一种硅CMP浆料及其使用该CMP浆料的抛光方法技术

本发明专利技术公开了一种硅CMP浆料及其使用该CMP浆料的抛光方法，包括CMP浆料组合物和研磨料，CMP组合物包括至少一种阴离子聚合物表面活性剂、粘度调节剂、螯合剂和研磨助剂，研磨料为纳米级二氧化硅溶胶，阴离子聚合物表面活性剂为羧酸盐、磺酸盐、磷酸酯中的任意一种或一种以上的组合，螯合剂为有机化合物，研磨助剂为非离子聚合物颗粒。本发明专利技术研磨料采用纳米级二氧化硅溶胶，具有研磨料粒径小、表面张力小、容易清洗等优点，而且抛光速度快，可达到(0.8～1.5μm/min)，在高温时不会出现非均化蚀坑，大大的提高了抛光质量，可广泛应用于硅晶片抛光工艺中及其他半导体材料的抛光工艺。

Silicon CMP slurry and polishing method using the CMP slurry

The invention discloses a silicon CMP slurry and its polishing method using the CMP slurry, including CMP slurry and abrasive compositions, CMP compositions comprising at least one anionic polymer surfactant, viscosity modifier, chelating agent and abrasive grinding additives, nano silica sol two, anionic polymer surfactant any carboxylate, sulfonate and phosphate in one or a combination of the above, the chelating agent is organic compound, grinding additives as nonionic polymer particles. The invention adopts nanometer silica sol abrasive, abrasive materials with small particle size, low surface tension, easy cleaning and other advantages, and polishing speed, can reach (0.8 ~ 1.5 m/min), does not appear non equalization of pits in the high temperature, greatly improve the quality of polishing, can be widely used in polishing technology of silicon wafer polishing and other semiconductor materials.

【技术实现步骤摘要】
一种硅CMP浆料及其使用该CMP浆料的抛光方法
本专利技术涉及CMP浆料
，尤其是涉及了一种硅CMP浆料及其使用该CMP浆料的抛光方法。
技术介绍
随着微电子器件的集成规模的扩张，微电子器件的平坦化尤为重要。其中多晶硅具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料，多晶硅是生产单晶硅的直接原料，是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料，但是如果多晶硅表面不平坦，就会带来许多问题，因此对多晶硅表面进行平坦化处理至关重要。其中，CMP是平坦化技术中的一种，在整个抛光过程中，硅CMP浆料的性能起到关键的作用，在现有技术中，硅CMP浆料低金属离子污染严重，浓缩度低、表面张力大、对有机物、金属离子及颗粒难以清洗、在高温时容易出现非均化蚀坑等，导致抛光质量低，使用范围具有局限性。因此，为了解决上述存在的问题，本专利技术特提供了一种新的技术方案。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供了一种硅CMP浆料，能够解决现有技术中硅CMP浆料低金属离子污染严重、不易清洗以及抛光质量低等问题。本专利技术针对上述技术缺陷所采用的技术方案是：一种硅CMP浆料，包括CMP浆料组合物和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅CMP浆料，包括CMP浆料组合物和研磨料，其特征在于：所述CMP组合物包括至少一种阴离子聚合物表面活性剂、粘度调节剂、螯合剂和研磨助剂，所述研磨料为纳米级二氧化硅溶胶，所述阴离子聚合物表面活性剂为羧酸盐、磺酸盐、磷酸酯中的任意一种或一种以上的组合，所述粘度调节剂用以调节CMP浆料体系的第一粘度和第二粘度，所述螯合剂为有机化合物，所述研磨助剂为非离子聚合物颗粒。

【技术特征摘要】
1.一种硅CMP浆料，包括CMP浆料组合物和研磨料，其特征在于：所述CMP组合物包括至少一种阴离子聚合物表面活性剂、粘度调节剂、螯合剂和研磨助剂，所述研磨料为纳米级二氧化硅溶胶，所述阴离子聚合物表面活性剂为羧酸盐、磺酸盐、磷酸酯中的任意一种或一种以上的组合，所述粘度调节剂用以调节CMP浆料体系的第一粘度和第二粘度，所述螯合剂为有机化合物，所述研磨助剂为非离子聚合物颗粒。2.根据权利要求1所述的一种硅CMP浆料，其特征在于：所述阴离子聚合物表面活性剂为以下聚合物中的一种或一种以上的组合：聚丙烯酸盐、苯乙烯-马来酸酐共聚物、聚苯乙烯磺酸盐、萘磺酸甲醛缩合物、缩合烷基本分聚氧乙烯醚磷酸酯。3.根据权利要求1所述的一种硅CMP浆料，其特征在于：所述螯合剂为多磷酸盐、氨基羧酸、羟基羧酸、多胺中的任意一种或一种以上的组合。4.根据权利要求1所述的一种硅CMP浆料，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：仲跻和，
申请(专利权)人：江苏天恒纳米科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32