阵列基板、显示装置及制作方法制造方法及图纸

本公开提供一种阵列基板、显示装置及制作方法，属于显示技术领域。该阵列基板包括：源漏金属层、平坦层和像素电极层，所述平坦层位于所述源漏金属层和所述像素电极层之间，所述平坦层具有第一过孔，所述源漏金属层与所述像素电极层在所述第一过孔处连接；在所述第一过孔处所述源漏金属层的下方还具有一凸起结构。本公开通过在源漏金属层的下方对应第一过孔处增加设置一凸起结构，使得形成的源漏金属层的高度得到提升，源漏金属层形成曲面结构，像素电极层形成过程中不会产生大的段差，像素电极层凹陷甚至断裂的现象可以得到改善，曲面结构不但能减小段差，还能使得形成的增大接触面积，进而减低接触电阻。

Array substrate, display device and fabrication method

The present disclosure provides an array substrate, a display device and a manufacturing method, which belong to the field of display technology. The array substrate comprises a source drain metal layer, a planarization layer and a pixel electrode layer between the flat layer is located on the source drain metal layer and the pixel electrode layer, the flat layer has a first through hole, wherein the source drain metal layer and the pixel electrode layer in the first Kong Chulian. At the bottom of the first; a hole of the source drain metal layer has a convex structure. The public through the drain metal layer below the corresponding to the first position of the via in the source adds a raised structure, the formation of the source drain metal layer height increased, the source drain metal layer to form a curved surface structure, the pixel electrode layer is formed in the process will not have a big difference, the pixel electrode layer is recessed or even fracture phenomenon can be to improve the surface structure, not only can reduce the gap, but also makes the formation of the contact area is enlarged, thereby reducing the contact resistance.

【技术实现步骤摘要】
阵列基板、显示装置及制作方法
本公开涉及显示
，具体而言，涉及一种阵列基板、显示装置及制作方法。
技术介绍
目前液晶显示器的PPI(PixelsPerInch，每英寸所拥有的像素数目)的要求逐渐提高，尤其VR(VirtualReality，虚拟现实)显示器需求更高，不仅需要高的PPI，还需要高的透过率。为满足高PPI及高透过率的要求，一般采用PCI结构，即PixelITO(像素电极ITO(Indiumtinoxide，氧化铟锡)，简称P-ITO)与ComITO(公共电极ITO，简称C-ITO)倒置的结构，即P-ITO在下层，C-ITO在上层。PCI结构在工艺生产时因SD(source/datalayer，源漏金属层)与PLN(Planarization，平坦层)存在overlay(P-ITO与PLN/SD接触时的重叠精度)不好的问题以及SDCD(CriticalDimension，临界尺寸)要求更小，会有膜层凹陷甚至断裂的问题。因此，现有技术中的技术方案还存在有待改进之处。需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括：源漏金属层、平坦层和像素电极层，其特征在于，所述平坦层位于所述源漏金属层和所述像素电极层之间，所述平坦层具有第一过孔，所述源漏金属层与所述像素电极层在所述第一过孔处连接；在所述第一过孔处所述源漏金属层的下方还具有一凸起结构。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括：源漏金属层、平坦层和像素电极层，其特征在于，所述平坦层位于所述源漏金属层和所述像素电极层之间，所述平坦层具有第一过孔，所述源漏金属层与所述像素电极层在所述第一过孔处连接；在所述第一过孔处所述源漏金属层的下方还具有一凸起结构。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：层间介质层，所述凸起结构位于所述层间介质层和所述源漏金属层之间。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述凸起结构为利用位于所述层间介质层之上的预置膜层通过半色调掩膜版曝光形成。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：层间介质层，所述凸起结构位于所述层间介质层的下方。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述凸起结构为利用位于所述层间介质层之下的预置膜层通过半色调掩膜版曝光形成。6.根据权利要求2或4所述的阵列基板，其特征在于，还包括：有源层，所述层间介质层具有第二过孔，所述源漏金属层与所述有源层在所述第二过孔处连接，且所述第二过孔位于所述凸起结构的边缘。7.一种如权利要求1-6中...

【专利技术属性】
技术研发人员：李慧，方业周，张伟，张文龙，郭钟旭，石天雷，李文可，赵顺，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京,11