一种高压倒装LED芯片结构及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种高压倒装LED芯片结构及其制造方法，包括：沉积有GaN外延层的生长衬底；离子注入形成多个隔离区，从而使所述GaN外延层形成多个相互独立的芯片单元，之后进行mesa台阶刻蚀、形成透明电极传输层；形成DBR层；形成互连金属层；形成绝缘层；制作N、P电极焊盘等。本发明专利技术高压倒装LED芯片通过在GaN外延层中进行离子注入形成多个隔离区，可以大大降低因刻蚀造成的发光二极管发光面积的损失，并且利用离子注入形成的隔离区，可以使芯片之间的桥接可以更加平缓，更易于芯片之间的桥接；另外，芯片隔离区与其它区域高度差小，N、P电极焊盘之间不易导通，绝缘效果好，芯片封装时良率高，降低封装工艺难度，与封装支架的兼容性更强。

【技术实现步骤摘要】
一种高压倒装LED芯片结构及其制造方法
本专利技术属于半导体照明领域，涉及一种LED芯片结构及其制造方法，特别是涉及一种高压倒装LED芯片结构及其制造方法。
技术介绍
发光二极管(LightEmittingDiode，简称LED)是一种半导体固态发光器件，利用半导体P-N结电致发光原理制成。LED器件具有开启电压低、体积小、响应快、稳定性好、寿命长、无污染等良好光电性能，因此在室外室内照明、背光、显示、交通指示等领域具有越来越广泛的应用。LED芯片结构有三种类型，分别为水平结构(正装芯片)、垂直结构(垂直结构芯片)和倒装结构(倒装芯片)；倒装结构即芯片P、N电极在GaN的同侧，量子阱发出的光主要通过透明蓝宝石面逸出，没有正装芯片和垂直芯片电极和封装打金线遮光的问题，电流通过反射层金属直接注入，电流分布均匀，电压低亮度高，适用于大功率和大电流密度的芯片使用，倒装芯片产品具有免打线、低电压、高光效、低热阻、高可靠性、高饱和电流密度等优点，逐渐成为市场重点开发方向。现有技术中，通常采用干法刻蚀方法刻蚀GaN外延层形成沟槽隔离区3，利用该沟槽隔离区3来对芯片隔离，形成的LED芯片结构如附图1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高压倒装LED芯片的制造方法，其特征在于，所述制造方法至少包括：1)提供表面沉积有GaN外延层的生长衬底，所述GaN外延层包括N型GaN层、生长在所述N型GaN层表面的多量子阱层以及生长在所述多量子阱层表面的P型GaN层；2)在所述GaN外延层中进行离子注入形成多个表面平坦的隔离区，从而使所述GaN外延层形成多个相互独立的芯片单元；3)刻蚀所述GaN外延层，形成暴露所述N型GaN层的开口；4)在所述P型GaN层表面形成透明电极传输层；5)在所述步骤4)获得的结构表面覆盖DBR层，在所述开口中的DBR层表面开孔，暴露出所述N型GaN层，同时在所述DBR层表面开孔，形成暴露所述P型GaN层的互...

【技术特征摘要】
1.一种高压倒装LED芯片的制造方法，其特征在于，所述制造方法至少包括：1)提供表面沉积有GaN外延层的生长衬底，所述GaN外延层包括N型GaN层、生长在所述N型GaN层表面的多量子阱层以及生长在所述多量子阱层表面的P型GaN层；2)在所述GaN外延层中进行离子注入形成多个表面平坦的隔离区，从而使所述GaN外延层形成多个相互独立的芯片单元；3)刻蚀所述GaN外延层，形成暴露所述N型GaN层的开口；4)在所述P型GaN层表面形成透明电极传输层；5)在所述步骤4)获得的结构表面覆盖DBR层，在所述开口中的DBR层表面开孔，暴露出所述N型GaN层，同时在所述DBR层表面开孔，形成暴露所述P型GaN层的互连窗口，以引出所述P型GaN层的电性；6)在所述DBR层表面、开口以及互连窗口中制备金属连接层，以使相邻芯片单元的P型GaN层与N型GaN层相连，形成串联结构；7)在所述DBR层和金属连接层表面覆盖绝缘层，并且在芯片单元表面的绝缘层上分别形成N电极接触孔和P电极接触孔；8)在所述N电极接触孔中和绝缘层表面制备N电极焊盘，在所述P电极接触孔中和绝缘层表面制备P电极焊盘，所述N电极焊盘和P电极焊盘覆盖至少一个所述隔离区。2.根据权利要求1所述的高压倒装LED芯片的制造方法，其特征在于：离子注入形成的所述隔离区的宽度范围为1～20μm。3.根据权利要求2所述的高压倒装LED芯片的制造方法，其特征在于：离子注入形成的所述隔离区的宽度范围为5～10μm。4.根据权利要求1所述的高压倒装LED芯片的制造方法，其特征在于：所述离子注入的元素选自P、He、Ar、N、O、H或Fe中的一种或多种的组合。5.根据权利要求1所述的高压倒装LED芯片的制造方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：齐胜利，沈春生，
申请(专利权)人：盐城东紫光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32