发光器件制造技术

公开一种发光器件。发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一导电型半导体层、有源层、以及第二导电型半导体层；透光导电层，该透光导电层被布置在第二导电型半导体层上并且具有通过其使得第二导电型半导体层被暴露的多个开口区域；以及第二电极，该第二电极被布置在透光导电层上使得延伸超出开口区域中的至少一个，其中第二电极接触开口区域中的第二导电型半导体层并且接触除了开口区域之外的区域中的透光导电层。

Light emitting device

A light emitting device is disclosed. Light emitting device includes a light emitting structure, the light emitting structure includes a first conductive type semiconductor layer, an active layer and a second conductive type semiconductor layer; the transparent conductive layer, the transparent conductive layer is disposed on the second conductive type semiconductor layer and has a plurality of openings through which region of the second conductive type semiconductor layer is exposed; and second the electrode, the second electrode is arranged on the transparent conductive layer that extends beyond the opening area of at least one of the second electrode contact opening second conductive type semiconductor layer in the region and in contact with the transparent conductive layer in addition to the opening in the region outside the region.

【技术实现步骤摘要】
发光器件相关申请的交叉引用本申请要求2011年12月26日在韩国提交的韩国专利申请No.10-2011-0142546的优先权，正如在此得到充分阐述的那样，其全部内容通过引用合并于此。
实施例涉及一种发光器件。
技术介绍
由于器件材料和薄膜生长技术的发展，使用III-V族或者II-VI族化合物半导体材料的、诸如发光二极管或者激光二极管的发光器件能够发射诸如红色、绿色、蓝色的各种颜色的光和紫外光。此外，与诸如荧光灯、白炽灯的传统的光源相比较，这些发光器件能够使用荧光物质或者通过色彩混合产生具有高效率的白光，并且具有诸如低功率消耗、半永久性寿命、响应时间快速、安全和环境友好的优点。因此，发光器件被越来越多地应用于光学通信单元的传输模块、替换组成液晶显示器（LCD）装置的背光单元的冷阴极荧光灯（CCFL）的发光二极管背光单元、使用替换荧光灯或者白炽灯的白色发光二极管的照明设备、车辆的头灯以及交通灯。发光器件通过经由第一导电型半导体层注入的电子和经由第二导电型半导体层注入的空穴的复合来发射具有由有源层的材料的本征能带确定的能量的光。在发光器件封装中，通过从发光器件发射的光来激励荧光体，并且因此，可以发射比从有源层发射的光长的长波长区域的光。图1是图示传统的发光器件100的视图。图2是图示图1的发光器件100的电极结构的视图。参考图1，发光器件100包括衬底110、缓冲层115、以及包括第一导电型半导体层122、有源层124以及第二导电型半导体层126的发光结构120。在此，缓冲层115被插入在衬底110和发光结构120之间。当衬底110是由非导电材料形成时，第一导电型半导体层122的一部分被暴露并且第一电极150被布置在其被暴露的表面上。为了将空穴均匀地注入第二导电型半导体层126，透光导电层130可以被布置在第二导电型半导体层126上，并且第二电极160可以被布置在透光导电层130上。图2图示图1的发光器件100的第一和第二电极150和160的结构。为了将电子和空穴均匀地注入到各自的第一和第二导电型半导体层122和126并且增加电子和空穴的再复合的比率，如在图2中所图示的，第一电极150包括第一电极焊盘152和从其分支的第一分支电极154，并且第二电极160包括第二电极焊盘162和从其分支的第二分支电极164。然而，传统的发光器件具有如下面所陈述的问题。即使上述的第二分支电极164被布置在第二导电型半导体层126上，空穴仅能够被集中在与第二分支电极164相对应的第二导电型半导体层126的区域周围，并且因此，难以期待将电子和空穴绑定在有源层124的整个区域中。为了解决这些问题，具有分散空穴的高能力的透光导电层130可以被布置在第二导电型半导体层126上。然而，因为透光电极层130具有与电极材料差的接触特性，所以第二电极160和第二分支电极164可能没有被稳定地形成。
技术实现思路
在一个实施例中，发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一导电型半导体层、有源层以及第二导电型半导体层；透光导电层，该透光导电层被布置在第二导电型半导体层上并且包括通过其使得第二导电型半导体层被暴露的多个开口区域；第一电极，该第一电极被连接到第一导电型半导体层；以及第二电极，该第二电极被布置在透光导电层上以便延伸超出开口区域中的至少一个，其中第二电极接触开口区域中的第二导电型半导体层并且接触除了开口区域之外的区域中的透光导电层。在另一实施例中，发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一导电型半导体层、有源层以及第二导电型半导体层；透光导电层，该透光导电层被布置在第二导电型半导体层上并且包括通过其使得第二导电型半导体层被暴露的多个开口区域；第一电极，该第一电极被布置在透光导电层上并且多个区域中点接触第一导电型半导体层；以及第二电极，该第二电极被布置在透光导电层上并且在除了开口区域之外的区域中点接触透光导电层。在另一实施例中，发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一导电型半导体层、有源层以及第二导电型半导体层；透光导电层，该透光导电层被布置在发光结构上并且具有第一图案，该第一图案包括暴露发光结构的第一开口部分和桥接部分；第二电极，该第二电极被布置在与第一图案的内部相对应的区域上并且延伸接触桥接部分；透光绝缘层，该透光绝缘层覆盖透光导电层并且具有第二图案，该第二图案包括经过透光导电层、第二导电型半导体层以及有源层的第二开口部分以暴露第一导电型半导体层；以及第一电极，该第一电极通过第二开口部分接触第一导电型半导体层并且被布置成在透光绝缘层上延伸。附图说明可以参考以下附图来详细地描述布置和实施例，其中相同的附图标记表示相同的元件并且其中：图1是图示传统的发光器件的视图；图2是图示图1的发光器件的电极结构的视图；图3是图示根据实施例的发光器件的视图；图4是图示图3的发光器件的电极结构的视图；图5A至图5C是在图4中图示的区域“A”的放大视图；图6是在图4中图示的区域“B”的放大视图；图7A是图示在图3的发光器件的第一和第二电极之间的位置关系的视图；图7B是图示透光导电层的结构的视图；图7C是图示透光绝缘层的结构的视图；图8A至图8E是顺序地图示根据实施例的用于制造发光器件的方法的视图；图9是图示根据实施例的包括发光器件的发光器件封装的视图；图10是图示根据实施例的包括发光器件封装的发光器件的视图；以及图11是图示根据实施例的包括发光器件封装的图像显示装置的视图。具体实施方式在下文中，将参考附图来描述实施例。将理解的是，当元件被称为是在另一元件“上”或者“下”时，其能够直接地在元件上/下，并且一个或者多个中间元件也可以存在。当元件被称为是在“上”或者“下”时，基于元件也可以包括“在元件下面”和“在元件上面”。图3是图示根据实施例的发光器件200的视图。图4是图示图3的发光器件200的电极结构的视图。参考图3，发光器件200包括衬底210；发光结构220，该发光结构220被布置在衬底210上方并且包括第一导电型半导体层222、有源层224以及第二导电型半导体层226；缓冲层215，该缓冲层215被插入在衬底210和发光结构220之间；以及透光导电层230和透光绝缘层240，该透光导电层230和透光绝缘层240被顺序地布置在发光结构220上。透光导电层230和透光绝缘层240中的每一个的一部分可以被图案化以暴露第二导电型半导体层226，并且第二电极260可以被布置在其被暴露的表面上。在这点上，第二电极260可以具有比透光绝缘层240的高度大的高度，这更加易于线结合。穿通电极256被布置在第一导电型半导体层222处以对应于第二电极260，通过透光导电层230、第二导电型半导体层226以及有源层224延伸。透光绝缘层240在穿通电极256周围延伸，并且可以防止穿通电极256被电连接到透光导电层230、第二导电型半导体层226或者有源层224。与透光绝缘层240相比，穿通电极256可以被较深地插入到第一导电型半导体层222中。衬底210可以是由适合于例如载体晶片的半导体材料的生长的材料形成。而且，衬底210可以是由具有优秀的导热性的材料形成，并且可以是导电衬底或者绝缘衬底。例如，衬底210可以是由蓝宝石（Al2O3）、SiC、Si、GaAs、G本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件，包括：发光结构，所述发光结构包括第一导电型半导体层、有源层以及第二导电型半导体层；透光导电层，所述透光导电层被布置在所述第二导电型半导体层上并且具有通过其使得所述第二导电型半导体层被暴露的多个开口区域；所述透光导电层上的透光绝缘层；第一电极，所述第一电极接触所述第一导电型半导体层；以及第二电极，所述第二电极被布置在所述透光导电层上以便延伸超出开口区域中的至少一个，其中，所述第二电极接触所述开口区域中的所述第二导电型半导体层并且接触除了所述开口区域之外的区域中的所述透光导电层，其中，所述第二电极包括第二电极焊盘以及从所述第二电极焊盘分支的两个第二分支电极，所述两个第二分支电极被布置成相互面对，以及通过所述透光导电层将所述两个第二分支电极中的每一个和所述第二导电型半导体层连接的至少一个区域被布置在所述开口区域之间，其中，所述第一电极包括第一电极焊盘、第一分支电极和电接触所述第一导电型半导体层的多个穿通电极，所述第一分支电极从所述第一电极焊盘分支并且被插入在所述两个第二分支电极之间，所述穿通电极被形成以通过所述透光绝缘层、所述透光导电层、所述第二导电型半导体层以及所述有源层延伸，其中，所述第一分支电极和所述两个第二分支电极被布置在第一方向中，由所述透光绝缘层的开口所暴露的所述透光导电层被布置在第二方向中，以及所述第一方向和所述第二方向被设置成相互交叉，其中，所述透光导电层和所述穿通电极在所述第一方向中被交替地布置，其中，所述第二分支电极的上表面具有不平整性，以及其中，所述第二分支电极在与所述透光导电层的连接区域中具有的高度大于接触所述第二导电型半导体层的区域中的所述第二分支电极的高度。...

【技术特征摘要】
2011.12.26 KR 10-2011-01425461.一种发光器件，包括：发光结构，所述发光结构包括第一导电型半导体层、有源层以及第二导电型半导体层；透光导电层，所述透光导电层被布置在所述第二导电型半导体层上并且具有通过其使得所述第二导电型半导体层被暴露的多个开口区域；所述透光导电层上的透光绝缘层；第一电极，所述第一电极接触所述第一导电型半导体层；以及第二电极，所述第二电极被布置在所述透光导电层上以便延伸超出开口区域中的至少一个，其中，所述第二电极接触所述开口区域中的所述第二导电型半导体层并且接触除了所述开口区域之外的区域中的所述透光导电层，其中，所述第二电极包括第二电极焊盘以及从所述第二电极焊盘分支的两个第二分支电极，所述两个第二分支电极被布置成相互面对，以及通过所述透光导电层将所述两个第二分支电极中的每一个和所述第二导电型半导体层连接的至少一个区域被布置在所述开口区域之间，其中，所述第一电极包括第一电极焊盘、第一分支电极和电接触所述第一导电型半导体层的多个穿通电极，所述第一分支电极从所述第一电极焊盘分支并且被插入在所述两个第二分支电极之间，所述穿通电极被形成以通过所述透光绝缘层、所述透光导电层、所述第二导电型半导体层以及所述有源层延伸，其中，所述第一分支电极和所述两个第二分支电极被布置在第一方向中，由所述透光绝缘层的开口所暴露的所述透光导电层被布置在第二方向中，以及所述第一方向和所述第二方向被设置成相互交叉，其中，所述透光导电层和所述穿通电极在所述第一方向中被交替地布置，其中，所述第二分支电极的上表面具有不平整性，以及其中，所述第二分支电极在与所述透光导电层的连接区域中具有的高度大于接触所述第二导电型半导体层的区域中的所述第二分支电极的高度。2.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗珉圭，秋圣镐，朱炫承，洪奇锡，卢志希，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR