A low temperature silicon array substrate improved, the low-temperature polysilicon type array substrate includes a signal line, the upper upper control line, the light shielding layer of polysilicon, the middle layer, the shading layer near the signal line widening to original width 150% - 200%; range of signal line broadening in the light shielding layer the center point, the signal line interface outside increased signal line half a shading layer width to symmetry on the other end of the distance. The beneficial effect of the utility model is that, because of the widening of the signal line near the shading layer, the risk of disconnection of the signal line here is reduced.
【技术实现步骤摘要】
一种改进的低温多晶硅型阵列基板
本技术涉及一种改进的低温多晶硅型阵列基板。
技术介绍
目前广泛应用的薄膜场效应晶体管液晶显示器，由彩膜基板、阵列基板及液晶层组成，通过阵列基板上的晶体管对平行板电容及存储电容进行充放电，控制液晶的偏转，显示图像。阵列基板的制造工艺，包括以下步骤：镀膜、涂覆光刻胶、曝光、刻蚀、清洗等基本步骤。现有的低温多晶硅型阵列基板上的信号线设计，为粗细均匀的一条，由于遮光层的影响，层间绝缘层在化学气相沉积时，容易在遮光层的位置积累电荷，影响化学气相沉积成膜，化学气相沉积在遮光层及其周边位置容易形成多氧化硅核心，之后，物理气相成积成信号线膜层，并刻蚀成信号线后，信号线厚度及宽度受异物核心影响异常偏薄偏细，在较长工作时间后，信号线会产生较高的断开风险。
技术实现思路
本技术的目的，是要提供一种改进的低温多晶硅型阵列基板，将遮光层附近的信号线局部加宽，降低信号线断开风险。本技术是这样实现的，所述一种改进的低温多晶硅型阵列基板，所述低温多晶硅型阵列基板包括上层的信号线、次上层的控制线、中层的多晶硅、底层的遮光层，将遮光层附近的信号线加宽至原来宽度的150%－20...
【技术保护点】
一种改进的低温多晶硅型阵列基板，其信号线经过遮光层处的层状结构为，由上至下依次排列为：信号线、层间绝缘层、栅绝缘层、多晶硅、绝缘层、遮光层、玻璃基底，其特征是：所述遮光层附近的信号线宽度为3.0微米至4.0微米，所述宽度为3.0微米至4.0微米的信号线的长度为：以遮光层的中心为中心点，信号线接口外侧增加半个遮光层宽度至对称的信号线另一端的距离。
【技术特征摘要】
1.一种改进的低温多晶硅型阵列基板，其信号线经过遮光层处的层状结构为，由上至下依次排列为：信号线、层间绝缘层、栅绝缘层、多晶硅、绝缘层、遮光层、玻璃基底，其特征是：所述遮光层...
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