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本发明提出一种多晶硅上接触孔粘结层异常缺陷检测方法，包括：晶圆流片到有源区衬底结构图形，并对测试结构进行阱离子注入；晶圆流片到多晶硅结构图形，并对测试结构进行源漏极离子注入；晶圆流片到接触孔结构图形，并通过共享接触孔使有源区衬底和多晶硅连通...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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