发光二极管制造技术

本发明专利技术涉及一种发光二极管，并且更具体地，涉及一种其中接合焊盘被焊接到安装衬底的发光二极管，其中该发光二极管具有可以使焊接期间空隙的出现最小化的接合焊盘形状。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管本申请是申请日为2015年8月24日、申请号为201580045770.0、题为“发光二极管”的专利申请的分案申请。
本公开的示例性实施例涉及发光装置，并且更具体地，涉及包括接合焊盘(bondingpad)的发光装置，该接合焊盘被焊接至安装衬底并具有能够将焊接期间的空隙发生最少化的特定结构。
技术介绍
通过考虑各种因素，例如发光效能的提高、封装尺寸的减小或者热阻的降低，可获得高输出发光装置。为了满足这些条件，倒装芯片型发光装置在相关领域中广泛使用。倒装芯片接合是指用焊料凸起的芯片接合方法，与现有的引线接合相比，由于基本上没有接合长度而能减少接合电感至1/10或以下，从而实现芯片封装的集成化。也就是说，倒装芯片型发光装置配置成通过衬底发光以便去除电极焊盘中的光损失，并包括位于p型半导体层上的反射层以便通过改变光子朝着安装衬底行进到相反方向的路线而提高提取效率。进一步地，倒装芯片型发光装置已经提高了电流扩散效率并因此实现低正向电压的应用。此外，尽管高输出的发光装置在应用高注入电流时产生大量的热量，但该发光装置具有从与产热区相对应的有源层至散热结构的短距离，从而实现易于散热和热阻的明显降低。因此，诸如大发光装置的大部分高输出发光装置是倒装芯片型发光装置。为了辅助一般采用倒装芯片接合的大发光装置的电流扩散，本领域提出了各种结构，并且本领域还公知一种结构，其中插入在第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间的有源层被分成两个或多个的部分，使得该两个或多个有源层共享一个第一导电型半导体层。在倒装芯片接合中，通过对焊料凸起应用热源将焊料凸起熔化来实现芯片的接合焊盘与安装衬底之间的电连接，熔化焊料凸起的工艺被称为回流工艺。在回流工艺中，助熔剂被蒸发而产生气泡，气泡反过来被捕获在熔化焊料中而在熔化焊料的固化过程中产生空隙。空隙作为削弱散热功能并导致芯片的接合焊盘与安装衬底之间连接故障的主要因素，从而劣化发光装置的可靠性。因此，需要一种用于使空隙发生最少化以便提高发光装置可靠性的技术。与本专利技术相关的，韩国专利公开文本第10-2013-0030178号(公布于2013年3月23日)公开了一种采用倒装芯片方法的大面积发光装置。
技术实现思路
技术问题本公开的示例性实施例提供了一种发光装置，其包括焊接到安装衬底并具有能够使焊接期间空隙发生最少化的特定结构的接合焊盘。本公开的示例性实施例提供了一种能够使焊接期间缺陷发生最少化的发光装置。技术方案根据一个示例性实施例，提供了一种发光装置，在该发光装置中接合焊盘被焊接至安装衬底，其中接合焊盘连接到通过连接电极分别与第一导电型半导体层和第二导电型半导体层电连接的第一电极和第二电极，且接合焊盘包括在焊球可接触区域中形成的两个或多个线形接合焊盘，该两个或多个线形接合焊盘中的至少两个彼此面对，并且非导电区域存在于彼此面对的该至少两个线形接合焊盘之间。根据另一个示例性实施例，提供了一种发光装置，在该发光装置中接合焊盘被焊接至安装衬底，其中接合焊盘连接到通过连接电极分别与第一导电型半导体层和第二导电型半导体层电连接的第一电极和第二电极，且接合焊盘形成于焊球可接触区域的一部分中，在焊球可接触区域的其余部分形成用于空隙逃逸的非导电图案。有益效果本公开的示例性实施例提供了一种发光装置，其包括接合焊盘，接合焊盘具有能够防止空隙发生并允许空隙容易从接合焊盘逃逸而不是被捕获在接合焊盘中的特定结构从而使焊接期间空隙的发生最少化，由此提高发光装置的可靠性。此外，发光装置包括覆盖设置在第一电极与第一导电型半导体层之间的接触区域上的第一电极的部分的接合焊盘，从而提高发光装置的可靠性。附图说明图1a是根据本公开一些示例性实施例，包括具有特定结构的接合焊盘的发光装置的平面图。图1b是发光装置沿图1a的线A'-A的剖视图。图2至图6以及图8是根据本公开各示例性实施例的包括具有各种形状的电极的发光装置的平面图。图7a是发光装置沿图3的线B'-B的剖视图。图7b是发光装置沿图3的线C'-C的剖视图。图9至图14是根据本公开的另一个示例性实施例的发光装置的平面图和剖视图。图15和图16是根据本公开的又一示例性实施例的发光装置的平面图。图17是示例性照明设备的分解透视图，根据本公开的一些实施例的发光装置被应用到该照明设备。图18是示例性显示装置的剖视图，根据本公开的一些实施例的发光装置被应用到该显示装置。图19是示例性显示装置的剖视图，根据本公开的一些实施例的发光装置被应用到该显示装置。图20是示例性前灯的剖视图，根据本公开的一些实施例的发光装置被应用到该前灯。具体实施方式从以下结合附图的对示例性实施例的说明，本专利技术的以上及其他方面、特征和优点将变得显而易见。应当理解，本公开不限于以下实施例且可以以不同方式实现，并且所给出的实施例用以向本领域技术人员提供本专利技术的完全公开并提供对本专利技术的全面理解。本公开的范围仅仅由所附的权利要求及其等同物来限定。在整个说明书中，相同的部件将由相同的附图标记来表示。在整个说明书中，相同的附图标记表示具有相同或相似功能的元件。下面，将参照附图详细描述本公开的示例性实施例。图1a是根据本公开的一个示例性实施例的包括具有特定结构的接合焊盘的发光装置的平面图，图1b是发光装置沿图1a的线A'-A的剖视图。参照图1a和图1b，根据本公开的发光装置包括具有特定结构的电极，并具有其中第一导电型半导体层111、有源层112和第二导电型半导体层113形成在衬底101上的结构，使得有源层112插入在n型半导体层111与p型半导体层113之间。衬底101可以用典型材料形成，例如本领域公知的Al2O3、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、GaP、InP和Ge。粗糙图案可以在衬底101的上和/或下表面上形成并具有选自条带形、透镜形、柱形、锥形等的形状。第一导电型半导体层111包括掺杂有第一导电型掺杂物的半导体层。第一导电型半导体层111可以由GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN和InAlGaN中的至少一种制成，在其中第一导电型半导体层111是n型半导体层的结构中，第一导电型掺杂物可以包括选自Si、Ge、Sn、Se和Te的至少一种n型掺杂物。有源层112可以具有单量子阱结构或多量子阱(MQW)结构。也就是说，有源层可以由III族-V族化合物半导体(即GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN和InAlGaN)中的至少一种形成。例如，有源层112可以具有其中InGaN阱层和GaN势垒层一层在另一层上交替堆叠的结构。有源层112通过从第一导电型半导体层111提供的载流子与从第二导电型半导体层113提供的载流子复合而产生光。在其中第一导电型半导体层111是n型半导体层的结构中，从第一导电型半导体层111提供的载流子可以是电子，以及在其中第二导电型半导体层113是p型半导体层的结构中，从第二导电型半导体层113提供的载流子可以是空穴。第二导电型半导体层113包括掺杂有第二导电型掺杂物的半导体层，且可以由单层或多层构成。第二导电型半导体层113可以由选自GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN和InAlGaN中的至少一种材料形成，并且在其中第二导电型半导体层113是p型半导体层的结构中，第二导本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光装置，其中，所述发光装置包括：氮化物基半导体堆叠，包含第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及位于第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的有源层，且包含通过贯穿所述第二导电型半导体层和有源层而使所述第一导电型半导体层暴露的区域；第一电极，通过暴露所述第一导电型半导体层的区域而电连接于所述第一导电型半导体层；第二电极，电连接到所述第二导电型半导体层；以及第一接合焊盘以及第二接合焊盘，位于所述氮化物基半导体堆叠上，分别电连接到所述第一电极和第二电极，所述第二接合焊盘包含两个以上的线形突出部以及位于所述突出部之间的非导电区域，在暴露所述第一导电型半导体层的区域中的至少一部分位于所述非导电区域的下部。

【技术特征摘要】
2014.08.28 KR 10-2014-0113470;2014.12.30 KR 10-2011.一种发光装置，其中，所述发光装置包括：氮化物基半导体堆叠，包含第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及位于第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的有源层，且包含通过贯穿所述第二导电型半导体层和有源层而使所述第一导电型半导体层暴露的区域；第一电极，通过暴露所述第一导电型半导体层的区域而电连接于所述第一导电型半导体层；第二电极，电连接到所述第二导电型半导体层；以及第一接合焊盘以及第二接合焊盘，位于所述氮化物基半导体堆叠上，分别电连接到所述第一电极和第二电极，所述第二接合焊盘包含两个以上的线形突出部以及位于所述突出部之间的非导电区域，在暴露所述第一导电型半导体层的区域中的至少一部分位于所述非导电区域的下部。2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，暴露所述第一导电型半导体层的区域包括多个孔，在多个所述孔中的至少一部分位于所述非导电区域的下部。3.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述第二接合焊盘包括与所述发光元件的一侧表面相邻地布置而沿所述一侧表面延伸形成的部分，所述线形状的突出部从沿所述一侧表面延伸形成的部分朝向所述第一接合焊盘的方向延伸形成。4.根据权利要求1所述的发光装置，其中，暴露所述第一导电型半导体层的区域中的一部分被所述第一接合焊盘覆盖。5.根据权利要求4所述的发光装置，其中，所述第一焊盘包括两个以上的线形突出部以及位于所述突出部之间的非导电区域，暴露所述第一导电型半导体层的区域中的一部分位于所述第一接合焊盘的突出部的下部。6.根据权利要求1所述的发光装置，其中，两个以上的所述线形突出部中的...

【专利技术属性】
技术研发人员：李素拉，蔡钟炫，
申请(专利权)人：首尔伟傲世有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR