设有反接保护电路的宽输入电压范围电压调整芯片制造技术

本实用新型专利技术涉及集成电路技术领域，具体地说，涉及一种设有反接保护电路的宽输入电压范围电压调整芯片。其包括稳压支路、第一级运放电路和第二级运放电路，稳压支路包括第一电阻和齐纳二极管，第一级运放电路包括第一NMOS管、第二电阻、第二NMOS管和第三电阻，第二级运放电路包括第一PMOS管、第二PMOS管和第三PMOS管；本实用新型专利技术能够较佳地在宽输入电压的情形下进行工作。

Wide input voltage range voltage regulator IC with reverse connection protection circuit

The utility model relates to the field of integrated circuit technology, in particular, relates to a wide input voltage range voltage regulating chip with reverse connection protection circuit. It includes a regulating branch, the first stage operational amplifier circuit and second stage amplifier circuit, voltage stabilizing branch circuit comprises a first resistor and a zener diode, first stage amplifier circuit includes a first NMOS tube, second resistors, second NMOS tubes and third resistors, second stage amplifier circuit includes a first PMOS tube, second PMOS tube and third PMOS tube; the utility model can work better on the wide input voltage conditions.

【技术实现步骤摘要】
设有反接保护电路的宽输入电压范围电压调整芯片
本技术涉及集成电路
，具体地说，涉及一种设有反接保护电路的宽输入电压范围电压调整芯片。
技术介绍
大量用于工业控制、汽车电子、小家电等领域的芯片产品往往需要在很宽的电源电压范围内工作，比如高电压可能达到35V，低电压可能仅有2V，现有的芯片产品很难在较低制造成本的情况下满足宽输入电压范围的工作要求。另一方面，该类芯片在实际使用时，会出现电源和地反接的情况，此时会在芯片内部形成一个较大的电流(尤其是芯片在高压工作时)，从而很可能导致芯片的烧毁。
技术实现思路
本技术的内容是提供一种设有反接保护电路的宽输入电压范围电压调整芯片，其能够克服现有技术的某种或某些缺陷。根据本技术的设有反接保护电路的宽输入电压范围电压调整芯片，其包括稳压支路、第一级运放电路和第二级运放电路，稳压支路包括第一电阻和齐纳二极管，第一级运放电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管和第二电阻，第二级运放电路包括第三PMOS管和第三电阻；第一电阻和齐纳二极管依次连接于芯片供电端与公共接地端之间且齐纳二极管反向设置，第一电阻与齐纳二极管间形成参考电压本文档来自技高网...

【技术保护点】
设有反接保护电路的宽输入电压范围电压调整芯片，其特征在于：包括稳压支路、第一级运放电路和第二级运放电路，稳压支路包括第一电阻(R1)和齐纳二极管(D1)，第一级运放电路包括第一PMOS管(Tp1)、第二PMOS管(Tp2)、第一NMOS管(Tn1)、第二NMOS管(Tn2)和第二电阻(R2)，第二级运放电路包括第三PMOS管(Tp4)和第三电阻(R3)；第一电阻(R1)和齐纳二极管(D1)依次连接于芯片供电端(VDD)与公共接地端(VSS)之间且齐纳二极管(D1)反向设置，第一电阻(R1)与齐纳二极管(D1)间形成参考电压端(Vref)；参考电压端(Vref)接入第一NMOS管(Tn1)栅极，...

【技术特征摘要】
1.设有反接保护电路的宽输入电压范围电压调整芯片，其特征在于：包括稳压支路、第一级运放电路和第二级运放电路，稳压支路包括第一电阻(R1)和齐纳二极管(D1)，第一级运放电路包括第一PMOS管(Tp1)、第二PMOS管(Tp2)、第一NMOS管(Tn1)、第二NMOS管(Tn2)和第二电阻(R2)，第二级运放电路包括第三PMOS管(Tp4)和第三电阻(R3)；第一电阻(R1)和齐纳二极管(D1)依次连接于芯片供电端(VDD)与公共接地端(VSS)之间且齐纳二极管(D1)反向设置，第一电阻(R1)与齐纳二极管(D1)间形成参考电压端(Vref)；参考电压端(Vref)接入第一NMOS管(Tn1)栅极，第一NMOS管(Tn1)和第二NMOS管(Tn2)的源极均通过第二电阻(R2)接入公共接地端(VSS)，第三电阻(R3)设于第二NMOS管(Tn2)的栅极与公共接地端(VSS)之间；芯片供电端(VDD)通过一反接保护电路后形成公共电源端(Vcom)，第一PMOS管(Tp1)的源极接入公共电源端...

【专利技术属性】
技术研发人员：俞铁刚，管慧，郭洋，
申请(专利权)人：鑫雁电子科技上海有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31