一种基准电压源制造技术

本发明专利技术公开了一种基准电压源，包括启动电路和电压源电路，电压源电路包括第一至第二P沟道MOS管、第一至第六N沟道MOS管、电容、第一至第四电阻和第一至第五PNP三极管；所述启动电路包括第五电阻和第三至第四P沟道MOS管，其中，第五电阻的一端与电源连接，第五电阻的另一端与第三P沟道MOS管的漏极、第四P沟道MOS管的栅极分别连接，第四P沟道MOS管的漏极与第一N沟道MOS管的栅极连接，第四P沟道MOS管的源极与第三P沟道MOS管的源极、地分别连接。本发明专利技术提供了精度更高、更低温度系数的基准电压源；本发明专利技术电路具有功耗低、面积小和温度范围宽的特性；本发明专利技术降低了电路的复杂度且提高了电路的稳定性。

A reference voltage source

The invention discloses a reference voltage source, including start-up circuit and voltage source circuit, voltage source circuit includes first to second P channel MOS tube, the first to the sixth N channel MOS tube, capacitor, resistor and the first to the fourth first to fifth PNP transistor; the starting circuit comprises fifth resistors and third to fourth P channel MOS tube, wherein one end of the fifth resistor is connected with the power supply, the other end of the fifth resistor are respectively connected with the third P channel MOS tube drain, fourth P channel MOS transistor gate, fourth P channel MOS tube drain and gate MOS transistors connected to the first N channel the source, MOS tube fourth P channel and source of MOS tube third P channel, respectively connected. The invention provides a reference voltage source with higher accuracy and lower temperature coefficient; the circuit of the invention has the characteristics of low power consumption, small area and wide temperature range; the invention reduces the complexity of the circuit and improves the stability of the circuit.

【技术实现步骤摘要】
一种基准电压源
本专利技术涉及电子电路
，特别是一种基准电压源。
技术介绍
便携式电子产品在市场上占有越来越大的份额，对低电压、低功耗的基准电压源的需求量大大增加，也导致带隙基准的设计要求有了较大的提高。带隙基准广泛应用于数/模转换、模/数转换、存储器以及开关电源等数模混合电路中。基准源的稳定性对整个系统的内部电源的产生，输出电压的调整等都具有直接且至关重要的影响。基准电压必须能够克服制造工艺的偏差，系统内部电源电压在工作范围内的变化以及外界温度的影响。带隙基准源是集成电路中一个重要的单元模块，具有低温度系数，低电源电压以及可与标准CMOS工艺兼容等优点，因而被广泛使用在诸如A/D、D/A、通信电路、数据采集系统和精密传感的应用中。随着系统精度的提高，对基准的温度、电压和工艺的稳定性的要求也越来越高。带隙基准源的温度稳定性以及抗噪声能力是影响各种应用中精度的关键因素，甚至影响到整个系统的精度和性能。因此，设计一个好的基准电压源具有十分重要的现实意义。基准电路在模拟集成电路中是一个非常重要的模块。该模块为电路中的其他模块提供了精准的电压。其精度和稳定性很大程度上影响了电路的其他性本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基准电压源，其特征在于，包括启动电路和电压源电路，电压源电路包括第一至第二P沟道MOS管、第一至第六N沟道MOS管、电容、第一至第四电阻和第一至第五PNP三极管；其中，第一P沟道MOS管的栅极与第一P沟道MOS管的漏极、第一N沟道MOS管的漏极、第二P沟道MOS管的漏极分别连接，第一P沟道MOS管的源极与电容的一端连接，电容的另一端与第一电阻的一端、第一PNP三极管的基极、第一PNP三极管的集电极、第二PNP三极管的集电极、第三PNP三极管的集电极、第四PNP三极管的集电极、第四PNP三极管的基极、第五PNP三极管的基极、第五PNP三极管的集电极、地分别连接，第一电阻的另一端与第二P沟道M...

【技术特征摘要】
1.一种基准电压源，其特征在于，包括启动电路和电压源电路，电压源电路包括第一至第二P沟道MOS管、第一至第六N沟道MOS管、电容、第一至第四电阻和第一至第五PNP三极管；其中，第一P沟道MOS管的栅极与第一P沟道MOS管的漏极、第一N沟道MOS管的漏极、第二P沟道MOS管的漏极分别连接，第一P沟道MOS管的源极与电容的一端连接，电容的另一端与第一电阻的一端、第一PNP三极管的基极、第一PNP三极管的集电极、第二PNP三极管的集电极、第三PNP三极管的集电极、第四PNP三极管的集电极、第四PNP三极管的基极、第五PNP三极管的基极、第五PNP三极管的集电极、地分别连接，第一电阻的另一端与第二P沟道MOS管的源极连接，第一PNP三极管的发射极与第二电阻的一端、第二PNP三极管的基极分别连接，第二PNP三极管的发射极与第三N沟道MOS管的漏极连接，第三PNP三极管的发射极与第四N沟道MOS管的漏极连接，第四PNP三极管的发射极与第三PNP三极管的基极、第三电阻的一端分别连接，第五PNP三极管的发射极与第四电阻的一端连接，第二电阻的...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑春秋，
申请(专利权)人：苏州麦喆思科电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32