用于EBR的卡盘和用于在EBR之前使晶片居中的方法技术
Chuck for EBR and method for centering wafer before EBR
The present invention relates to a chuck for EBR and a method for centering the wafer before EBR. Used in EBR treatment during wafer chuck comprises: a rotatable hub, having extending outwardly therefrom a supporting arm, a supporting pin end of the support arm on the support pin extending through the gas passage, the surface and the support arm in the configuration for the gas pipeline to supply gas channel or applied vacuum. The support arm may include an alignment cam that can be rotated from an outer misalignment position outside the wafer periphery to an inner alignment position in the middle of the wafer. In order to supply gas to the gas outlet in the support pin or to apply a vacuum force, the rotatable hub can have a gas inlet and a plurality of gas delivery ports that are in fluid communication with the gas transmission pipeline in the support arm. The pressure gas can be supplied to the gas outlet by the pressurized gas source connected to the gas inlet, and the suction force can be applied to the gas outlet from the vacuum source connected to the gas inlet. During centering, the wafer floats on the air cushion, which reduces the wear of the support pin.
【技术实现步骤摘要】
用于EBR的卡盘和用于在EBR之前使晶片居中的方法
本专利技术涉及用于支撑半导体晶片的卡盘技术。更具体地说，本专利技术涉及在倒角边缘去除(EBR)处理之前使晶片居中的方法，在EBR处理中，液体蚀刻剂除去晶片外边缘的不需要的金属。
技术介绍
在典型的铜镶嵌工艺中，所需导电路径的形成通常从金属的薄物理气相沉积(PVD)开始，随后是较厚的电填充层(其通过电镀形成)。PVD工艺通常是溅射。为了使晶片的可用面积(在本文中有时称为“有源表面区域”)的尺寸最大化并且因此使由晶片产生的集成电路的数量最大化，电填充的金属必须被沉积到非常靠近半导体晶片的边缘。因此，需要允许金属在晶片的整个正面上的物理气相沉积。作为该工艺步骤的副产物，PVD金属通常涂覆有源电路区域外侧的前边缘区域、以及侧边缘，并且在一定程度上涂覆背面。金属的电填充比较容易控制，因为电镀设备可被设计成将电镀溶液从不期望的区域(例如，晶片的边缘和背面)排除。将电镀溶液限制在晶片有源表面上的电镀设备的一个实例是可从加利福尼亚州圣何塞的NovellusSystems,Inc.获得的SABRETM蛤壳式电镀设备，并在E.Pat...
【技术保护点】
一种在倒角边缘去除(EBR)处理期间去除不需要的金属之前使半导体晶片居中的方法，所述方法包括：(a)将晶片转移到具有至少三个支撑臂的能旋转的卡盘上方，在所述支撑臂的外部部分处具有支撑销，(b)将所述晶片降低到所述支撑销上，(c)将加压气体供应到在所述支撑销的上表面中具有气体出口的气体通道，使得所述晶片浮在由从所述支撑销的所述上表面中的所述气体出口流出的气体形成的气垫上，(d)通过在所述晶片浮在所述气垫上时在整个所述支撑销上移动所述晶片来使所述晶片居中，(e)向所述气体通道施加真空，使得所述晶片被真空夹紧到所述支撑销。
【技术特征摘要】
2016.04.06 US 15/092,2221.一种在倒角边缘去除(EBR)处理期间去除不需要的金属之前使半导体晶片居中的方法，所述方法包括：(a)将晶片转移到具有至少三个支撑臂的能旋转的卡盘上方，在所述支撑臂的外部部分处具有支撑销，(b)将所述晶片降低到所述支撑销上，(c)将加压气体供应到在所述支撑销的上表面中具有气体出口的气体通道，使得所述晶片浮在由从所述支撑销的所述上表面中的所述气体出口流出的气体形成的气垫上，(d)通过在所述晶片浮在所述气垫上时在整个所述支撑销上移动所述晶片来使所述晶片居中，(e)向所述气体通道施加真空，使得所述晶片被真空夹紧到所述支撑销。2.根据权利要求1所述的方法，其还包括：(f)旋转所述晶片；(g)使用包含去离子水的预冲洗液来预冲洗所述晶片；(h)通过增加所述晶片的转速来使所述预冲洗液的层变薄；以及(i)将液体蚀刻剂流输送到所述晶片的倒角边缘区域附近的所述变薄的预冲洗液的层，使得所述液体蚀刻剂扩散穿过所述变薄的预冲洗液的层，并从所述倒角边缘区域基本上选择性地去除不需要的金属。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述卡盘包括六个支撑臂，所述支撑臂中的每一个具有与所述支撑销中的所述气体通道中的相应一个流体连通的气体输送管道，其中在(c)期间，气体从所述六个支撑销的所述上表面中的所述气体出口流出。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述卡盘包括六个支撑臂，所述支撑臂中的每一个具有与所述支...
【专利技术属性】
技术研发人员：亚伦·路易斯·拉布里，罗伯特·林登·布伦德勒，奇安·欧文·斯威尼，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：美国,US
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