高选择性浅槽隔离化学机械抛光浆料及其制备工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种高选择性浅槽隔离化学机械抛光浆料，包括：水、氧化铈、分散剂、聚甲基丙烯酸盐、pH缓冲调节剂；按照质量百分比计，氧化铈的含量为0.3‑25％，聚甲基丙烯酸盐为固体氧化铈的0.05％‑5％，分散剂为聚甲基丙烯酸盐的10％‑50％，pH缓冲调节剂含量为4％‑6％。本发明专利技术还公开了一种高选择性浅槽隔离化学机械抛光浆料的制备工艺。本发明专利技术得到的CMP氧化铈抛光浆料具有选择性高、切削速率高、耐磨性好、颗粒集中、不团聚等优点，适于工业生产和控制。

【技术实现步骤摘要】
高选择性浅槽隔离化学机械抛光浆料及其制备工艺
本专利技术涉及一种，具体说，涉及一种高选择性浅槽隔离化学机械抛光浆料及其制备工艺。
技术介绍
集成电路(IC)是电子信息产业的核心，IC的发展离不开晶体完整、高纯度、高精度、高表面质量的硅晶片。随着超大规模集成电路(ULSI)技术的发展，集成电路线宽由上世纪90年代的0.35μm、0.25μm到本世纪的0.18μm及目前的0.13μm和未来两年的0.08μm，对硅片的平坦度要求越来越高。如图1所示，是现有技术中抛光机的抛光原理图。化学机械抛光(CMP)工艺是硅片平坦化的首选工艺，抛光机由旋转下定盘、上定盘、加压系统、浆料供给系统11、机械平衡系统、温度控制系统、pH调节系统构成。抛光液和抛光垫12是影响CMP的关键因素，抛光液中的研磨粒子在硅片13表面既有化学作用又有机械作用。同时，抛光液的酸碱度、温度也直接影响抛光效果。C0MP在半导体硅片13上的最重要应用是集成电路(IC)制造中的浅槽隔离(STI)结构，STI结构的作用是在一确定的电路图中隔离、绝缘不关联的器件，如晶体管以防止晶体管之间发生漏电短路。美国专利US6518148B1、U本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高选择性浅槽隔离化学机械抛光浆料，其特征在于，包括：水、氧化铈、分散剂、聚甲基丙烯酸盐、pH缓冲调节剂；按照质量百分比计，氧化铈的含量为0.3‑25％，聚甲基丙烯酸盐为固体氧化铈的0.05％‑5％，分散剂为聚甲基丙烯酸盐的10％‑50％，pH缓冲调节剂含量为4％‑6％。

【技术特征摘要】
1.一种高选择性浅槽隔离化学机械抛光浆料，其特征在于，包括：水、氧化铈、分散剂、聚甲基丙烯酸盐、pH缓冲调节剂；按照质量百分比计，氧化铈的含量为0.3-25％，聚甲基丙烯酸盐为固体氧化铈的0.05％-5％，分散剂为聚甲基丙烯酸盐的10％-50％，pH缓冲调节剂含量为4％-6％。2.如权利要求1所述高选择性浅槽隔离化学机械抛光浆料，其特征在于：分散剂选用聚乙二醇、十二烷基磺酸钠、乙二胺四乙酸、乙二胺四乙酸二钠中的一种或者多种。3.如权利要求2所述高选择性浅槽隔离化学机械抛光浆料，其特征在于：聚甲基丙烯酸盐和聚乙二醇的平均分子量分别为5000-100000和3000-20000，聚甲基丙烯酸盐选用钾盐、钠盐或铵盐。4.如权利要求1所述高选择性浅槽隔离化学机械抛光浆料，其特征在于：pH缓冲调节剂采用磷酸、醋酸、硼酸、氢氧化钠混合配制而成。5.如权利要求1所述高选择性浅槽隔离化学机械抛光浆料，其特征在于：氧化铈中一次颗粒粒径小于40nm，二次颗粒中位粒径80-150nm，最大粒径≤800nm；水的电导率为≤0.12μs/cm，pH值为4.0-6.5。6.一种高选择性浅槽隔离化学机械抛光浆料的制备工艺，包括：制取碳酸铈浆料，碳酸铈浆料经升温、灼烧制备纳米级的氧化铈；将氧化铈用去离子水调...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔凌霄，谢兵，杨国胜，张存瑞，刘致文，赵延，程磊，杜悦，张倩悦，
申请(专利权)人：包头天骄清美稀土抛光粉有限公司，
类型：发明
国别省市：内蒙古,15