低电压带隙基准源电路制造技术
Low voltage bandgap reference circuit
The present invention provides a low voltage bandgap reference circuit, including: negative temperature coefficient current generating circuit for generating a negative temperature coefficient current; voltage of subtraction subtraction circuit, for different temperature coefficient voltage produces negative temperature coefficient current of the. Compared with the related technology, low voltage bandgap reference circuit provided by the invention has the advantages that the output voltage can be below 1V; work with low power supply voltage; the output impedance of the reference voltage is low, can directly drive resistive load; omit output buffer amplifier.
【技术实现步骤摘要】
低电压带隙基准源电路
本专利技术涉及基准源电路
，尤其涉及一种低电压带隙基准源电路。
技术介绍
带隙基准源是集成电路中的一个重要模块，传统的实现方法是采用一个正温度系数的电压和一个负温度系数的电压相加来实现低温度系数的带隙基准源。此类结构的带隙基准源输出电压在1.25V左右。随着CMOS技术的发展，芯片的工作电压越来越低，电压基准在1V以下，通常采用电流模式来实现相应的基准电压源，即通过正温度系数的电流源和负温度系数的电流源相加，合并后的电流偏置在电阻上，从而形成基准电压源。采用电流相加产生的基准源，在使用过程中，通常会需要一个输出缓冲器来驱动阻性负载。因此，有必要提供一种新的低电压带隙基准源电路来解决上述问题。
技术实现思路
本专利技术需要解决的技术问题是提供一种低电压带隙基准源电路，其可以输出1V以下的基准电压，工作电源电压低，基准电压的输出阻抗低，可以直接驱动阻性负载。为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种低电压带隙基准源电路，包括：负温度系数电流产生电路，用于产生负温度系数电流；电压相减电路，用于对所述负温度系数电流产生的不同温度系数的电压进行相减运...
【技术保护点】
一种低电压带隙基准源电路，其特征在于，包括：负温度系数电流产生电路，用于产生负温度系数电流；电压相减电路，用于对所述负温度系数电流产生的不同温度系数的电压进行相减运算；所述负温度系数电流产生电路包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第一运算放大器、第一三极管以及第一电阻；所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的源极分别连接电压源，所述第一PMOS管的栅极连接所述第二PMOS管的栅极和所述第一运算放大器的输出端，所述第一PMOS管的漏极连接所述第一三极管的发射极和所述第一运算放大器的负输入端；所述第二PMOS管的漏极连接所述第一运算放大器的正输入端和所述第一电阻的一端；所述第...
【技术特征摘要】
1.一种低电压带隙基准源电路，其特征在于，包括：负温度系数电流产生电路，用于产生负温度系数电流；电压相减电路，用于对所述负温度系数电流产生的不同温度系数的电压进行相减运算；所述负温度系数电流产生电路包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第一运算放大器、第一三极管以及第一电阻；所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的源极分别连接电压源，所述第一PMOS管的栅极连接所述第二PMOS管的栅极和所述第一运算放大器的输出端，所述第一PMOS管的漏极连接所述第一三极管的发射极和所述第一运算放大器的负输入端；所述第二PMOS管的漏极连接所述第一运算放大器的正输入端和所述第一电阻的一端；所述第一三极管的基极和集电极连接形成二极管形式，所述第一三极管的基极和集电极连接所述第一电阻的另一端并接地；所述第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：李天望，姜黎，袁涛，万鹏，
申请(专利权)人：湖南国科微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南,43
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