一种降低测试抗PID亲水性用片隔离的工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种降低测试抗PID亲水性用片隔离的工艺，包括以下步骤：S1、沥干处理：对进行测试后的测试抗PID亲水性用片进行沥干；S2、浸泡处理：用水对S1中沥干后的测试抗PID亲水性用片的扩散面进行覆盖，然后将测试抗PID亲水性用片进行浸泡；S3、酸洗处理：用酸液对S2中浸泡完成的测试抗PID亲水性用片进行酸洗；S4、烘干处理：对S3中酸洗完成的测试抗PID亲水性用片进行烘干。本发明专利技术工艺能够利用纯水重新浸泡测试抗PID亲水性用片硅片，再通过酸洗去除水印，有效地降低了测试抗PID亲水性用片隔离，提高了优质出品率，而且可以很明显的减少测试抗PID亲水性用片隔离返工次数，大大节约了时间、提高了工作效率。

A process for reducing the isolation of PID hydrophilicity

The invention discloses a method for reducing wafer isolation with anti PID hydrophilic test, which comprises the following steps: S1, drain treatment: on the test after the test of anti PID with hydrophilic film drain; S2, soaking in S1: water drain test anti PID hydrophilic wafer surface diffusion cover, then the testing of anti PID hydrophilic were soaked with S3 tablets; and pickling treatment: hydrophilic sheet pickling of S2 for complete testing of anti PID with acid; S4, drying of S3 acid completed tests of anti PID with hydrophilic film drying. The process of the invention is to use pure water to soak test anti PID with hydrophilic silicon wafers, by pickling to remove watermark, effectively reduces the test of anti PID hydrophilic film with isolation, improve quality and yield, can strip isolation rework times with anti PID hydrophilic reducing test obviously, greatly saves the time, to improve the work efficiency.

【技术实现步骤摘要】
一种降低测试抗PID亲水性用片隔离的工艺
本专利技术涉及抗PID亲水性测试
，具体为一种降低测试抗PID亲水性用片隔离的工艺。
技术介绍
现有技术中，对于硅片的制造过程中，普遍采用湿法刻蚀对硅片进行刻蚀，采用湿法刻蚀的话，就需要对硅片的抗PID亲水性进行检测。目前通常采用测试抗PID亲水性用片对硅片进行检测，但是在检测过程中，由于测试抗PID亲水性用片的高隔离，导致测试抗PID亲水性用片在使用一段时间后，就需要进行返工，非常浪费时间，而且会降低工作效率。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种降低测试抗PID亲水性用片隔离的工艺，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种降低测试抗PID亲水性用片隔离的工艺，包括以下步骤：S1、沥干处理：对进行测试后的测试抗PID亲水性用片进行沥干；S2、浸泡处理：用水对S1中沥干后的测试抗PID亲水性用片的扩散面进行覆盖，然后将测试抗PID亲水性用片进行浸泡；S3、酸洗处理：用酸液对S2中浸泡完成的测试抗PID亲水性用片进行酸洗；S4、烘干处理：对S3中酸洗完成的测试抗PID亲水性用片进行烘干。优选的，在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种降低测试抗PID亲水性用片隔离的工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1、沥干处理：对进行测试后的测试抗PID亲水性用片进行沥干；S2、浸泡处理：用水对S1中沥干后的测试抗PID亲水性用片的扩散面进行覆盖，然后将测试抗PID亲水性用片进行浸泡；S3、酸洗处理：用酸液对S2中浸泡完成的测试抗PID亲水性用片进行酸洗；S4、烘干处理：对S3中酸洗完成的测试抗PID亲水性用片进行烘干。

【技术特征摘要】
1.一种降低测试抗PID亲水性用片隔离的工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1、沥干处理：对进行测试后的测试抗PID亲水性用片进行沥干；S2、浸泡处理：用水对S1中沥干后的测试抗PID亲水性用片的扩散面进行覆盖，然后将测试抗PID亲水性用片进行浸泡；S3、酸洗处理：用酸液对S2中浸泡完成的测试抗PID亲水性用片进行酸洗；S4、烘干处理：对S3中酸洗完成的测试抗PID亲水性用片进行烘干。2.根据权利要求1所述的一种降低测试抗PID亲水性用片隔离的工...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘文国，苏世杰，李强强，张玉前，周守亮，
申请(专利权)人：通威太阳能安徽有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34