一种用于存储器硬盘的CMP浆料及使用该浆料的抛光方法技术

本发明专利技术公开了一种用于存储器硬盘的CMP浆料及使用该浆料的抛光方法，包括CMP浆料组合物和研磨料，CMP浆料组合物包括含有羟基、羧基或其两者的化合物、辅助添加剂以及去离子水，研磨料为二氧化硅溶胶，其中将二氧化硅溶胶加入CMP浆料组合物中并加入去离子水稀释，直至CMP浆料体系的粘度小于10(mPa.s)，pH值在9.0‑10.0之间波动。本发明专利技术在CMP浆料体系中增加辅助添加剂，用以提高CMP浆料的研磨抛光效果，且研磨料采用碱性球形纳米粒子，其硬度小，能够解决传统CMP浆料对硬盘基片的划伤问题，且稳定性高，对设备要求低，使得该CMP浆料的抛光选择性高，可操作性强，可广泛用于存储器硬盘的抛光领域。

CMP slurry for memory hard disk and polishing method using the slurry

The invention discloses a CMP slurry for storage hard disk and polishing method using the slurry, including CMP slurry composition and abrasive slurry composition including CMP, hydroxyl, carboxyl or both compounds, auxiliary additives and deionized water, abrasive two silica sol, which will add CMP silica sol slurry composition in deionized water and diluted until CMP slurry viscosity is less than 10 (mPa.s), the fluctuation of pH value in 9 between 10. The invention adds auxiliary additives in CMP slurry system, in order to improve the polishing effect of CMP slurry, abrasive and alkaline spherical nanoparticles, which can solve the problem of low hardness, scratch on the hard disk substrate of traditional CMP slurry, and high stability, low requirement on equipment, so that the polishing selectivity of CMP slurry. The maneuverability is strong, can be widely used in the field of memory hard polishing.

【技术实现步骤摘要】
一种用于存储器硬盘的CMP浆料及使用该浆料的抛光方法
本专利技术涉及CMP浆料
，尤其是涉及了一种用于存储器硬盘的CMP浆料及使用该浆料的抛光方法。
技术介绍
随着微电子器件的集成规模的扩张，微电子器件的平坦化尤为重要。其中存储器硬盘由一组盘片组成，盘面除了保护面外均为记录面，在存取数据时，磁头在盘面上作来回的直线运动用以存储数据，硬盘可用来作为大型机、小型机和微型机等的外部存储器，具有很大的容量，旋转速度快，存取速度高。但是如果硬盘表面不平坦，就会带来许多相应的问题，比如旋转速度缓慢从而导致存取效率低等，因此对存储器硬盘的基片进行平坦化处理至关重要。其中，CMP是平坦化技术中的一种，在CMP处理中，将存储器硬盘的基片置于抛光机中，并在抛光处理过程中加入CMP浆料，通过一系列的抛光作用即可实现存储器硬盘基片的平坦化。在整个抛光过程中，CMP浆料的性能起到关键的作用。在现有技术中，CMP浆料的硬度较大，在CMP浆料抛光过程中会对硬盘表面造成划伤，损伤层高，对设备腐蚀性大，而且现有CMP浆料的稳定性较差，对设备要求高，导致该CMP浆料的抛光选择性低，通用性差。因此，为了解决上述存在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于存储器硬盘的CMP浆料，包括CMP浆料组合物和研磨料，其特征在于：所述CMP浆料组合物包括含有羟基、羧基或其两者的化合物、辅助添加剂以及去离子水，所述研磨料为二氧化硅溶胶，其中将二氧化硅溶胶加入CMP浆料组合物中并加入去离子水稀释，直至CMP浆料体系的粘度小于10(mPa.s)，pH值在9.0‑10.0之间波动。

【技术特征摘要】
1.一种用于存储器硬盘的CMP浆料，包括CMP浆料组合物和研磨料，其特征在于：所述CMP浆料组合物包括含有羟基、羧基或其两者的化合物、辅助添加剂以及去离子水，所述研磨料为二氧化硅溶胶，其中将二氧化硅溶胶加入CMP浆料组合物中并加入去离子水稀释，直至CMP浆料体系的粘度小于10(mPa.s)，pH值在9.0-10.0之间波动。2.根据权利要求1所述的一种用于存储器硬盘的CMP浆料，其特征在于：含有羟基、羧基或其两者的化合物的重均分子量为30-500，可为以下化合物中的一种或一种以上的组合：含柠檬酸基的化合物、含葡萄糖酸基的化合物、含苹果酸基的化合物、含酒石酸基的化合物、含2-羟基异丁酸基的化合物、含己二酸基的化合物、含辛酸基的化合物、含琥珀酸基的化合物、含乙二胺四乙酸(EDTA)基的化合物、含戊二酸基的化合物、含亚甲基琥珀酸基的化合物、甘露糖、甘油基半乳庚糖、赤型甘露辛糖、阿拉伯半乳壬糖和谷氨酰胺。3.根据权利要求1或2所述的一种用于存储器硬盘的CMP浆料，其特征在于：基于100重量份的CMP浆料体系，所述重均分子量为30-500且...

【专利技术属性】
技术研发人员：仲跻和，
申请(专利权)人：江苏天恒纳米科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32