温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种高压倒装LED芯片结构及其制造方法，包括：沉积有GaN外延层的生长衬底；离子注入形成多个隔离区，从而使所述GaN外延层形成多个相互独立的芯片单元，之后进行mesa台阶刻蚀、形成透明电极传输层；形成DBR层；形成互连金属层；形成...
该专利属于盐城东紫光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过盐城东紫光电科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。