半导体结构制造技术

本发明专利技术提供了一种半导体结构，所述半导体结构包括栅极、第一掺杂区、第二掺杂区、第一连接结构、第二连接结构以及拓展结构，所述栅极位于基底上，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区位于所述基底中并分别位于所述栅极两侧，所述第一连接结构连接所述第一掺杂区，所述第二连接结构连接所述第二掺杂区，所述拓展结构附着在所述第一连接结构上和/或所述第二连接结构上。在本发明专利技术提供半导体结构中，第一连接结构和第二连接结构作为电性连接分别引出第一掺杂区和第二掺杂区，通过附着在第一连接结构和/或第二连接结构上的拓展结构来减小导通状态时的等效电阻值，同时可实现不影响等效电容值大小，从而提高半导体结构的性能。

Semiconductor structure

The present invention provides a semiconductor structure, the semiconductor structure includes a gate electrode, a first doped region and a second doped region, a first connecting structure, second connection structure and development structure, the gate is located above the substrate, wherein the first doped region and the second doped region is located in the base and are respectively positioned on the gate both sides of the first connecting structure is connected with the first doped region, wherein the second connection structure is connected with the second doped region, the extended structure attached to the first connecting structure and / or the second connecting structure. In the present invention provides a semiconductor structure, a first connecting structure and connecting structure second as electrically connected respectively lead the first doped region and a second doped region, by attaching the first connecting structure and / or expand the connection structure of the second structure to reduce the conduction state of the equivalent resistance value can be achieved at the same time does not affect the size of the equivalent value the capacitor, so as to improve the performance of semiconductor structure.

【技术实现步骤摘要】
半导体结构
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种半导体结构。
技术介绍
在半导体
中，随着技术的不断发展，对于半导体器件的要求也越来越高。其中，射频开关器件作为通讯领域信号的开关是一种重要的开关器件，可应用于有线传输射频信号。在射频开关器件工作时，部分区域处于导通状态，部分区域处于关断状态。可以通过优值(FigureofMerit，FOM)用来评价射频开关器件的性能或者工艺的特征测试参数。FOM＝Ron*Coff，其中，Ron是射频开关器件处于导通状态时的等效电阻值，Coff是射频开关器件处于关断状态时的等效电容值，Ron和Coff都是由于掺杂区的连接结构形成的。Coff是衡量射频开关器件在关态下隔离性能的参数；FOM越低则表示射频开关器件的综合性能越好。然而，现有技术中形成的射频开关器件的性能有待提高。如何提高半导体结构的性能是本领域技术人员努力的方向。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体结构，以提高现有技术的半导体结构的性能。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种半导体结构，所述半导体结构包括栅极、第一掺杂区、第二掺杂区、第一连接结构、第二连接结构以及拓展结本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：栅极，所述栅极位于基底上；第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区位于所述基底中并分别位于所述栅极两侧；第一连接结构和第二连接结构，所述第一连接结构连接所述第一掺杂区，所述第二连接结构连接所述第二掺杂区；拓展结构，所述拓展结构附着在所述第一连接结构上和/或所述第二连接结构上。

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：栅极，所述栅极位于基底上；第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区位于所述基底中并分别位于所述栅极两侧；第一连接结构和第二连接结构，所述第一连接结构连接所述第一掺杂区，所述第二连接结构连接所述第二掺杂区；拓展结构，所述拓展结构附着在所述第一连接结构上和/或所述第二连接结构上。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述拓展结构包括第一拓展结构和第二拓展结构，所述第一拓展结构位于所述第一连接结构上，所述第二拓展结构位于所述第二连接结构上，所述第一拓展结构与所述第二拓展结构错位分布。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一拓展结构的投影在所述第一连接结构内；所述第二拓展结构的投影在所述第二连接结构内。4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极、第一掺杂区和第二掺杂区...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘张李，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31