一种紫外LED倒装芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种紫外LED倒装芯片，包括从下往上依次设置的基板、布线层和芯片外延层；本实用新型专利技术通过刻蚀工艺将芯片外延层的一部分去除，形成用于设置n电极的n型半导体区域，并在芯片外延层内分别设有贯穿n型AlGaN层的第一内部接触层和贯穿n型AlGaN层至透明导电层的第二内部接触层，使芯片内部形成用于释放高压静电的电流释放通道，从而避免芯片遭受静电的危害；另外，反射层的设置可以最大限度反射向下射出的光线，有效提高芯片的出光率；透明导电层可以增大与p电极之间的接触面积，获得更好的散热效果；最后，本实用新型专利技术通过设置电流扩展层和电子阻挡层，加强芯片内部载流子向上流动的速度和流量，使芯片的出光率大大提高。

An ultraviolet LED flip chip

The utility model discloses a UV LED flip chip, including substrate, to sequentially arranged on the wiring layer and the chip epitaxial layer; the utility model through the etching process will remove part of the chip epitaxial layer, to form a n type semiconductor region setting N electrode, and the epitaxial layer are respectively arranged in the chip the first internal contact layer through the N type AlGaN layer and N AlGaN layer through the transparent conductive layer to the second internal contact layer to form for the current release of high voltage electrostatic release channel chip, so as to avoid the damage from electrostatic chip; in addition, the reflection layers can maximize the downward reflection light, effectively improve the chip light output rate; the transparent conductive layer can increase the contact area between the electrode and P, obtain better cooling effect; finally, the utility model is provided with the current expansion The spread layer and the electronic barrier layer strengthen the velocity and flow of the carrier flow in the chip, so that the light output of the chip is greatly improved.

【技术实现步骤摘要】
一种紫外LED倒装芯片
本技术涉及LED芯片制造
，尤其涉及一种紫外LED倒装芯片。
技术介绍
紫外LED产品在近几年备受关注，具有节能环保、省电、高效率、响应速度快、使用寿命长、且不含汞等优点。紫外LED产品为了获得所需要的光效、亮度以及杀菌消毒效果，在LED芯片材料外延生长、制备等工艺过程中进行不同浓度的掺杂以及后期刻蚀等处理。与传统紫外汞灯相比，紫外LED芯片有着寿命长、电压低、波长可调、环保、方向性好、迅速切换、抗震耐潮、轻便灵活等优点。已有技术中的紫外LED倒装焊芯片及其外延结构，通过将电极、共晶焊料、导电布线层等固晶到基板上，进而完成芯片的封装，该制备方式会导致芯片散热不理想、漏电、材料对光线的吸收大，易氧化污染、可靠性差以及紫外LED灯珠对静电较为敏感、容易受到外界静电的危害，造成芯片失效等问题。因此，随着技术的发展，已有的紫外LED倒装芯片将不再成为未来新型应用的主流。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术的不足，提供一种散热性好、出光率高、防静电危害的紫外LED倒装芯片。本技术的目的通过下述技术方案实现：一种紫外LED倒装芯片，主要包括从下往上依次设置的基板、用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种紫外LED倒装芯片，其特征在于，包括从下往上依次设置的基板、布线层和芯片外延层；所述芯片外延层设为三明治结构，包括通过外延生长工艺由上而下依次设置的衬底、缓冲层、未掺杂型AlGaN层、n型AlGaN层、量子阱有源区、p型AlGaN层、p型GaN层、n电极和p电极；所述芯片外延层的一侧通过刻蚀工艺去除量子阱有源区、p型AlGaN层和p型GaN层的一部分，从而形成n型半导体区域和p型半导体区域；所述n型半导体区域内设有贯穿整个n型AlGaN层的第一内部接触层和用于包裹第一内部接触层的第一绝缘层；所述n电极的一端分别与第一内部接触层和n型AlGaN层连接，另一端连接在布线层上；所述p型半导体区域...

【技术特征摘要】
1.一种紫外LED倒装芯片，其特征在于，包括从下往上依次设置的基板、布线层和芯片外延层；所述芯片外延层设为三明治结构，包括通过外延生长工艺由上而下依次设置的衬底、缓冲层、未掺杂型AlGaN层、n型AlGaN层、量子阱有源区、p型AlGaN层、p型GaN层、n电极和p电极；所述芯片外延层的一侧通过刻蚀工艺去除量子阱有源区、p型AlGaN层和p型GaN层的一部分，从而形成n型半导体区域和p型半导体区域；所述n型半导体区域内设有贯穿整个n型AlGaN层的第一内部接触层和用于包裹第一内部接触层的第一绝缘层；所述n电极的一端分别与第一内部接触层和n型AlGaN层连接，另一端连接在布线层上；所述p型半导体区域内设有多个第二内部接触层和用于包裹第二内部接触层的第二绝缘层，所述第二内部接触层和第二绝缘层从n型AlGaN层向下依次贯穿至p型GaN层；所述p电极的一端与第二内部接触层连接，另一端固定连接在布线层上；所述第一内部接触层的直径小于n电极，所述第二内部接触层的直径小于p电极；所述布线层上设有用于隔离n电极和p电极的隔离跑道。2.根据权利要求1所述的紫外LED倒装芯片，其特征在于，所述芯片外延层还包括提高出光率的反射层，所述反射层设置在p型GaN层与p电极之间；所述第二内部接触层和第二绝缘层均贯穿所述反射层。3.根据权利要求2所述的紫外LED...

【专利技术属性】
技术研发人员：何苗，杨思攀，熊德平，王成民，
申请(专利权)人：广东工业大学，
类型：新型
国别省市：广东,44