一种减少刻蚀阻挡层残留的显影方法技术

本发明专利技术提供了一种减少刻蚀阻挡层残留的显影方法，应用于制备双栅极的复合结构中，具体包括以下步骤：步骤S1、将经过曝光处理后的复合结构传送至一显影腔中；步骤S2、向复合结构的表面喷洒显影液；步骤S3、控制复合结构以一第一预定转速旋转，使显影液与复合结构表面的刻蚀阻挡层充分接触；步骤S4、控制复合结构以一大于第一预定转速的第二预定转速旋转；步骤S5、向复合结构的表面喷洒清洗溶剂，并维持第二预定转速旋转至一预定时间之后停止旋转。其技术方案的有益效果在于，将溶解之后的刻蚀阻挡层以及残留的显影液从复合结构上去除，可有效的减少残留的刻蚀阻挡层，对最终形成的双栅极结构的品质的影响。

A developing method to reduce the residue of etching barrier

The present invention provides a method for developing the residual layer to reduce etching barrier, composite structure is applied to the preparation of double gate, including the following steps: step S1, the composite structure transfer to a developing exposure treatment chamber; step S2, to the surface of the composite structure of the developing solution is sprayed; step S3, control of composite structure with a first predetermined rotation speed, the developer and the composite structure of the surface etching barrier layer full contact; step S4, control of composite structure with a speed greater than the first predetermined second predetermined rotation speed; step S5, to the surface of the composite structure after spraying cleaning solvent, and maintain a second predetermined rotation speed to a predetermined time to stop rotating. The beneficial effect of the technical scheme is that the etching barrier layer and the residual developer after dissolution can be removed from the composite structure, which can effectively reduce the influence of the residual etching barrier layer on the quality of the final double gate structure.

【技术实现步骤摘要】
一种减少刻蚀阻挡层残留的显影方法
本专利技术涉及半导体制备
，尤其涉及一种减少刻蚀阻挡层残留的显影方法。
技术介绍
形成双栅极结构的复合结构，如图1所示，该复合结构中包括高压器件区、低压器件区以及存储区域，其中位于高压器件区域上的高压栅氧层，以及位于低压器件区域上的低压栅氧层，需要通过光刻工艺以及刻蚀工艺的结合去除，其操作步骤简叙述如下，首先是在高压栅氧层以及低压栅氧层上形成一刻蚀阻挡层，然后通过光刻工艺对刻蚀阻挡层进行光刻处理，以在刻蚀阻挡层上对应高压器件区的有源区位置，以及对应低压器件区的有源区位置形成开窗的窗口，接着根据窗口对相应的高压栅氧层以及低压栅氧层进行刻蚀，而在光刻工艺的显影环节中，对经过曝光处理的复合结构上的刻蚀阻挡层进行溶解值后，需对溶解后的复合结构进行两次清洗，以去除残留的显影液以及残留的被溶解的刻蚀阻挡层，但是这种清洗操作仍然会在每个有源区和相邻的浅沟槽之间残留被溶解的刻蚀阻挡层，导致最终图形成像失败，影响了双栅极的品质。
技术实现思路
针对现有技术中对复合结构顶部的刻蚀阻挡层进行显影存在的上述问题，现提供一种旨在显影环节中，可将复合结构上的溶解的刻蚀阻挡层以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种减少刻蚀阻挡层残留的显影方法，应用于制备双栅极的复合结构中，其特征在于，于所述复合结构的顶部覆盖一刻蚀阻挡层并对所述复合结构进行曝光处理，具体包括以下步骤：步骤S1、将经过曝光处理后的所述复合结构传送至一显影腔中；步骤S2、向所述复合结构的表面喷洒显影液；步骤S3、控制所述复合结构以一第一预定转速旋转，使所述显影液与所述复合结构表面的所述刻蚀阻挡层充分接触；步骤S4、控制所述复合结构以一大于所述第一预定转速的第二预定转速旋转；步骤S5、向所述复合结构的表面喷洒清洗溶剂，并维持所述第二预定转速旋转至一预定时间之后停止旋转。

【技术特征摘要】
1.一种减少刻蚀阻挡层残留的显影方法，应用于制备双栅极的复合结构中，其特征在于，于所述复合结构的顶部覆盖一刻蚀阻挡层并对所述复合结构进行曝光处理，具体包括以下步骤：步骤S1、将经过曝光处理后的所述复合结构传送至一显影腔中；步骤S2、向所述复合结构的表面喷洒显影液；步骤S3、控制所述复合结构以一第一预定转速旋转，使所述显影液与所述复合结构表面的所述刻蚀阻挡层充分接触；步骤S4、控制所述复合结构以一大于所述第一预定转速的第二预定转速旋转；步骤S5、向所述复合结构的表面喷洒清洗溶剂，并维持所述第二预定转速旋转至一预定时间之后停止旋转。2.根据权利要求1所述的显影方法，其特征在于，所述复合结构的顶部为栅氧层，对所述复合结构进行曝光处理的方法包括：步骤A1、通过涂胶工艺对所述栅氧层的表面进行涂覆以形成所述刻蚀阻挡层；步骤A2、通过曝光工艺对所述刻蚀阻挡层进行曝光处理，以将掩膜板上的图...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄胜男，贺吉伟，李赟，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42