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本实用新型公开了一种紫外LED倒装芯片，包括从下往上依次设置的基板、布线层和芯片外延层；本实用新型通过刻蚀工艺将芯片外延层的一部分去除，形成用于设置n电极的n型半导体区域，并在芯片外延层内分别设有贯穿n型AlGaN层的第一内部接触层和贯穿n...
该专利属于广东工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过广东工业大学授权不得商用。

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