一种IC封装处理装置以及处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提出一种IC封装处理装置以及处理方法。所述结构包括：第一温控吸盘，用于吸附金属载板，并加热所述载板；第二温控吸盘，用于吸附IC封装体，并控制所述IC封装体保持在第一温度范围内；分离控制单元，用于在所述金属载板的温度被所述第一温控吸盘加热到第二温度范围时启动，以分离所述金属载板和所述IC封装体。本发明专利技术优化了封装工艺，有利于节约成本和绿色生产，不需在封装厂和基板厂两者间反复的工件流转，从而缩短加工周期，工序间的控制更加顺畅。

A IC package processing device and processing method

The invention provides a IC package processing device and a processing method. The structure includes a first temperature controlled chuck, for adsorption of metal plate, and heating the substrate temperature; second suckers, used for the adsorption of IC package, and the IC package is maintained at a first temperature range; the separation control unit is used to start on the metal board by the temperature. The first temperature sucker is heated to a second temperature range, the carrier plate to separate the metal and the IC package. The invention optimizes the encapsulation process, saves cost and green production, and does not require repeated turnover of work pieces between the packaging plant and the substrate plant, thereby shortening the processing cycle, and controlling the process more smoothly.

【技术实现步骤摘要】
一种IC封装处理装置以及处理方法
本专利技术属于半导体器件制造
，具体涉及一种IC封装处理装置以及处理方法。
技术介绍
方形扁平无引脚封装(QuadFlatNo-leadPackage，QFN)技术是一种重要的IC封装工艺，具有表面贴装式封装，焊盘尺寸小、体积小、占有PCB区域小、元件厚度薄、非常低的阻抗、自感，可满足高速或者微波的应用等优点。由于底部中央的大面积裸露焊盘被焊接到PCB的散热焊盘上，使得QFN具有极佳的电和热性能。但缺点在于QFN中部向四周连续布线，线宽受限于铜厚、且难以设计孤岛电极，增加I/O数会带来的生产成本和可靠性问题，限制了芯片和PCB板的设计自由度。相比较而言球栅阵列芯片封装技术(BallGridArray.BGA)可增加I/O数和缩小间距，在设计上较QFN更为灵活，但工艺检修困难，对PCB板工艺要求更高，不适用于可靠性要求高的器件的封装及产业效率的提高。受蚀刻能力的限制，在LEDEMC支架与倒装基板的生产精度和密度都会有所限制。而LED被要求高度集成，低的光成本及高可靠性，EMC支架及倒装CSP基板的加工能力受到较大的挑战。在QFN的基础是发展了AQFN封装模式，即在导电的金属载片上通过加成发电镀封装用的各个电极，封装完成后，需要去除金属载片。但是AQFN封装过程中，铜质载片镀底电极时首先镀一层贵金属抗蚀刻层。封装完成后，通过碱性蚀刻的方法将载片金属蚀刻掉且不伤及底电极。但是，这样封装厂和基板厂间需要反复的工件流转、加工周期较长、工序间的控制繁琐；腐蚀载片金属和贵金属损耗导致成本高。
技术实现思路
专利技术人在不断地生产实践和摸索中发现，通过改善工艺以及设备可以解决现有技术中的上述不足。因此，专利技术人提出一种IC封装处理装置以及处理方法。本专利技术的第一方面，提供一种IC封装处理装置，所述装置包括：第一温控吸盘，用于吸附金属载板，并加热所述载板；第二温控吸盘，用于吸附IC封装体，并控制所述IC封装体保持在第一温度范围内；分离装置，用于在所述金属载板的温度被所述第一温控吸盘加热到第二温度范围时启动，以分离所述金属载板和所述IC封装体；作为优选地，装置还进一步包括，热风整平单元，用于在所述金属载板和所述IC封装体分离后清理所述IC封装体上的低熔点金属。作为优选地，所述第一温控吸盘包括非接触加热单元和/或接触加热单元。作为优选地，所述非接触加热单元包括高频电磁加热子单元。作为优选地，所述接触加热单元包括电加热子单元和热媒加热子单元中的至少一个。作为优选地，所述第一温控吸盘包括电磁吸附单元和/或负压吸附单元。作为优选地，所述第二温控吸盘包括负压吸附单元。作为优选地，所述真空吸附单元为多孔负压吸附装置。作为优选地，所述第二温控吸盘内部具有降温媒介。本专利技术的第二方面，提供一种IC封装处理方法，所述方法包括：步骤1、将待处理的IC封装体的非金属侧置入第二温控吸盘；步骤2、将第一温控吸盘与IC封装体的金属载板相接吸附并加热；步骤3、当金属载板的金属面的温度到达载板相邻的低熔点镀层的熔点后，将金属载板从所述IC封装体脱离。本专利技术能够达到的有益效果：一、可以使载板与IC封装体分离，同时不会由于使用传统技术中的蚀刻工艺而造成金属的损失。从整体上降低蚀刻的药剂成本、贵金属损失成本以及对于蚀刻废弃物处理的成本。基于热风整平，去除低熔点金属残留后，可以实现IC封装体与残留物的完美分离，以及金属载板的再利用。本专利技术优化了封装工艺，有利于节约成本和绿色生产，不需在封装厂和基板厂两者间反复的工件流转，从而缩短加工周期，工序间的控制更加顺畅。二、产品封装后可对产品直接加热，使得刚性基板与封装后的集成电路易于剥离，不需要将整个刚性导电基板完全腐蚀掉，有利于节约成本和绿色生产。三、产品可在封装后再剥离，固晶不需特殊治具，极大提高了工作效率和良品率。附图说明下面结合附图对本专利技术的具体实施方式作进一步详细的说明；图1是本专利技术实施例的IC封装处理装置工作状态示意图；图2是本专利技术实施例的IC封装体结构示意图；图3是本专利技术实施例的IC封装体处理方法示意图；图4是本专利技术实施例的IC封装体处理方法示意图；图5是本专利技术实施例的热风整平方法示意图；图6是本专利技术实施例的整平后结构示意图；其中附图标记解释如下：1为第一温控吸盘、2为金属载板、3为IC封装体、4为第二温控吸盘、5为低熔点金属镀层。具体实施方式为了使本
的人员更好地理解本专利技术方案，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本专利技术保护的范围。实施例1：如图1所示，其展示了本实施例中的IC封装处理装置工作状态示意图，所述装置包括：第一温控吸盘1，用于吸附金属载板2，并加热所述载板。第二温控吸盘4，用于吸附IC封装体3，并控制所述IC封装体保持在第一温度范围内。分离装置，用于在所述金属载板的温度被所述第一温控吸盘加热到第二温度范围时启动，以分离所述金属载板和所述IC封装体。在本实施例中，金属载板2与所述IC封装体3之间具有低熔点金属镀层5。在本实施例中，装置的工作过程包括：待处理的IC封装体被送入所述处理装置，如图2所示，所述待处理的IC封装体包括：金属载板2、IC封装体本体3以及以凝固态存在，并且连接所述金属载板2和IC封装体本体3的低熔点金属镀层5。在所述送入过程中，通过第二温控吸盘吸附所述IC封装体一侧，并且所述第一温控吸盘与所述第二温控吸盘发生相对位移，直到二者处于对齐的位置。然后二者在轴线方向上相对位移，直到第一温控吸盘移动到金属载板2一侧，并与所述金属载板2的表面贴紧。然后，第一温控吸盘产生吸力，并吸附所述金属载板，同时第一温控吸盘开始升温，以加热所述金属载板。在所述加热过程中，第二温控吸盘同时感测所述IC封装体的温度，在所述IC封装体的温度超过预定值时，冷却所述IC封装体，以保证IC封装体内的材料不会因为高温而产生软化。在加热过程中，低熔点金属镀层5会随着温度的升高而逐渐融化，当其融化到一定程度时，IC封装体与所述金属载板即处于可分离状态。此时，启动分离装置，使所述第一温控吸盘1与所述第二温控吸盘4产生相对向移动，并最终分离。通过上述过程，可以使载板与IC封装体分离，同时不会由于使用传统技术中的蚀刻工艺而造成金属的损失。从整体上降低蚀刻的药剂成本、贵金属损失成本以及对于蚀刻废弃物处理的成本。实施例2：如图1所示，其展示了本实施例中的IC封装处理装置工作状态示意图，所述装置包括：第一温控吸盘1，用于吸附金属载板2，并加热所述载板。在具体的装置构造中，吸盘中可以包括加热单元和吸附单元。加热单元可以采用非接触加热的方式或者接触加热的方式。在一些实例中，还可以同时采用接触式和非接触式的加热单元以满足不同温度控制和加热方式的需求。在一些实例中，所述非接触加热单元包括高频电磁加热子单元。在一些实例中，所述接触加热单元包括电加热子单元和热媒加热子单元中的至少一个。在一些实例中，所述第一温控吸盘的吸附单元包括电磁吸附单元和/或真空吸附单元。具体地，真空吸附单元为多孔负压本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种IC封装处理装置，其特征在于，所述装置包括：第一温控吸盘，用于吸附金属载板，并加热所述载板；第二温控吸盘，用于吸附IC封装体，并控制所述IC封装体保持在第一温度范围内；分离控制单元，用于在所述金属载板的温度被所述第一温控吸盘加热到第二温度范围时启动，以分离所述金属载板和所述IC封装体。

【技术特征摘要】
1.一种IC封装处理装置，其特征在于，所述装置包括：第一温控吸盘，用于吸附金属载板，并加热所述载板；第二温控吸盘，用于吸附IC封装体，并控制所述IC封装体保持在第一温度范围内；分离控制单元，用于在所述金属载板的温度被所述第一温控吸盘加热到第二温度范围时启动，以分离所述金属载板和所述IC封装体。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，优选的，所述装置包括：热风整平单元，用于在所述金属载板和所述IC封装体分离后清理所述IC封装体上的低熔点金属。3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一温控吸盘包括非接触加热单元和/或接触加热单元。4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述非接触加热单元包括高频电磁加热子单元。5.根据权利要求3所述的装置，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：何忠亮，丁华，徐光泽，罗再成，李亮，叶文，
申请(专利权)人：深圳市环基实业有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44