阵列基板的制造方法、阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板的制造方法、阵列基板及显示装置，属于显示技术领域。所述方法包括：在衬底基板上依次形成遮挡层和薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：栅极图形和源漏极图形；其中，所述栅极图形在所述衬底基板上的正投影和所述源漏极图形在所述衬底基板上的正投影均被所述遮挡层在所述衬底基板上的正投影覆盖，所述遮挡层的材料为经过预处理的光刻胶。通过在衬底基板上依次形成遮挡层和薄膜晶体管，该遮挡层可以对外界光线进行遮挡，并且形成工艺较为简单，进而有效较低了阵列基板的制造成本。本发明专利技术用于显示装置中。

Fabrication method, array substrate and display device for array substrate

The invention discloses an array substrate manufacturing method, an array substrate and a display device, which belong to the field of display technology. The method includes: shielding layer and thin film transistor are formed on a substrate, the thin film transistor includes: a gate pattern and the source drain which is graphics; projection is the grid pattern on the substrate on the substrate and the source drain projection is very graphic in the substrate on the substrate are the shielding layer on the substrate on the cover, the shielding layer is made after photoresist pretreatment. The shielding layer and thin film transistor can be sequentially formed on the substrate substrate, and the shielding layer can obscured the external light, and the forming process is relatively simple, thereby effectively reducing the manufacturing cost of the array substrate. The invention is used in the display device.

【技术实现步骤摘要】
阵列基板的制造方法、阵列基板及显示装置
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种阵列基板的制造方法、阵列基板及显示装置。
技术介绍
为了在不增加电子设备的尺寸的前提下，增大显示面板的尺寸，越来越多的生产厂家致力于研究无边框的显示面板。目前大部分无边框的显示面板均是将传统的液晶显示面板(英文：LiquidCrystalDisplay；简称：LCD)中的阵列基板和彩膜基板位置进行互换制成的，此时，彩膜基板靠近显示面板的入光侧，阵列基板靠近显示面板的出光侧，由于阵列基板的面积大于彩膜基板的面积，因此显示面板中的印制电路板与阵列基板连接时，印制电路板无需弯曲，从而实现显示面板的四面无边框。将传统的LCD中的阵列基板与彩膜基板互换后制成的显示面板存在如下问题：阵列基板中的栅极图形和源漏极图形可能会反射外界的光线，进而导致显示面板的显示效果较差。为了解决该问题，现有技术提供了一种阵列基板如下：采用磁控溅射工艺在栅极图形和源漏极图形的下方形成抗反射薄膜，该抗反射薄膜的材料为金属氧化物或金属氮氧化物，进而可以减少栅极图形和源漏极图形对外界光线的反光现象(也称抗反射处理)。但是，实际工艺过程中，抗反射本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底基板上依次形成遮挡层和薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：栅极图形和源漏极图形；其中，所述栅极图形在所述衬底基板上的正投影和所述源漏极图形在所述衬底基板上的正投影均被所述遮挡层在所述衬底基板上的正投影覆盖，所述遮挡层的材料为经过预处理的光刻胶。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底基板上依次形成遮挡层和薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：栅极图形和源漏极图形；其中，所述栅极图形在所述衬底基板上的正投影和所述源漏极图形在所述衬底基板上的正投影均被所述遮挡层在所述衬底基板上的正投影覆盖，所述遮挡层的材料为经过预处理的光刻胶。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在衬底基板上依次形成遮挡层和薄膜晶体管，包括：在所述衬底基板上形成公共电极薄膜；在所述公共电极薄膜上形成光刻胶薄膜；对带有所述光刻胶薄膜的所述公共电极薄膜进行一次构图工艺处理，以形成带有第一光刻胶图案的公共电极；对所述第一光刻胶图案进行预处理，以形成所述遮挡层。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对所述第一光刻胶图案进行预处理，以形成所述遮挡层，包括：对所述第一光刻胶图案进行碳化处理，以形成所述遮挡层；或者，对所述第一光刻胶图案进行干刻处理，以形成所述遮挡层；或者，对所述第一光刻胶图案进行退火处理，以形成所述遮挡层。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述对所述第一光刻胶图案进行碳化处理，包括：在无氧环境下，对所述第一光刻胶图案进行加热，以将所述第一光刻胶图案处理为所述遮挡层。5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述对所述第一光刻胶图案进行干刻处理，包括：在无氧环境下，通过离子轰击所述第一光刻胶图案，以将所述第一光刻胶图案处理为所述遮挡层。6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述对所述第一光刻胶图案进行退火处理，包括：在真空环境下，将所述第一光刻胶图案加热到预设温度，在持续保温预设时长后，将所述第一光刻胶图案冷却到室温，以将所述第一光刻胶图案处理为所述遮挡层。7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对带有所述光刻胶薄膜的所述公共电极薄膜进行一次构图工艺处理，以形成带有第一光刻胶图案的公共电极，包括：采用灰度掩膜版对所述光刻胶薄膜进行曝光处理，并对曝光处理后的所述光刻胶薄膜进行显影处理，以形成第二光刻胶图案，所述第二光刻胶图案包括：第一光刻胶区、第二光刻胶区和光刻胶完全去除区，且所述第一光刻胶区中的光刻胶厚度大于所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：操彬彬，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11