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本发明提供了一种减少刻蚀阻挡层残留的显影方法，应用于制备双栅极的复合结构中，具体包括以下步骤：步骤S1、将经过曝光处理后的复合结构传送至一显影腔中；步骤S2、向复合结构的表面喷洒显影液；步骤S3、控制复合结构以一第一预定转速旋转，使显影液与...该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。
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本发明提供了一种减少刻蚀阻挡层残留的显影方法，应用于制备双栅极的复合结构中，具体包括以下步骤：步骤S1、将经过曝光处理后的复合结构传送至一显影腔中；步骤S2、向复合结构的表面喷洒显影液；步骤S3、控制复合结构以一第一预定转速旋转，使显影液与...