, including P, N, electrode solder electrode pads of N electrode, P electrode current extended electrode current expansion electrode, LED chip light-emitting area; chip is rectangular, the N electrode current expansion electrode is transversely arranged on the chip edge, the P electrode current extended position the lateral electrode in the chip set near the middle, P electrode current extended electrode N electrode length is less than the current expansion length of the electrode, the P electrode pads in the chip set on the left, the N electrode pads in the chip set right. The utility model solves the defects existing in the background technology. The LED chip of the layout structure of the utility model has good current expansion, uniform distribution, good electrical property, uniform luminance, high brightness, good reliability and long service life.

【技术实现步骤摘要】
一种小尺寸倒装LED芯片版图布局结构
本技术涉及芯片结构，尤其是一种小尺寸倒装LED芯片版图布局结构。
技术介绍
在倒装LED芯片生产中，一个设计优良的芯片版图布局结构是很重要的，其直接决定后面做出芯片的电性、出光的好与坏，甚至影响最终做出LED芯片的质量。目前，大部分小尺寸倒装LED芯片的版图布局结构不佳，使得做出的LED芯片，其电流扩展差，电性差，发光不均匀，亮度低，光效差，可靠性差，寿命低。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是：基于上述问题，提供一种小尺寸倒装LED芯片版图布局结构，其发光均匀，亮度高，可靠性好，寿命长。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种小尺寸倒装LED芯片版图布局结构，包括P电极焊点、N电极焊点、N电极电流扩展电极、P电极电流扩展电极、LED芯片发光区；芯片为长方形，所述N电极电流扩展电极横向设置在芯片上边缘，所述P电极电流扩展电极横向设置在芯片靠近中部的位置处，P电极电流扩展电极的长度小于N电极电流扩展电极的长度，所述P电极焊点设置在芯片左侧，所述N电极焊点设置在芯片右侧。具体地，所述P电极电流扩展电极距离芯片下边缘42mm。具体地，所述芯片上P电极焊点下方具有两个P电极导通孔，其中一个P电极导通孔位于P电极电流扩展电极的左端处。具体地，所述芯片的长方形的长度为560mm，宽度为154mm。本技术的有益效果是：本技术解决了
技术介绍
中存在的缺陷，本技术的版图布局结构做出的LED芯片电流扩展好，分布均匀，电性较好，发光均匀，亮度高，可靠性好，寿命长。附图说明下面结合附图和实施例对本技术进一步说明。图1是本技术的结构示意图。图中：1、芯片；2、P电极焊点；3、N电极焊点；4、N电极电流扩展电极；5、P电极电流扩展电极；6、LED芯片发光区，7、P电极导通孔。具体实施方式现在结合附图对本技术作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本技术的基本结构，因此其仅显示与本技术有关的构成。如图1所示，一种小尺寸倒装LED芯片版图布局结构，包括P电极焊点2、N电极焊点3、N电极电流扩展电极4、P电极电流扩展电极5、LED芯片发光区6；芯片1为长方形，N电极电流扩展电极4横向设置在芯片1上边缘，P电极电流扩展电极5横向设置在芯片1靠近中部的位置处，P电极电流扩展电极5的长度小于N电极电流扩展电极4的长度，P电极焊点2设置在芯片1左侧，N电极焊点3设置在芯片1右侧。在上述方案中，P电极电流扩展电极5距离芯片1下边缘42mm。在上述方案中，芯片1上P电极焊点2下方具有两个P电极导通孔7，其中一个P电极导通孔7位于P电极电流扩展电极5的左端处。在上述方案中，芯片1的长方形的长度为560mm，宽度为154mm。以上述依据本技术的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项技术技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项技术的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种小尺寸倒装LED芯片版图布局结构，包括P电极焊点(2)、N电极焊点(3)、N电极电流扩展电极(4)、P电极电流扩展电极(5)、LED芯片发光区(6)；芯片(1)为长方形，其特征在于：所述N电极电流扩展电极(4)横向设置在芯片(1)上边缘，所述P电极电流扩展电极(5)横向设置在芯片(1)靠近中部的位置处，P电极电流扩展电极(5)的长度小于N电极电流扩展电极(4)的长度，所述P电极焊点(2)设置在芯片(1)左侧，所述N电极焊点(3)设置在芯片(1)右侧。

【技术特征摘要】
1.一种小尺寸倒装LED芯片版图布局结构，包括P电极焊点(2)、N电极焊点(3)、N电极电流扩展电极(4)、P电极电流扩展电极(5)、LED芯片发光区(6)；芯片(1)为长方形，其特征在于：所述N电极电流扩展电极(4)横向设置在芯片(1)上边缘，所述P电极电流扩展电极(5)横向设置在芯片(1)靠近中部的位置处，P电极电流扩展电极(5)的长度小于N电极电流扩展电极(4)的长度，所述P电极焊点(2)设置在芯片(1)左侧，所述N电极焊点(3)设置在芯片(1)右侧。2...

【专利技术属性】
技术研发人员：张振，潘林，
申请(专利权)人：江苏晶瑞半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32