半导体处理用组合物及处理方法技术

本发明专利技术提供一种抑制对被处理体的金属配线等造成的损伤、且可自被处理体的表面有效地去除污染的半导体处理用组合物及使用其的处理方法。本发明专利技术的半导体处理用组合物含有3×10

【技术实现步骤摘要】
半导体处理用组合物及处理方法
本专利技术涉及一种半导体处理用组合物及使用其的处理方法。
技术介绍
所谓被有效地用于制造半导体装置的化学机械研磨(ChemicalMechanicalPolishing，CMP)，为将被处理体(被研磨体)压接于研磨垫上，一面在研磨垫上供给化学机械研磨用水系分散体(以下也简称为“CMP浆料”)一面使被处理体与研磨垫相互滑动，对被处理体以化学且机械方式进行研磨的技术。此种CMP中所用的CMP浆料中，除了研磨料以外，含有蚀刻剂等化学药品。而且，因CMP而产生研磨屑。若这些研磨屑残留于被处理体上，则会成为致命的装置缺陷。因此，在CMP后必须进行清洗被处理体的步骤。在CMP后的被处理体的表面上，铜或钨等金属配线材料、氧化硅等绝缘材料、氮化钽或氮化钛等阻障金属材料等露出。在此种异种材料共存于被研磨面上的情形时，必须自被研磨面仅将污染去除，不造成腐蚀等损伤(damage)而进行处理。例如专利文献1中揭示有以下技术：使用酸性的半导体处理用组合物，抑制配线材料及阻障金属材料露出的被研磨面的腐蚀。另外，例如专利文献2或专利文献3中揭示有以下技术：使用中性至碱性的半导体处理用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体处理用组合物，其为经浓缩的半导体处理用组合物，且所述半导体处理用组合物的特征在于：含有3×10

【技术特征摘要】
2016.05.10 JP 2016-0943971.一种半导体处理用组合物，其为经浓缩的半导体处理用组合物，且所述半导体处理用组合物的特征在于：含有3×101个/mL～1.5×103个/mL的粒径为0.1μm～0.3μm的粒子。2.根据权利要求1所述的半导体处理用组合物，其特征在于：其是稀释至1倍～500倍而使用。3.一种半导体处理用组合物，其是不加稀释而使用，且所述半导体处理用组合物的特征在于：含有3×101个/mL～1.5×103个/mL的粒径为0.1μm～0.3μm的粒子。4.根据权利要求1至3中任一项所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：亀井康孝，羽山孝弘，西口直希，加茂理，篠田智隆，
申请(专利权)人：JSR株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP