反相器及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种反相器，包含晶体管与电阻，其中，晶体管包含：双电层栅介质层、位于双电层栅介质层的一侧的栅电极，以及位于双电层栅介质层的另一侧的至少一个侧向调控端、沟道、源极与漏极，其中，沟道分别与源极、漏极接触；并且，侧向调控端均不与沟道、源极与漏极电联通；并且电阻的一端与漏极电联通，另一端用于施加电源电压VDD；晶体管的栅电极作为输入端，漏极作为输出端，源极接地，至少一个侧向调控端用于施加固定偏压Vm，固定偏压Vm用于调整晶体管的阈值电压。本发明专利技术能够极大降低反相器的工作电压，降低制造成本，并能够实现反相器的平衡噪音容限，改善反相器的电学特性。

Inverter and its making method

The invention discloses an inverter, including transistor and resistor, the transistor includes: a dual gate electrode layer gate dielectric layer, located on the side of the electric double layer gate dielectric layer, and the other side is located in the electric double layer gate dielectric layer and at least one lateral control end, channel, source and drain among them, the channel respectively, and the source and drain contact; and the lateral control side with no channel, source and drain resistance and electric Unicom; with one end of the drain electric Unicom, the other is used to apply the power supply voltage VDD; transistor gate electrode as the input, drain as output end, the source ground, at least one lateral end for applying the fixed bias control Vm, Vm for the fixed bias transistor threshold voltage adjustment. The invention can greatly reduce the working voltage of the inverter, reduce the manufacturing cost, and achieve the balance noise margin of the inverter, and improve the electrical characteristics of the inverter.

【技术实现步骤摘要】
反相器及其制作方法
本专利技术涉及微电子
，具体涉及一种具有改良结构的低工作电压反相器及其制作方法。
技术介绍
近年来，逻辑电路被广泛应用于各种半导体集成电路中，例如，动态随机存取存储器(DynamicRandomAccessMemory，DRAM)，静态随机存取存储器(StaticRandomAccessMemory，SRAM)，和液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)等。其中，反相器是逻辑电路的基础。传统互补型金属-氧化物-半导体(Complementarymetal-oxide-semiconductor,CMOS)反相器，通常采用硅沟道实现，通过在硅中掺杂III族元素(如硼)形成p型沟道，或者通过在硅中掺杂五族元素(如磷)形成n型沟道。由于成熟的硅基集成电路技术，这类反相器已经被普遍应用于大量电子产品。进一步的说，鉴于氧化物半导体材料的综合优势，以其作为有源沟道层的氧化物薄膜晶体管正成为电子信息产业的明星，在新一代透明柔性平板显示或可穿戴、便携式电子产品等领域具有极强的应用前景。虽然氧化物薄膜晶体管的性能较好，其场效应电子迁移率高达10～100c本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种反相器，其特征在于，包含：晶体管与电阻，其中，所述晶体管包含：双电层栅介质层、位于所述双电层栅介质层的一侧的栅电极，以及位于所述双电层栅介质层的另一侧的至少一个侧向调控端、沟道、源极与漏极，其中，所述沟道分别与所述源极、所述漏极接触；并且，所述侧向调控端均不与所述沟道、所述源极与漏极电联通；并且所述电阻的一端与所述漏极电联通，另一端用于施加电源电压VDD；所述晶体管的栅电极作为输入端，所述漏极作为输出端，所述源极接地，至少一个所述侧向调控端用于施加固定偏压Vm，所述固定偏压Vm用于调整晶体管的阈值电压。

【技术特征摘要】
1.一种反相器，其特征在于，包含：晶体管与电阻，其中，所述晶体管包含：双电层栅介质层、位于所述双电层栅介质层的一侧的栅电极，以及位于所述双电层栅介质层的另一侧的至少一个侧向调控端、沟道、源极与漏极，其中，所述沟道分别与所述源极、所述漏极接触；并且，所述侧向调控端均不与所述沟道、所述源极与漏极电联通；并且所述电阻的一端与所述漏极电联通，另一端用于施加电源电压VDD；所述晶体管的栅电极作为输入端，所述漏极作为输出端，所述源极接地，至少一个所述侧向调控端用于施加固定偏压Vm，所述固定偏压Vm用于调整晶体管的阈值电压。2.如权利要求1所述的反相器，其特征在于，所述晶体管为底栅型晶体管，其中，所述绝缘衬底上的导电层作为位于所述双电层栅介质层一侧的底栅电极。3.如权利要求2所述的反相器，其特征在于，所述侧向调控端用于通过调节所述固定偏压Vm，以及所述底栅电极上施加的输入电压，通过所述双电层栅介质层的双电层效应，实现对所述沟道的导电性的控制。4.如权利要求1所述的反相器，其特征在于，所述沟道层独立地选自下组：氧化铟锌、铟镓锌氧、铟钨氧化物，并且，所述沟道层厚度为10nm～100nm。5.如权利要求1所述的反相...

【专利技术属性】
技术研发人员：竺立强，晁晋予，肖惠，
申请(专利权)人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所，
类型：发明
国别省市：浙江,33