一种高密度引线框架制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高密度引线框架，其包括用于承载芯片的矩形框架(E)，所述矩形框架设置有若干芯片安装单元，该矩形框架设置有定位孔(1)、导流孔(2)、推料孔(3)，各芯片安装单元的基岛(5)为下沉基岛，下沉基岛的边缘侧壁倾斜角度为45°。该引线框架的基岛有下沉，对产品加工的难度有很大幅度降低。

A high density lead frame

The utility model discloses a high density lead frame, which comprises a rectangular frame bearing chip (E), the rectangular frame is provided with a plurality of chip mounting unit, the rectangular frame is provided with a positioning hole (1), (2), push the diversion hole hole (3), an island of the chip the unit (5) for the submerged Island, edge side wall submerged Island tilt angle is 45 degrees. The base island of the lead frame is sinking, and the difficulty in the processing of the product has been greatly reduced.

【技术实现步骤摘要】
一种高密度引线框架
本技术涉及半导体
，尤其是涉及一种高密度引线框架。
技术介绍
现有SOP框架由于基岛无下沉，导致产品加工的难度较大。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种高密度引线框架，其基岛设计为下沉结构，从而使得产品加工的难度有很大幅度的降低。为解决上述技术问题，本技术的实施方式提供了一种高密度引线框架，其包括用于承载芯片的矩形框架(E)，所述矩形框架设置有若干芯片安装单元，该矩形框架设置有定位孔(1)、导流孔(2)、推料孔(3)，各芯片安装单元的基岛(5)为下沉基岛，下沉基岛的边缘侧壁倾斜角度为45°。进一步，所述矩形框架(E)设置有8行32列芯片安装单元。进一步，所述定位孔为圆孔或者十字形孔。本技术具有如下有益效果：该引线框架的基岛有下沉，对产品加工的难度有很大幅度降低。附图说明图1为高密度引线框架示意图；图2为图1中高密度引线框架左侧四列局部放大图；图3为高密度引线框架中单颗示意图；图4为图3中A-A剖视图。具体实施方式为了使本技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施例，进一步阐述本技术。本技术的实施方式提供了一种高密度引线框架(高密度本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高密度引线框架，其包括用于承载芯片的矩形框架(E)，所述矩形框架设置有若干芯片安装单元，该矩形框架设置有定位孔(1)、导流孔(2)、推料孔(3)，其特征在于，各芯片安装单元的基岛(5)为下沉基岛，下沉基岛的边缘侧壁倾斜角度为45°。

【技术特征摘要】
1.一种高密度引线框架，其包括用于承载芯片的矩形框架(E)，所述矩形框架设置有若干芯片安装单元，该矩形框架设置有定位孔(1)、导流孔(2)、推料孔(3)，其特征在于，各芯片安装单元的基岛(5)为下沉基岛，下沉基...

【专利技术属性】
技术研发人员：王海荣，
申请(专利权)人：南通优睿半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32