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一种改进的低温多晶硅型阵列基板，所述低温多晶硅型阵列基板包括上层的信号线、次上层的控制线、中层的多晶硅、底层的遮光层，将遮光层附近的信号线加宽至原来宽度的150%－200%；信号线加宽的范围为：以遮光层的中心为中心点，信号线接口外侧增加半个...
该专利属于夏振铎;张亚男所有，仅供学习研究参考，未经过夏振铎;张亚男授权不得商用。

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