The embodiment of the utility model discloses an electronic device, the electronic device includes a substrate; in the buried oxide layer on a substrate; in the oxide layer on the buried layer drift, a window is formed on the surface of the drift layer; located on the inner wall of the window or the inner wall of the window and window under the surface of the doped region, including doped region the first doped region and a second doped region; an insulating layer positioned within the window, the insulating layer comprises at least a first insulating layer and at least a second insulating layer; an insulating layer positioned within the at least two metal field plate, the corresponding metal field plate and the doped region is formed; in the drift layer or the insulating layer away from the buried the oxygen layer on one side of the gate electrode, a source electrode and a drain electrode. By adopting the above technical scheme, the electric field peak is introduced at the interface between the first insulating layer and the second insulating layer, and the electric field peak is introduced at least two metal field plates, which improves the average electric field of the drift layer and improves the breakdown voltage of the electronic device.
【技术实现步骤摘要】
一种电子器件
本技术涉及电子元器件
,尤其涉及一种电子器件。
技术介绍
功率集成电路也称高压集成电路,是现代电子学的重要分支,可为各种功率变换和能源处理装置提供高速、高集成度、低功耗和抗辐照的新型电路,广泛应用于电力控制系统、汽车电子、显示器件驱动、通信和照明等日常消费领域以及国防、航天等诸多重要领域。其应用范围的迅速扩大,对其核心部分的高压器件也提出了更高的要求。对功率器件而言,在保证击穿电压的前提下,必须尽可能地降低器件的导通电阻来提高器件性能。但击穿电压和导通电阻之间存在一种近似平方关系,形成所谓的“硅限”。必须引入新的材料或器件结构才能有效的突破“硅限”。为了进一步提高器件性能,业内提出了沟道-横向扩散金属氧化物半导体(Trench-LaterallyDiffusedMetalOxideSemiconductor,Trench-LDMOS)器件结构,有效的提高了半导体功率器件性能。传统的绝缘体上硅结构(SiliconOnInsulator,SOI)Trench-LDMOS器件是在漂移区中部插入一层深的Trench层,可以有效的减小漂移区长度,降低器件导通电阻,但是器件处于关态时,电场大部分都聚集于器件表面,体内电场较小,器件容易在表面提前击穿,限制了击穿电压的进一步提高。
技术实现思路
有鉴于此,本技术实施例提供一种电子器件,以解决现有技术中电子器件击穿电压较低的技术问题。本技术实施例提供了一种电子器件,包括:衬底;位于所述衬底上的埋氧层;位于所述埋氧层上远离所述衬底一侧的漂移层,所述漂移层的上表面形成有窗口,所述漂移层的上表面为所述漂移层远离所述埋 ...
【技术保护点】
一种电子器件,其特征在于,包括:衬底;位于所述衬底上的埋氧层;位于所述埋氧层上远离所述衬底一侧的漂移层,所述漂移层的上表面形成有窗口,所述漂移层的上表面为所述漂移层远离所述埋氧层一侧的表面;位于所述窗口内壁,或者所述窗口内壁以及所述窗口下表面的掺杂区,所述掺杂区包括第一掺杂区和第二掺杂区;位于所述窗口内的绝缘层,所述绝缘层包括至少一个第一绝缘层和至少一个第二绝缘层,所述第一绝缘层和所述第二绝缘层沿第一方向排列,所述第一方向与所述漂移层的上表面平行;位于所述绝缘层内的至少两个金属场板,所述金属场板与所述掺杂区对应设置;位于所述漂移层上远离所述埋氧层一侧或者所述绝缘层上远离所述埋氧层一侧的源极电极、栅极电极以及漏极电极。
【技术特征摘要】
1.一种电子器件,其特征在于,包括:衬底;位于所述衬底上的埋氧层;位于所述埋氧层上远离所述衬底一侧的漂移层,所述漂移层的上表面形成有窗口,所述漂移层的上表面为所述漂移层远离所述埋氧层一侧的表面;位于所述窗口内壁,或者所述窗口内壁以及所述窗口下表面的掺杂区,所述掺杂区包括第一掺杂区和第二掺杂区;位于所述窗口内的绝缘层,所述绝缘层包括至少一个第一绝缘层和至少一个第二绝缘层,所述第一绝缘层和所述第二绝缘层沿第一方向排列,所述第一方向与所述漂移层的上表面平行;位于所述绝缘层内的至少两个金属场板,所述金属场板与所述掺杂区对应设置;位于所述漂移层上远离所述埋氧层一侧或者所述绝缘层上远离所述埋氧层一侧的源极电极、栅极电极以及漏极电极。2.根据权利要求1所述的电子器件,其特征在于,所述第一绝缘层为SiO2层,所述第二绝缘层为低温共烧陶瓷。3.根据权利要求1所述的电子器件,其特征在于,所述金属场板包括至少一个栅极金属场板和至少一个漏极金属场板,所述栅极金属场板与所述栅极电极连接,所述漏极金属场板与所述漏极电极连接;所述第一掺杂区为N型掺杂区,所述栅极金属场板与所述N型掺杂区对应设置;所述第二掺杂区为P型掺杂区,所述漏极金属场板与所述P型掺杂区对应设置。4.根...
【专利技术属性】
技术研发人员:夏超,张琦,吴良松,陈锃基,
申请(专利权)人:工业和信息化部电子第五研究所华东分所,
类型:新型
国别省市:江苏,32
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