一种多晶硅上接触孔粘结层异常缺陷检测方法技术

本发明专利技术提出一种多晶硅上接触孔粘结层异常缺陷检测方法，包括：晶圆流片到有源区衬底结构图形，并对测试结构进行阱离子注入；晶圆流片到多晶硅结构图形，并对测试结构进行源漏极离子注入；晶圆流片到接触孔结构图形，并通过共享接触孔使有源区衬底和多晶硅连通；钨接触孔平坦化工艺后，使用电子束扫描检测测试区域缺陷。本发明专利技术提出的多晶硅上接触孔粘结层异常缺陷检测方法，通过建立缺陷检测结构与对应的工艺流程，并调试对应的电子束扫描条件，建立针对以上问题的在线监控数据指标，从而为良率提升和产品研发做出贡献。

An anomaly detection method for bonding layer on polysilicon contact holes

The invention provides a contact detection method, hole bonding layer abnormal defect of a polycrystalline silicon includes: wafer chip substrate structure of active region graph, and the test of structure trap ion implantation; wafer chip Silicon Graphics, and the test structure of the source and drain ion implantation; wafer chip contact hole structure and graphics. Through the sharing of the substrate and the polysilicon contact hole active region connectivity; tungsten contact hole planarization process, using electron beam scanning test area defects. The contact hole detection method of abnormal defect of polysilicon bonding layer provided by the invention, through the process of establishing the corresponding structure and defect detection, and debugging of electron beam scanning conditions corresponding to the establishment of on-line monitoring data to solve the above problems, so as to enhance the yield and product development contribution.

【技术实现步骤摘要】
一种多晶硅上接触孔粘结层异常缺陷检测方法
本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，且特别涉及一种多晶硅上接触孔粘结层异常缺陷检测方法。
技术介绍
随着集成电路工艺的发展，半导体工艺器件的尺寸不断微缩，接触孔的粘结层工艺越来越重要，越来越成为制约产品良率的关键工艺步骤之一。如图1所示，在28nm产品研发过程中，多晶硅上的接触孔底部粘结层偏厚会导致接触孔阻值异常偏高，产生严重的良率损失，成为制约28nm产品良率提升的技术瓶颈之一。这一缺陷在常规条件下，由于缺陷位于多晶硅上接触孔的底部，光学扫描无法检测；同时由于多晶硅本身无法与衬底直接导通，即其正常情况下就是无法为电子向衬底导通提供通路的，所以，其接触孔底部是否存在高阻值的问题在电子束扫描条件下是无法检测的。
技术实现思路
本专利技术提出一种多晶硅上接触孔粘结层异常缺陷检测方法，通过建立缺陷检测结构与对应的工艺流程，并调试对应的电子束扫描条件，建立针对以上问题的在线监控数据指标，从而为良率提升和产品研发做出贡献。为了达到上述目的，本专利技术提出一种多晶硅上接触孔粘结层异常缺陷检测方法，包括：晶圆流片到有源区衬底结构图形，并对测试结构进行阱离子注本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多晶硅上接触孔粘结层异常缺陷检测方法，其特征在于，包括：晶圆流片到有源区衬底结构图形，并对测试结构进行阱离子注入；晶圆流片到多晶硅结构图形，并对测试结构进行源漏极离子注入；晶圆流片到接触孔结构图形，并通过共享接触孔使有源区衬底和多晶硅连通；钨接触孔平坦化工艺后，使用电子束扫描检测测试区域缺陷。

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅上接触孔粘结层异常缺陷检测方法，其特征在于，包括：晶圆流片到有源区衬底结构图形，并对测试结构进行阱离子注入；晶圆流片到多晶硅结构图形，并对测试结构进行源漏极离子注入；晶圆流片到接触孔结构图形，并通过共享接触孔使有源区衬底和多晶硅连通；钨接触孔平坦化工艺后，使用电子束扫描检测测试区域缺陷。2.根据权利要求1所述的多晶硅上接触孔粘结层异常缺陷检测方法，其特征在于，所述阱离子注入采用N阱离子注入或P阱离子注入。3.根据权利要求1所述的多晶硅上接触孔粘结层异常缺陷检测方法，其特征在于，所述源漏极离子注入采用硼离子注入或磷离子注入源漏极。4.根据权利要求2和3所述的多晶硅上接触孔粘结层异常缺陷检测方法，其特征在于，通过阱离子注入以及源漏极离子注入后，使测试结构产生如下的器件结构：NWELL/NMOS，NWELL/PMOS或者PWELL/PMOS结构。...

【专利技术属性】
技术研发人员：范荣伟，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31