一种DFN22‑3L型引线框架制造技术
A DFN22 3L type lead frame
The utility model discloses a DFN22 type 3L lead frame includes a frame body, the frame body is provided with a first pin and a second pin pad two pads, wherein the first pin pad size is 1.5mm*1.0mm, second pin pad size is 0.3mm*0.4mm, which is characterized in that two the second pin pad is positioned on the frame at the bottom of the body, between the two and the second pin pad flow together through the internal chip framework. In the same frame size DFN2*2 type 3L case, the original framework of the independent existence of two second pin pads together, which makes the device in the welding process and the patch in a more convenient, greatly reduce the fault rate. And during the use of the two second pin pads, the energy release will be more uniform and faster under the impact of surge, and it will not damage the chip easily.
【技术实现步骤摘要】
一种DFN22-3L型引线框架
本技术涉及半导体框架技术，尤其涉及一种DFN2*2-3L型引线框架。
技术介绍
引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料（金丝、铝丝、铜丝）实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，是电子信息产业中重要的基础材料。DFN2*2-3L（DFN是一种新型的电子封装工艺是由双边或方形扁平无铅封装，2*2指的是器件外观尺寸长和宽为2mm*2mm，3L是指器件有3个引脚焊盘）是器件封装形式，为了更好的使用，需要将现有框架结构进一步做更改优化。现有的DFN2*2-3L封装的框架结构上3个引脚焊盘都是独立放置的，在使用过程中，由于底部的2个第二引脚焊盘较小，不管是在贴片还是在焊接时，都有较大的概率出现虚焊的不良现象。另外由于底部的2个第二引脚焊盘是独立的，在浪涌冲击的情况下，由于分配的过流能力有所偏差，会导致器件芯片提前被损坏的情况。
技术实现思路
本技术克服了现有技术的不足，在已有的框架结构和尺寸不变的情况下，重新改变框架结构，使得原...
【技术保护点】
一种DFN22‑3L型引线框架，包括：框架本体，所述框架本体上设有一个第一引脚焊盘和两个第二引脚焊盘，其中第一引脚焊盘的尺寸为1.5mm*1.0mm，第二引脚焊盘的尺寸为0.3mm*0.4mm，其特征在于，两个所述第二引脚焊盘位于所述框架本体底部，两个所述第二引脚焊盘之间通过内部芯片框架电通流在一起。
【技术特征摘要】
1.一种DFN22-3L型引线框架，包括：框架本体，所述框架本体上设有一个第一引脚焊盘和两个第二引脚焊盘，其中第一引脚焊盘的尺寸为1.5mm*1.0mm，第二引脚焊盘的尺寸为0.3mm*0.4mm，其特征在于，两个所述第二引脚焊盘位于所述框架本体底部，两个所述第二引脚焊盘之间通过内部芯片框架电通流在一起。2.根据权利要求1所述的一种DFN22-3L型引线框架，其特征在于：所述框架本体的尺寸为2mm*2mm。3.根据权利要求1所述的一种DFN22-3L型引线框架，其特征在于：两个所述第二引脚焊盘整体形成的内部芯片框...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐远，
申请(专利权)人：苏州矽航半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32
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